多层陶瓷电子组件及其制造方法技术

提供一种多层陶瓷电子组件及其制造方法。所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括通过交替地堆叠介电层和第一内电极及第二内电极而形成并用于形成电容的有源区以及设置在所述有源区的上表面和下表面中的至少一个表面上的保护层；第一外电极和第二外电极，形成在陶瓷主体的各个端上，其中，在以下项的至少一项中设置台阶部吸收层：陶瓷主体在长度方向上的两个端部和陶瓷主体在宽度方向上的两个端部，且设置在与所述台阶部吸收层的平面相同的平面上的介电层的总厚度大于设置在另一区域中的介电层的厚度。

【技术实现步骤摘要】
多层陶瓷电子组件及其制造方法本申请要求于2015年11月27日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0167490号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用包含于此。
本公开涉及一种通过减小高电容多层陶瓷电子组件的组件中的台阶部(stepportion)而改善耐受电压特性的多层陶瓷电子组件及其制造方法。
技术介绍
多层陶瓷电子组件包括多个堆叠的介电层、设置为与介于其间的各个介电层彼此面对的内电极和电连接到内电极的外电极。这种多层陶瓷电子组件由于其诸如小尺寸、高电容、易于安装等的优点已被广泛地用作计算机、诸如个人数字助理(PDA)、移动电话等的移动通信装置中的组件。随着电子产品的尺寸已经减小并且已实现了多功能性，电子组件也已变得紧凑且高功能化，因此已经需求小但具有高电容的多层陶瓷电子组件。通常，在制造多层陶瓷电子组件的方法中，制造陶瓷生片，并通过在陶瓷生片上印刷导电膏而形成内电极层。可对几十至几百个其上形成内电极层的陶瓷生片进行堆叠，从而形成生陶瓷主体(greenceramicbody)。在高温高压下通过压制生陶瓷主体形成硬的生陶瓷主体并将其切割后，通过对切割的生陶瓷主体进行焙烧、烧结以及抛光并在其上形成外电极来完成多层陶瓷电容器。在堆叠和压制陶瓷生片时，随着堆叠的陶瓷生片的数量增加，会出现影响产品可靠性的问题。陶瓷生片由内电极形成部、边缘部(非内电极形成部)组成。当在堆叠陶瓷生片后对其压制时，内电极形成部和边缘部之间的台阶部会增大，这会使耐受电压特性劣化。由于内电极和介电层的密度在内电极形成部与边缘部之间的差异，可产生台阶部。为了解决如上所述的台阶部的问题，已使用采用负片印刷法(negativeprintingmethod)将单独的陶瓷材料添加到陶瓷主体的边缘部的方法。然而，该方法会明显难以单独地将陶瓷浆料印刷在陶瓷生片中的边缘部(非内电极形成部)上。此外，采用负片印刷法将单独的陶瓷材料添加到边缘部的方法不具有高的精度，因此在对陶瓷生片进行堆叠后而存在其对齐缺陷时，会无法充分地减小台阶部。
技术实现思路
本公开的一方面可提供一种通过减小高电容多层陶瓷电子组件的组件中的台阶部而改善耐受电压特性的多层陶瓷电子组件及其制造方法。根据本公开的一方面，一种多层陶瓷电子组件可包括：陶瓷主体，包括有源区和保护层，所述有源区用于形成电容并通过交替地堆叠介电层和第一内电极及第二内电极而形成，所述保护层设置在所述有源区的上表面和下表面中的至少一个表面上；第一外电极和第二外电极，分别电连接到所述第一内电极和第二内电极，并形成在所述陶瓷主体的各个端上，其中，在以下项的至少一项中设置台阶部吸收层：陶瓷主体的在长度方向上的两个端部和陶瓷主体的在宽度方向上的两个端部，且设置在其中设置有所述台阶部吸收层的区域的侧部中的介电层的总厚度大于设置在另一区域中的介电层的厚度。根据本公开的另一方面，一种多层陶瓷电子组件可包括：陶瓷主体，包括有源区和保护层，所述有源区用于形成电容并通过交替地堆叠的介电层和第一内电极及第二内电极而形成，所述保护层设置在所述有源区的上表面和下表面中的至少一个上；第一外电极和第二外电极，分别电连接到所述第一内电极和第二内电极，并形成在所述陶瓷主体的各个端上，其中，至少一个间隙部设置在两个端部中，且与所述间隙部相邻的两个内电极之间的距离大于两个其他内电极之间的距离。根据本公开的另一方面，一种多层陶瓷电子组件可包括：陶瓷主体，包括有源区和保护层，所述有源区用于形成电容并通过交替地堆叠的介电层和第一内电极及第二内电极而形成，所述保护层设置在所述有源区的上表面和下表面中的至少一个表面上；第一外电极和第二外电极，分别电连接到所述第一内电极和第二内电极，并形成在所述陶瓷主体的各个端上，其中，至少一个间隙部设置在有源区的两个端部中，且与所述间隙部相邻的两个内电极在内电极的堆叠方向上沿着远离间隙部的方向弯曲。