层叠电子部件制造技术

本发明专利技术所涉及的层叠电子部件是一种具备实质上平行于包含有第1轴以及第2轴的平面的内部电极层和电介质层沿着第3轴的方向被交替层叠的元件主体的层叠电子部件，在元件主体的第1轴的方向上互相相对的一对侧面上分别具备绝缘层，在元件主体的第2轴的方向上互相相对的一对端面上分别具备与内部电极层电连接的外部电极，内部电极层的所述第1轴方向的端部从电介质层的所述第1轴方向的端部沿着第1轴的方向以规定引入距离被引入到内侧，且引入距离在内部电极层的各层以规定范围进行分散。

【技术实现步骤摘要】
层叠电子部件
本专利技术涉及层叠电子部件。
技术介绍
近年来，相对于被使用于手机等数码电子设备的电子电路的伴随于高密度化的电子部件小型化的要求越来越高，且构成该电路的层叠电子部件的小型化以及大电容化正在急速发展。在专利文献1中有方案提出有一种为了提高电极材料的使用效率或提高静电电容的增大和精度等而去除掉侧隙(sidegap)的结构的层叠陶瓷电容器。但是，因为变成了内部电极露出于陶瓷烧结体的侧面的工艺，所以会有所谓耐电压低的问题。另外，如果对电介质层实施薄层化的话则电场容易变得集中在内部电极层的端部，并且成为绝缘电阻降低的倾斜。另外，如专利文献2所述一种设置了侧隙的层叠陶瓷电子部件也是为人们所知的。然而，在具有侧隙的层叠陶瓷电子部件的现有技术中，为了提高绝缘电压而有必要使导体层从陶瓷烧结体的侧面进入到更内侧，且其进入量要做到均匀。可是，不存在导体层的陶瓷层的机械强度伴随于陶瓷层的薄层化而降低，并且在绝缘层形成工序中变得容易发生结构缺陷(龟裂或者分层)，其结果本专利技术人发现存在有所谓抑制绝缘电阻降低是困难的问题。现有技术文献专利文献专利文献1：特公平2-30570号公报专利文献2：特开平11-340081号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题本专利技术就是借鉴了以上所述现实状况下的技术问题而做出的不懈努力之结果，其目的在于提供一种绝缘电阻良好的层叠电子部件。解决技术问题的手段为了完成以上所述目的而本专利技术的层叠电子部件须有如以下所述特征。[1]本专利技术所涉及的层叠电子部件的特征在于：具备实质上平行于包含有第1轴以及第2轴的平面的内部电极层和电介质层沿着第3轴的方向被交替层叠的元件主体，在所述元件主体的所述第1轴的方向上互相相对的一对端面(侧面)上分别具备绝缘层，在所述元件主体的所述第2轴的方向上互相相对的一对端面上分别具备与所述内部电极层电连接的外部电极，所述内部电极层的所述第1轴方向的端部从所述电介质层的所述第1轴方向的端部沿着第1轴的方向以规定引入距离被引入到内侧，且所述引入距离在所述内部电极层的各层以规定范围进行分散。根据本专利技术，因为内部电极层的引入距离在内部电极层的各层以规定范围进行分散，所以在内部电极层的第1轴方向的两端部能够有效地防止不同层的内部电极层发生接触，并且能够做到充分保持不同层的内部电极的距离。为此，假如即使对电介质层实施薄层化也能够提供绝缘电阻良好的层叠电子部件。作为上述[1]的具体形态可以例示以下所述形态。[2]在[1]中所述的层叠电子部件的特征在于：表示所述引入距离的分散程度的CV值为0.05～1.0。[3]在[1]或者[2]中所述的层叠电子部件的特征在于：在将第k层的所述内部电极层与第k+1层的所述内部电极层之间的所述电介质层的厚度设定为tdk；将第k层的所述内部电极层的引入距离设定为dk；将第k+1层的所述内部电极层的引入距离设定为dk+1；将Q值设定为Q＝tdk2/(tdk2+|dk+1-dk|2)的情况下，Q值为0.004～0.300。[4]在[1]～[3]任意一项中所述的层叠电子部件的特征在于：所述绝缘层含有Si以及Ba。[5]在[1]～[4]任意一项中所述的层叠电子部件的特征在于：在所述内部电极层的所述第1轴方向的端部与所述绝缘层之间存在非导体部。[6]在[5]中所述的层叠电子部件的特征在于：所述非导体部含有构成所述内部电极层的元素的氧化物。[7]本专利技术所涉及的层叠电子部件的制造方法的特征在于：具有：将在第1轴方向上进行连续并形成有实质上平行于包含第1轴以及第2轴的平面的内部电极图形层的坯料薄片，在第3轴方向上层叠从而制得坯料层叠体的工序；以获得平行于包含第2轴以及第3轴的平面的截面的形式切断所述坯料层叠体从而制得坯料贴片的工序；对所述坯料贴片实施烧成从而制得内部电极层和电介质层进行交替层叠的元件主体的工序；通过将绝缘层用膏体涂布于所述元件主体的第1轴方向的端面并进行烧结从而制得形成有绝缘层的陶瓷烧结体的工序；通过将外部电极用膏体烧结于所述陶瓷烧结体的第2轴方向的端面从而制得形成有外部电极的层叠电子部件的工序；所述内部电极层的所述第1轴方向的端部从所述电介质层的所述第1轴方向的端部沿着第1轴的方向以规定引入距离被引入到内侧，且所述引入距离在所述内部电极层的各层以规定范围进行分散。