提供具备具有所希望的电阻值的薄膜电阻元件的电子部件。电阻薄膜(10)的与连接电极(11、12)连接的连接界面侧的Ni的浓度比该界面的相反侧的该浓度高，因此，能够使电阻薄膜(10)的与连接电极(11、12)连接的连接界面侧以及连接电极(11、12)各自的逸出功接近。因此，能够防止在电阻薄膜(10)以及连接电极(11、12)的连接界面因逸出功的差异而产生的接触电阻增大。因而，能够提供具备具有电阻薄膜(10)的设计上的所希望的电阻值的薄膜电阻元件(R1)的电子部件(100)。
Electronic component and method for manufacturing electronic component
Electronic component having a thin film resistance element having a desired resistance value. Thin film resistor (10) connected with electrodes (11, 12) concentration of connecting side interface Ni than the concentration of the opposite side of the interface is high, therefore, can make the thin film resistor (10) connected with electrodes (11, 12) connected side interface connection and connection electrodes (11, 12 close to their work). Therefore, it is possible to prevent the contact resistance of the resistance film (10) and the connecting interface of the connecting electrode (11, 12) to be different due to the difference of the work energy. Thus, it is possible to provide an electronic component (100) having a thin film resistor element (R1) having a desired resistance value of the resistance film (10).
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具备薄膜电阻元件的电子部件及其制造方法。
技术介绍
以往，提供了具备薄膜电阻元件的各种电子部件(例如参照专利文献1)。例如，图3所示的以往的电子部件500所具备的薄膜电阻元件具备：形成在绝缘层501上，以Ni、Cr、Si为主成分的多个电阻薄膜502；以及形成在电阻薄膜上，以Ni为主成分的连接电极503。并且，利用形成在连接电极503上的Au/Pd外部电极504使薄膜电阻元件外部连接。专利文献1：日本特开2001－318014号公报(第0005段，图2等)如图3所示，电阻薄膜502与外部电极504经由连接电极503连接，由此，在薄膜电阻元件(电阻薄膜502)与外部电极504之间电阻值增大的情况得以抑制，因此，在外部电极504间中测定的薄膜电阻元件的电阻值的偏差减小。但是，如果形成电阻薄膜502而具有比较大的电阻值，则担心电阻薄膜502与连接电极503之间的接触电阻增大。在该情况下，无法形成具有所希望的电阻值的薄膜电阻元件。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述的课题而完成的，其目的在于提供一种具备具有所希望的电阻值的薄膜电阻元件的电子部件及其制造方法。为了实现上述的目的，本专利技术的电子部件，其目的在于，上述电子部件具备薄膜电阻元件，该薄膜电阻元件具有以Ni、Cr、Si为主成分的电阻薄膜、以及形成在上述电阻薄膜上、与该电阻薄膜电连接且以Ni为主成分的连接电极，上述电阻薄膜的与上述连接电极连接的连接界面侧的上述Ni的浓度比上述界面的相反侧的上述Ni的浓度高。在如此构成的专利技术中，电阻薄膜的与连接电极连接的连接界面侧的Ni的浓度比该界面的相反侧的Ni的浓度高，因此，能够使电阻薄膜的与连接电极连接的连接界面侧以及连接电极各自的逸出功接近。因此，能够防止在电阻薄膜以及连接电极的连接界面因逸出功的差异而产生的接触电阻增大。因而，能够提供具备具有电阻薄膜的设计上的所希望的电阻值的薄膜电阻元件的电子部件。此外，也可以构成为，上述电阻薄膜包含50重量％以上、90重量％以下的Si。如此一来，电阻薄膜中的Si的含有量越多，则电阻薄膜的电阻率越增加，能够形成高电阻值的薄膜电阻元件。此外，能够防止在电阻薄膜与连接电极的连接界面处接触电阻增大，通过将电阻薄膜的电阻值设定为预定的高电阻值，能够形成高精度地具备预定的高电阻值的薄膜电阻元件。此外，也可以构成为，上述电阻薄膜的电阻率为10－5Ωm以上、10－1Ωm以下。据此，能够提供具备具有实用的电阻值的薄膜电阻元件的电子部件。此外，也可以构成为，上述电子部件具备：第1外部电极～第4外部电极；可变容量型的薄膜电容器元件，其被串联连接在上述第1外部电极与上述第2外部电极间；第1上述薄膜电阻元件，其一端与上述第3外部电极连接；以及第2上述薄膜电阻元件，其一端与上述第4外部电极连接，上述第1薄膜电阻元件与上述第2薄膜电阻元件各自的另一端与上述薄膜电容器元件两端分别连接，以便在上述第1薄膜电阻元件的另一端与上述第2薄膜电阻元件的另一端间插入上述薄膜电容器元件。当如此构成时，能够提供具备将第1外部电极、第2外部电极作为输入输出端子的可变容量型的薄膜电容器元件的电子部件。即，对第3外部电极、第4外部电极间的电压进行调整而对经由第1、第2薄膜电阻元件施加于薄膜电容器元件的两端的电压进行任意调整，由此能够对薄膜电容器元件的容量进行调整。此外，本专利技术的电子部件的制造方法，其特征在于，上述电子部件具备薄膜电阻元件，该薄膜电阻元件具有以Ni、Cr、Si为主成分的电阻薄膜、以及形成在上述电阻薄膜上、与该电阻薄膜电连接且以Ni为主成分的连接电极，使用一个蒸发源使由以Ni、Cr、Si为主成分的混合物构成的蒸镀材料蒸发或者升华并蒸镀于树脂层上，从而形成上述电阻薄膜。在如此构成的专利技术中，通过使用一个蒸发源使与以Ni、Cr、Si为主成分的混合物构成的蒸镀材料蒸发或者升华进行电阻薄膜的成膜，随之蒸发温度最高的Ni的浓度增大。因此，随着电阻薄膜的成膜进行，所成膜的膜中的Ni的浓度逐渐增大。因此，能够在树脂层上简单地形成朝向形成连接电极的表层侧Ni的浓度逐渐增大的电阻薄膜。因而，能够简单地制造具备具有电阻薄膜的设计上的所希望的电阻值的薄膜电阻元件的电子部件。根据本专利技术，使电阻薄膜的与连接电极连接的连接界面侧以及连接电极各自的逸出功接近，防止电阻薄膜以及连接电极的连接界面处的接触电阻增大，由此能够提供具备具有电阻薄膜的设计上的所希望的电阻值的薄膜电阻元件的电子部件。此外，通过使用一个蒸发源使由形成电阻薄膜的全部的材料的混合物构成的蒸镀材料蒸发或者升华而形成电阻薄膜，由此能够简单地制造具备具有电阻薄膜的设计上的所希望的电阻值的薄膜电阻元件的电子部件。附图说明图1是本专利技术的一实施方式所涉及的电子部件的截面图。图2是示出图1的电子部件的等效电路的图。图3是示出以往的电子部件的图。具体实施方式参照图1以及图2对本专利技术的一实施方式进行说明。图1是本专利技术的一实施方式所涉及的电子部件的截面图，图2是示出图1的电子部件的等效电路的图。另外，在图1中，为了便于说明而省略了薄膜电阻元件R2、第3、第4外部电极21、22、引出电极17、18的图示。(结构)对电子部件100的概要结构进行说明。电子部件100具备：设置在玻璃基板、陶瓷基板、树脂基板、Si基板等的绝缘基板1上的1个可变容量型的薄膜电容器元件C；以及第1、第2薄膜电阻元件R1、R2(相当于本专利技术的“薄膜电阻元件”)。薄膜电容器元件C由在绝缘基板1的一面上的预定区域通过Pt薄膜而形成的电容器电极层2、(Ba、Sr)TiO3(以下称作“BST”)电介质层3、在BST电介质层3上通过Pt薄膜而形成的电容器电极层4形成。此外，薄膜电容器元件C通过由SiO2耐湿保护膜形成的保护层5覆盖，在保护层5上层叠树脂层6。此外，在树脂层6的上表面形成有经由形成于保护层5以及树脂层6的通孔与薄膜电容器元件C的上侧的电容器电极层4连接的Cu/Ti引出电极7、以及与薄膜电容器元件C的下侧的电容器电极层2连接的Cu/Ti引出电极8。此外，覆盖引出电极7、8的树脂层9层叠于树脂层6。第1薄膜电阻元件R1由形成于树脂层9的一面上的预定区域且以Ni、Cr、Si为主成分的电阻薄膜10、以及形成在电阻薄膜10上且与该电阻薄膜10电连接的连接电极11、12形成。连接电极11、12由以Ni为主成分且包含Cr的薄膜形成。在该实施方式中，电阻薄膜10的Ni、Cr、Si的混合比按照重量比被调整为1：2：7。也就是说，电阻薄膜10整体的平均组成比(重量比)被调整为Ni：Cr：Si＝1：2：7。连接电极11、12的Ni、Cr的混合比按照重量比被调整为8：2。此外，在该实施方式中，形成电阻薄膜10以使得电阻薄膜10中Ni的浓度从与树脂层9密接的下表面侧朝形成连接电极11、12的上表面侧逐渐变高。因而，在电阻薄膜10的厚度方向赋予Ni浓度梯度，电阻薄膜10中的与以Ni为主成分的连接电极11、12连接的连接界面侧的Ni的浓度比该界面的相反侧的Ni的浓度高。另外，利用连接电极11形成第1薄膜电阻元件R1的一端，利用连接电极12形成第1薄膜电阻元件R1的另一端。第2薄膜电阻元件R2也与第1薄膜电阻元件R1同样地形成在树脂层9上。另外，本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电子部件，其特征在于，所述电子部件具备薄膜电阻元件，该薄膜电阻元件具有电阻薄膜和连接电极，所述电阻薄膜以Ni、Cr、Si为主成分，所述连接电极形成在所述电阻薄膜上，与该电阻薄膜电连接，并且以Ni为主成分，所述电阻薄膜的与所述连接电极连接的连接界面侧的所述Ni的浓度比所述界面的相反侧的所述Ni的浓度高。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.08.18 JP 2014-1658011.一种电子部件，其特征在于，所述电子部件具备薄膜电阻元件，该薄膜电阻元件具有电阻薄膜和连接电极，所述电阻薄膜以Ni、Cr、Si为主成分，所述连接电极形成在所述电阻薄膜上，与该电阻薄膜电连接，并且以Ni为主成分，所述电阻薄膜的与所述连接电极连接的连接界面侧的所述Ni的浓度比所述界面的相反侧的所述Ni的浓度高。2.根据权利要求1所述的电子部件，其特征在于，所述电阻薄膜包含50重量％以上90重量％以下的Si。3.根据权利要求1或2所述的电子部件，其特征在于，所述电阻薄膜的电阻率为10－5Ωm以上10－1Ωm以下。4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子部件，其特征在于，所述电子部件具备：第1外部电极～第4外部...
【专利技术属性】
技术研发人员：芦峰智行，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。