根据本公开的另一方面，一种制造多层陶瓷电子组件的方法可包括：制备第一陶瓷生片和第二陶瓷生片；使用导电金属膏在所述第一陶瓷生片上形成内电极图案；在以下项中的至少一项上形成陶瓷构件以形成台阶部吸收层：所述第二陶瓷生片在长度方向上的两个端部和所述第二陶瓷生片在宽度方向上的两个端部；堆叠两个或更多个所述第一陶瓷生片并在其上堆叠所述第二陶瓷生片以形成包括介电层和第一内电极及第二内电极的陶瓷主体；形成分别电连接到所述第一内电极和所述第二内电极的第一外电极和第二外电极，其中，所述陶瓷主体包括用于形成电容的有源区和设置在所述有源区的上表面和下表面中的至少一个表面上的保护层，且所述有源区通过使堆叠两个或更多个第一陶瓷生片并在其上堆叠第二陶瓷生片的步骤重复而形成。根据本公开的另一方面，一种多层陶瓷电子组件可包括：陶瓷主体，包括：多个第一内电极和多个第二内电极交替地设置在介电层之间；台阶部吸收层，设置在边缘区域中，所述边缘区域沿着陶瓷主体的侧表面延伸并面对陶瓷主体的侧表面；第一外电极和第二外电极，分别电连接到所述多个第一内电极和所述多个第二内电极，并位于所述陶瓷主体上，其中，台阶部吸收层设置在所述多个第一内电极中的一个之上并设置在所述多个第二内电极中的一个之下，所述第一内电极位于所述陶瓷主体的一端上，所述多个第二内电极位于所述陶瓷主体的相对的端上。根据本公开的另一方面，一种制造多层陶瓷电子组件的方法可包括：在第一陶瓷生片上形成内电极图案，所述第一陶瓷生片通过边缘区域与第一陶瓷生片的一个或更多个侧边分开；在与第一陶瓷生片的边缘区域对应的区域中，于第二陶瓷生片上形成陶瓷构件；将所述第二陶瓷生片中的一个堆叠在多个所述第一陶瓷生片上。附图说明通过下面结合附图进行的详细描述，将更加清楚地理解本公开的以上和其它方面、特征和优点，在附图中：图1是示意性地示出根据本公开的示例性实施例的多层陶瓷电容器的透视图；图2是为了示出本公开的示例性实施例而沿着图1的A-A′线截取的剖视图；图3是图2的P部分的放大图；图4是为了示出本公开的示例性实施例而沿着图1的B-B′线截取的剖视图；图5是为了示出本公开的另一示例性实施例而沿着图1的A-A′线截取的剖视图；图6是示出根据本公开的示例性实施例的多层陶瓷电容器的堆叠结构的截面图；图7A至图7E是示出根据本公开的另一示例性实施例的制造多层陶瓷电容器的方法的工艺图；图8A至图8E是示出根据本公开的另一示例性实施例的制造多层陶瓷电容器的方法的工艺图；图9A至图9E是示出根据本公开的另一示例性实施例的制造多层陶瓷电容器的方法的工艺图。具体实施方式在下文中，将参照附图如下描述本专利技术构思的实施例。然而，本专利技术构思可按照多种不同的形式来举例说明，并且不应该被解释为局限于在此阐述的特定实施例。更确切地说，提供这些实施例，以使本公开将是彻底的和完整的，并将本公开的范围充分地传达给本领域的技术人员。在整个说明书中，将理解的是，当诸如层、区域或晶圆(基板)的元件被称为“位于”另一元件“上”、“连接到”或者“结合到”另一元件时，所述元件可直接“位于”另一元件“上”、直接“连接到”或者直接“结合到”另一元件，或者可存在介于它们之间的其它元件。相比之下，当元件被称为“直接位于”另一元件“上”、“直接连接到”或者“直接结合到”另本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多层陶瓷电子组件，包括：陶瓷主体，包括有源区和保护层，所述有源区用于形成电容且具有交替地堆叠的介电层以及第一内电极和第二内电极，所述保护层位于所述有源区的上表面和下表面中的至少一个表面上；第一外电极和第二外电极，分别电连接到所述第一内电极和第二内电极，并位于所述陶瓷主体的各个端上；台阶部吸收层，设置在以下项的至少一项中：陶瓷主体的在长度方向上的两个端部和陶瓷主体的在宽度方向上的两个端部；其中，设置在与所述台阶部吸收层的平面相同的平面上的相邻的介电层的总厚度大于设置在另一区域中的介电层的厚度。

【技术特征摘要】
2015.11.27 KR 10-2015-01674901.一种多层陶瓷电子组件，包括：陶瓷主体，包括有源区和保护层，所述有源区用于形成电容且具有交替地堆叠的介电层以及第一内电极和第二内电极，所述保护层位于所述有源区的上表面和下表面中的至少一个表面上；第一外电极和第二外电极，分别电连接到所述第一内电极和第二内电极，并位于所述陶瓷主体的各个端上；台阶部吸收层，设置在以下项的至少一项中：陶瓷主体的在长度方向上的两个端部和陶瓷主体的在宽度方向上的两个端部；其中，设置在与所述台阶部吸收层的平面相同的平面上的相邻的介电层的总厚度大于设置在另一区域中的介电层的厚度。2.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，设置在与所述台阶部吸收层的平面相同的平面上的介电层中的电介质晶粒的数量多于设置在另一区域中的介电层中的电介质晶粒的数量。3.