附图说明图1是本专利技术的实施方式所涉及的层叠陶瓷电容器的概略截面图。图2是沿着图1所表示的II-II线的截面图。图3A是图2的主要部分放大图。图3B是图2的主要部分放大图。图3C是图2的主要部分放大图。图4是表示图1所表示的层叠陶瓷电容器的制造过程中的坯料薄片层叠工序的概略截面图。图5Aa是表示沿着图4所表示的V-V线的第n层内部电极图形层一部分的平面图。图5Ab是表示第n+1层内部电极图形层一部分的平面图。图5B是表示沿着图4所表示的V-V线的第n层内部电极图形层一部分的平面图。图6A是平行于层叠了图4所表示的坯料薄片之后的层叠体X-Z轴平面的概略截面图。图6B是平行于层叠了图4所表示的坯料薄片之后的层叠体Y-Z轴平面的概略截面图。图7是为了说明本实施例的弯曲强度测定方法的示意图。具体实施方式参照附图并根据本实施方式详细说明本专利技术，但是本专利技术并限定于以下所说明的实施方式。另外，在以下所述的结构要素中包括本行业人员能够容易想得到的东西、实质上相同的东西。再有，以下所述的结构要素作适当组合是可能的。以下是根据附图所表示的实施方式说明本专利技术。层叠陶瓷电容器的整体结构作为本实施方式所涉及的层叠电子部件的一个实施方式来就层叠陶瓷电容器的整体结构作如下说明。如图1所示，本实施方式所涉及的层叠陶瓷电容器2具有陶瓷烧结体4、第1外部电极6、第2外部电极8。另外，如图2所示，陶瓷烧结体4具有元件主体3和绝缘层16。元件主体3具有实质上平行于包含有X轴以及Y轴的平面的内侧电介质层10和内部电极层12，内部电极层12在内侧电介质层10之间沿着Z轴方向进行交替层叠。在此，所谓“实质上平行”是指大部分为平行但是也可以有多少有些不平行的部分，内部电极层12和内侧电介质层10它的宗旨是所谓既可以多少有些凹凸也可以有些倾斜。内侧电介质层10和内部电极层12被交替层叠的部分为内装区域13。另外，元件主体3在其层叠方向Z(Z轴)的两端具有外装区域11。外装区域11是通过层叠多层厚于构成内装区域13的内侧电介质层10的外侧电介质层来形成的。还有，以下会有将“内侧电介质层10”以及“外侧电介质层”合并起来称作为“电介质层”的情况。构成内侧电介质层10以及外装区域11的电介质层的材质既可以相同又可以不同即没有特别的限定，例如，将ABO3等钙钛矿结构的电介质材料或铌酸碱类陶瓷作为主成分来进行构成。在ABO3中，A例如是选自Ca、Ba、Sr等中的至少一种，B是选自Ti、Zr等中的至少一种。A/B的摩尔比并没有特别的限定，可以是0.980～1.020。除此之外，作为副成分可以列举二氧化硅、氧化铝、氧化镁、碱金属化合物、碱土金属化合物、氧化锰、稀土元素氧化物、氧化钒等，但是并不限定于这些化合物。其含量也是如果对应于组成等作适当决定的话即可。还有，作为副成分通过使用二氧化硅和氧化铝从而就能够降低烧成温度。另外，作为副成分通过使用氧化镁、碱金本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种层叠电子部件，其特征在于：具备实质上平行于包含第1轴以及第2轴的平面的内部电极层和电介质层沿着第3轴的方向被交替层叠的元件主体，在所述元件主体的所述第1轴的方向上互相相对的一对侧面上分别具备绝缘层，在所述元件主体的所述第2轴的方向上互相相对的一对端面上分别具备与所述内部电极层电连接的外部电极，所述内部电极层的所述第1轴方向的端部从所述电介质层的所述第1轴方向的端部沿着第1轴的方向以规定的引入距离被引入到内侧，所述引入距离在所述内部电极层的各层以规定范围进行分散。

【技术特征摘要】
2015.09.15 JP 2015-182051;2016.06.29 JP 2016-129201.一种层叠电子部件，其特征在于：具备实质上平行于包含第1轴以及第2轴的平面的内部电极层和电介质层沿着第3轴的方向被交替层叠的元件主体，在所述元件主体的所述第1轴的方向上互相相对的一对侧面上分别具备绝缘层，在所述元件主体的所述第2轴的方向上互相相对的一对端面上分别具备与所述内部电极层电连接的外部电极，所述内部电极层的所述第1轴方向的端部从所述电介质层的所述第1轴方向的端部沿着第1轴的方向以规定的引入距离被引入到内侧，所述引入距离在所述内部电极层的各层以规定范围进行分散。2.如权利要求1所述的层叠电子部件，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈井圭祐，田中博文，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP