电子部件以及电子部件的制造方法技术
Electronic component and method for manufacturing electronic component
Electronic component having a thin film resistance element having a desired resistance value. Thin film resistor (10) connected with electrodes (11, 12) concentration of connecting side interface Ni than the concentration of the opposite side of the interface is high, therefore, can make the thin film resistor (10) connected with electrodes (11, 12) connected side interface connection and connection electrodes (11, 12 close to their work). Therefore, it is possible to prevent the contact resistance of the resistance film (10) and the connecting interface of the connecting electrode (11, 12) to be different due to the difference of the work energy. Thus, it is possible to provide an electronic component (100) having a thin film resistor element (R1) having a desired resistance value of the resistance film (10).
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具备薄膜电阻元件的电子部件及其制造方法。
技术介绍
以往，提供了具备薄膜电阻元件的各种电子部件(例如参照专利文献1)。例如，图3所示的以往的电子部件500所具备的薄膜电阻元件具备：形成在绝缘层501上，以Ni、Cr、Si为主成分的多个电阻薄膜502；以及形成在电阻薄膜上，以Ni为主成分的连接电极503。并且，利用形成在连接电极503上的Au/Pd外部电极504使薄膜电阻元件外部连接。专利文献1：日本特开2001－318014号公报(第0005段，图2等)如图3所示，电阻薄膜502与外部电极504经由连接电极503连接，由此，在薄膜电阻元件(电阻薄膜502)与外部电极504之间电阻值增大的情况得以抑制，因此，在外部电极504间中测定的薄膜电阻元件的电阻值的偏差减小。但是，如果形成电阻薄膜502而具有比较大的电阻值，则担心电阻薄膜502与连接电极503之间的接触电阻增大。在该情况下，无法形成具有所希望的电阻值的薄膜电阻元件。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述的课题而完成的，其目的在于提供一种具备具有所希望的电阻值的薄膜电阻元件的电子部件及其制造方法。为了...
【技术保护点】
一种电子部件，其特征在于，所述电子部件具备薄膜电阻元件，该薄膜电阻元件具有电阻薄膜和连接电极，所述电阻薄膜以Ni、Cr、Si为主成分，所述连接电极形成在所述电阻薄膜上，与该电阻薄膜电连接，并且以Ni为主成分，所述电阻薄膜的与所述连接电极连接的连接界面侧的所述Ni的浓度比所述界面的相反侧的所述Ni的浓度高。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.08.18 JP 2014-1658011.一种电子部件，其特征在于，所述电子部件具备薄膜电阻元件，该薄膜电阻元件具有电阻薄膜和连接电极，所述电阻薄膜以Ni、Cr、Si为主成分，所述连接电极形成在所述电阻薄膜上，与该电阻薄膜电连接，并且以Ni为主成分，所述电阻薄膜的与所述连接电极连接的连接界面侧的所述Ni的浓度比所述界面的相反侧的所述Ni的浓度高。2.根据权利要求1所述的电子部件，其特征在于，所述电阻薄膜包含50重量％以上90重量％以下的Si。3.根据权利要求1或2所述的电子部件，其特征在于，所述电阻薄膜的电阻率为10－5Ωm以上10－1Ωm以下。4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子部件，其特征在于，所述电子部件具备：第1外部电极～第4外部...
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