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述台阶部吸收层的厚度为交替地堆叠的介电层中的一个介电层的厚度的10倍至20倍。4.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述台阶部吸收层设置在与有源区的在所述陶瓷主体的宽度方向上的边缘部对应的区域中。5.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述台阶部吸收层设置在与有源区的在所述陶瓷主体的长度方向上的边缘部对应的区域中。6.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，第一内电极和第二内电极中的与台阶部吸收层相邻的两个内电极的端部在第一内电极和第二内电极的堆叠方向上沿着远离所述相邻的台阶部吸收层的方向弯曲。7.如权利要求6所述的多层陶瓷电子组件，其中，基于所述介电层的堆叠表面，第一内电极和第二内电极的端部的弯曲角度大于3度且小于15度。8.一种多层陶瓷电子组件，包括：陶瓷主体，包括有源区和保护层，所述有源区用于形成电容并具有交替地堆叠的介电层和内电极，所述保护层位于所述有源区的上表面和下表面中的至少一个表面上；外电极，电连接到各个内电极，并位于所述陶瓷主体的各个端上；至少一个间隙部，设置在陶瓷主体的有源区的两个端部中；其中，与所述间隙部相邻的两个内电极之间的距离大于两个其他内电极之间的距离。9.如权利要求8所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述间隙部的厚度为所述交替地堆叠的介电层中的一个介电层的厚度的10倍至20倍。10.如权利要求8所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述间隙部设置在与有源区的在所述陶瓷主体的宽度方向上的边缘部对应的区域中。11.如权利要求8所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述间隙部设置在与有源区的在所述陶瓷主体的长度方向上的边缘部对应的区域中。12.如权利要求8所述的多层陶瓷电子组件，其中，与所述间隙部相邻的两个内电极的端部在所述内电极的堆叠方向上沿着远离所述相邻的间隙部的方向弯曲。13.如权利要求12所述的多层陶瓷电子组件，其中，基于所述介电层的堆叠表面，与所述间隙部相邻的两个内电极的端部的弯曲角度大于3度且小于15度。14.如权利要求8所述的多层陶瓷电子组件，其中，设置在与所述间隙部的平面相同的平面上的介电层中的电介质晶粒的数量多于设置在另一区域中的介电层中的电介质晶粒的数量。15.一种多层陶瓷电子组件，包括：陶瓷主体，包括有源区和保护层，所述有源区用于形成电容并具有交替地堆叠的介电层和内电极，所述保护层位于所述有源区的上表面和下表面中的至少一个表面上；外电极，电连接到各个内电极，并位于所述陶瓷主体的各个端上；至少一个间隙部，设置在陶瓷主体的有源区的两个端部中；其中，与所述间隙部相邻的两个内电极在所述内电极的堆叠方向上沿着远离所述间隙部的方向弯曲。16.如权利要求15所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述间隙部的厚度为所述交替地堆叠的介电层中的一个的厚度的10倍至20倍。17.如权利要求15所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述间隙部设置在与有源区的在所述陶瓷主体的宽度方向上的边缘部对应的区域中。18.如权利要求15所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述间隙部设置在与有源区的在所述陶瓷主体的长度方向上的边缘部对应的区域中。19.如权利要求15所述的多层陶瓷电子组件，其中，基于所述介电层的堆叠表面，与所述间隙部相邻的两个内电极的端部的弯曲角度大于3度且小于15度。20.如权利要求15所述的多层陶瓷电子组件，其中，设置在与所述间隙部的平面相同的平面上的介电层中的电介质晶粒的数量多于设置在另一区域中的介电层中的电介质晶粒的数量。21.如权利要求15所述的多层陶瓷电子组件，其中，与所述间隙部相邻的两个内电极之间的距离大于两个其他内电极之间的距离。22.一种制造多层陶瓷电子组件的方法，所述方法包括：制备第一陶瓷生片和第二陶瓷生片；使用导电金属膏在所述第一陶瓷生片上形成内电极图案；在以下项中的至少一项上形成陶瓷构件以形成台阶部吸收层：所述第二陶瓷生片在长度方向上的两个端部和所述第二陶瓷生片在宽度方向上的两个端部；通过堆叠...

【专利技术属性】
技术研发人员：李承澔，崔才烈，洪奇杓，吴范奭，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR