六端网络型千瓦级射频功率电阻器制造技术

本实用新型专利技术提出了一种六端网络型千瓦级射频功率电阻器，包括法兰盘和基体，还包括A面电极、B面电极及侧面电极，所述A面电极在基体的上表面，B面电极在基体的下表面，侧面电极在基体的侧面并连接A面电极和B面电极，电阻体位于A面电极之上并且保证与A面电极搭接端稳定搭接；还包括覆盖在电阻体上起保护作用的介质保护层；金属引线采用焊接工艺焊接于A面电极之上；封装盖板采用高温粘接剂粘接在基体上表面。本实用新型专利技术的优点在于：采用分级降额原理，使三个基体分别承受一定的功率，避免了功率集中在单一基体上而产生热聚集现象，使整个电阻器承受功率的能力大大增加。降低了电阻器整体分布参数，从而使得电阻器的频率特性得到提高。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电阻器领域，特别是指一种六端网络型千瓦级射频功率电阻器。
技术介绍
普通射频功率电阻器制造,包含法兰盘、基体、位于基体下表面的B面导电膜层、位于基体上表面的A面电极膜层、位于基体上表面并与A面电极膜层相搭接的电阻膜层、位于基体上表面并覆盖整个电阻体起保护作用的的玻璃介质膜层，以及位于整个电阻器最表层起保护电阻器完整性的陶瓷盖板。传统射频功率电阻器采用单一基体承载电阻体来吸收功率,吸收的功率以热能的形势通过基体和法兰盘散发出去。随着现代广播通信技术对射频功率电阻器功率要求的增大，电阻体需要越来越大的面积来吸收功率，但是当功率达到千瓦级别时，单纯的增加电阻体的面积并不能解决散热的问题，热量会在基体中央集中产生热聚集现象，从而使电阻体中央温度急剧上升导致热击穿致使电阻器失效。并且如果单一基体的射频功率电阻器要达到能够吸收千瓦级功率的能力同时造成热聚集现象，那么需要基体和电阻体的面积都要非常大，电阻体面积过大会带入过大的寄生参数，而基体面积过大会因受热不均而产生形变。
技术实现思路
本技术提出一种六端网络型千瓦级射频功率电阻器，能够使得射频功率电阻的功率承受突破千瓦级别而不会因电阻器过热产生热击穿；使得千瓦级射频功率电阻器频率特性达到1GHz(VSWR≤1.2)。本技术的技术方案是这样实现的：一种六端网络型千瓦级射频功率电阻器，包括法兰盘和基体，电阻器系统是由一级衰减系统、二级衰减系统和负载系统三个系统组成；其中一级衰减系统和二级衰减系统采用π形衰减结构，均包括三个基体和各自的A面电极、B面电极及侧面电极；所述A面电极在基体的上表面，一级衰减系统和二级衰减系统的A面电极为衰减电极，负载系统的为负载电极，所述衰减电极由两部分呈中心对称的电极组成，所述负载电极为反“匚”形结构；所述B面电极在基体的下表面，侧面电极在基体的侧面并连接A面电极和B面电极；所述衰减系统中每组侧面电极包含左右两个,所述负载系统中侧面电极仅有一个；电阻体位于A面电极之上并且与A面电极各搭接端稳定搭接,还包括覆盖在各电阻体上起保护作用的介质保护层；金属引线采用焊接工艺焊接于A面电极之上；封装盖板采用高温粘接剂粘接在基体上表面；所述介质保护层、金属引线及封装盖板均为三个，且均一一对应设置。作为优选，所述B面电极采用丝网漏印工艺印在基体的下表面。作为优选，所述法兰盘为紫铜材料，并在表面镀上便于焊接的银层。与现有技术相比，本技术的优点在于：采用分级降额原理，使三个基体分别承受一定的功率，避免了功率集中在单一基体上而产生热集中现象，使整个电阻器承受功率的能力大大增加。降低了电阻器整体分布参数，从而使得电阻器的频率特性得到提高。一级衰减和二级衰减的衰减分贝呈阶梯状上升，功率分配也是呈阶梯状，并不是采用等分贝平均分配功率，避免了一级衰减在瞬间超大功率通过时承受过大的功率导致电阻器被瞬间烧坏，这样就大大增加了电阻器的可靠性。填补了广播通信领域千瓦级高频功率电阻器的空白。附图说明图1为本技术的整体结构示意图；图2为本技术的基体及电极部分结构示意图；图3为本技术电阻体部分的结构示意图。图中：1、法兰盘；2、基体；3、B面电极；4、侧面电极；5、A面电极；6、电阻体；7、介质保护层；8、金属引线；9、封装盖板。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例：参见图1、图2和图3，一种六端网络型千瓦级射频功率电阻器，包括法兰盘1和基体2，电阻器系统是由一级衰减系统、二级衰减系统和负载系统三个系统组成；其中一级衰减系统和二级衰减系统采用π形衰减结构，均包括三个基体2和各自的A面电极5、B面电极3及侧面电极4；所述A面电极5在基体2的上表面，一级衰减系统和二级衰减系统的A面电极5为衰减电极，负载系统的为负载电极，所述衰减电极由两部分呈中心对称的电极组成，所述负载电极为反“匚”形结构；所述B面电极3在基体2的下表面，侧面电极4在基体2的侧面并连接A面电极5和B面电极3；所述衰减系统中每组侧面电极4包含左右两个,所述负载系统中侧面电极4仅有一个；电阻体6位于A面电极5之上并且与A面电极5各搭接端稳定搭接,还包括覆盖在各电阻体6上起保护作用的介质保护层7；金属引线8采用焊接工艺焊接于A面电极5之上；封装盖板9采用高温粘接剂粘接在基体2上表面；所述介质保护层7、金属引线8及封装盖板9均为三个，且均一一对应设置。作为优选，所述B面电极3采用丝网漏印工艺印在基体2的下表面。作为优选，所述法兰盘1为紫铜材料，并在表面镀上便于焊接的银层。如图所示，本技术包括了法兰盘1，基体2(包含三个基体21、22、23)，B面电极3(包含三个B面电极31、32、33)，侧面电极4(包含3组侧面电极41、42、43)，A面电极5(包含三个A面电极51、52、53)，电阻体6(包含五组电阻体,61、62、63、64为π型衰减结构电阻体，65为负载电阻体6)，介质保护层7(包含三个介质保护层71、72、73)，金属引线8(包含三个金属引线81、82、83)，封装盖板9,(包含三个封装盖板91、92、93)。法兰盘1选用紫铜，并在表面镀上银层便于焊接；基体2采用导热性能良好的氧化铍陶瓷；B面电极3采用丝网漏印工艺印在基体2的下表面并覆盖整个下表面来保证接地性能和散热性能良好，A面电极5在基体2的上表面，侧面电极4在基体2的侧面起连接AB面电极的作用，电阻体6位于A面电极5之上并且与A面电极5各搭接端稳定搭接；介质保护层7覆盖于电阻体6之上保护电阻体6在调阻过程中受到物理伤害并防止其遭到热击穿；金属引线8中的81位采用焊接工艺焊接于A面电极5中的51之上；封装盖板9在基体2上表面，采用高温粘接剂粘接，有效保护电阻器有效零件，保证了电阻器结构的完整和性能的稳定。整个电阻器系统分为三部分组成,分别为一级衰减系统、二级衰减系统和的负载系统，对应的厚膜系统分别承载于基体2中的21、22上和23上，系统之间采用金属引线8中的82、83焊接连接。衰减系统包括了B面电极3中的31、32，侧面电极4中的41、42，A面电极5中的51、52，电阻体6中的61、62、63、64(每个系统包括了两种三个电阻体)和介质保护层7的71、72。负载系统包括B面电极3中的33，侧面电极4中的43，A面电极5中的53，电阻体6中的65和介质保护层7中的73。其中B面电极3位于基体2下表面，A面电极5位于基体2上表面电极之间由侧面电极4连接，电阻体6位于A面电极5上方，搭接于A面电极5的各连接端，最后由介质保护层7覆盖各系统上表面，只留下焊接区域。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种六端网络型千瓦级射频功率电阻器，包括法兰盘（1）和基体（2），其特征在于：电阻器系统是由一级衰减系统、二级衰减系统和负载系统三个系统组成；其中一级衰减系统和二级衰减系统采用π形衰减结构，均包括三个基体（2）和各自的A面电极（5）、B面电极（3）及侧面电极（4）；所述A面电极（5）在基体（2）的上表面，一级衰减系统和二级衰减系统的A面电极（5）为衰减电极，负载系统的为负载电极，所述衰减电极由两部分呈中心对称的电极组成，所述负载电极为反“匚”形结构；所述B面电极（3）在基体（2）的下表面，侧面电极（4）在基体（2）的侧面并连接A面电极（5）和B面电极（3）；所述衰减系统中每组侧面电极（4）包含左右两个,所述负载系统中侧面电极（4）仅有一个；电阻体（6）位于A面电极（5）之上并且与A面电极（5）各搭接端稳定搭接,还包括覆盖在各电阻体（6）上起保护作用的介质保护层（7）；金属引线（8）采用焊接工艺焊接于A面电极（5）之上；封装盖板（9）采用高温粘接剂粘接在基体（2）上表面；所述介质保护层（7）、金属引线（8）及封装盖板（9）均为三个，且均一一对应设置。

【技术特征摘要】
1.一种六端网络型千瓦级射频功率电阻器，包括法兰盘（1）和基体（2），其特征在于：电阻器系统是由一级衰减系统、二级衰减系统和负载系统三个系统组成；其中一级衰减系统和二级衰减系统采用π形衰减结构，均包括三个基体（2）和各自的A面电极（5）、B面电极（3）及侧面电极（4）；所述A面电极（5）在基体（2）的上表面，一级衰减系统和二级衰减系统的A面电极（5）为衰减电极，负载系统的为负载电极，所述衰减电极由两部分呈中心对称的电极组成，所述负载电极为反“匚”形结构；所述B面电极（3）在基体（2）的下表面，侧面电极（4）在基体（2）的侧面并连接A面电极（5）和B面电极（3）；所述衰减系统中每组侧面电极（4）包含左右...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘洋，
申请(专利权)人：成都昊天宏达电子有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51