一种低分贝大功率抗冲击型射频功率衰减器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低分贝大功率抗冲击型射频功率衰减器，包括基体、电阻膜层、金属引线，以及设置在基体上的电极膜，所述电极膜包括A面电极膜层、B面电极膜层和侧面电极膜层，所述A面电极膜层设置在基体的上表面，所述基体的下表面设置有B面电极膜层，所述基体侧面设置有侧面电极膜层，所述电阻膜层包括输入端矩形电阻膜、输出端矩形电阻膜、条形电阻膜，设置于基体上表面并与A面电极膜层搭接端搭接。本实用新型专利技术涉及电阻元件技术领域，解决了传统衰减器不能承受较浪涌功率的缺点，并且提升了单位面积内的功率容量，在保证衰减器频率特性的同时既提高了衰减器额定功率又使得衰减器承受浪涌功率的能力更强，大大增强了衰减器的可靠性。器的可靠性。器的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种低分贝大功率抗冲击型射频功率衰减器


[0001]本技术涉及电阻元件
，具体涉及一种低分贝大功率抗冲击型射频功率衰减器。

技术介绍

[0002]衰减器是一种广泛应用的双通道功率吸收元件，内部结构是由三个电阻组合而成的电路，能在器件和整机中配合后端电路达到预期的功率吸收目标。
[0003]随着高能物理技术的发展，对于功率器件的功率要求是越来越高，随之对其中承担功率吸收作用的吸收负载的功率承受要求也是越来越高。受限于器件内部的线路布局和空间结构，很多零散的剩余空间无法利用，留给功率吸收负载的有效空间并不充足，单一基体的吸收负载并不能满足功率吸收要求。衰减器刚好能够有效地利用器件内部的剩余空间，配合吸收负载达到功率吸收的目的。但是传统衰减器受限于衰减结构排布，对基体的有效面积利用不够，功率吸收能力始终不强，并且不能承受浪涌型输入信号的冲击。所以急需一种功率容量大并且能抗浪涌冲击的衰减器来满足高能物理领域中的功率器件的使用。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种低分贝大功率抗冲击型射频功率衰减器，能够解决传统衰减器功率容量不够的问题和输入信号存在浪涌时容易烧毁的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种低分贝大功率抗冲击型射频功率衰减器，包括基体、电阻膜层、金属引线，以及设置在基体上的电极膜，所述电极膜包括A面电极膜层、B面电极膜层和侧面电极膜层，所述A面电极膜层设置在基体的上表面，所述基体的下表面设置有B面电极膜层，所述基体侧面设置有侧面电极膜层，所述侧面电极膜层连接A面电极膜层和B面电极膜层，所述电阻膜层包括输入端矩形电阻膜、输出端矩形电阻膜、条形电阻膜，所述电阻膜层设置于基体上表面并与A面电极膜层搭接端搭接，所述电阻膜层的表面覆盖有保护膜层，所述基体上表面设置有封装盖板。
[0006]优选的，所述B面电极膜层采用丝网漏印工艺覆盖印于基体的整个下表面，所述A面电极膜层包括设置在基体上表面边沿位置的第一条形电极膜、第二条形电极膜、第三条形电极膜、第四条形电极膜，以及位于基体中心位置的H形电极膜。
[0007]优选的，所述电阻膜层采用丝网漏印工艺印于基体的上表面，所述电阻膜层与A面电极膜层形成有效电气连接。
[0008]优选的，所述金属引线包括第一金属引线、第二金属引线，所述金属引线采用热压焊工艺焊接于A面电极膜层之上，所述封装盖板采用耐高温粘接剂粘接在基体上表面，所述基体采用氧化铍陶瓷。
[0009]优选的，所述第一条形电极膜、第二条形电极膜、第三条形电极膜、第四条形电极膜设置在基体上表面的四周的边缘位置，所述侧面电极膜层与第二条形电极膜、第四条形电极膜形成有效地电气连接。
[0010]优选的，所述输入端矩形电阻膜、输出端矩形电阻膜为两个形状相同大小不一样的竖置矩形膜，所述条形电阻膜为竖置条形膜，所述输入端矩形电阻膜、输出端矩形电阻膜位于H形电极膜两侧，与H形电极膜以及第一条形电极膜、第三条形电极膜形成有效地电气连接，所述条形电阻膜设置于基体中心位置，穿过H形电极膜，且与H形电极膜和第二条形电极膜、第四条形电极膜形成有效地电气连接。
[0011]与现有技术相比，本技术提供了一种低分贝大功率抗冲击型射频功率衰减器，具备以下有益效果：
[0012]本技术采用分散电路布局结构，将衰减结构中所需要的3个电阻通过两种矩形电阻膜以及一种条形电阻膜的形式分布在基体上表面，将热源从集中的一部分转移为分散的三部分，有效地减小了热量堆积，使得衰减器基体各部分温度更均衡，整体散热效果明显提升，耐功率能力明显增大。
[0013]衰减器是由内部的三个电阻组成电阻网络来达成衰减通过功率的目的，三个电阻中两个电阻阻值完全相同，我们称之为2R，剩余的一个电阻我们称之为1R。在低分贝的“T”型衰减结构中，2R的阻值与1R的阻值差异可达10倍以上。如果2R和1R电阻膜的方阻差异远低于其阻值差异的话，将会造成衰减器的衰减精度偏差非常大，对通过功率的衰减波动非常大，严重影响后端电路的正常使用，从而使得器件和整机不能达到既定使用要求。
[0014]本技术通过H形电极膜将形成1R的电阻膜控制为竖置条形膜，形成2R的电阻膜控制为竖置矩形膜，缩小了其阻值差异与方阻差异的差值，使得衰减器的衰减精度偏差达到使用要求。同时，充分利用基体的有效空间，增大了电阻膜的有效面积，耐压耐流能力提升，功率容量的得到增大，衰减器耐功率能力得到提升。
[0015]由于衰减器结构原因，在功率通过时，衰减器内部三个电阻吸收的功率并不相同，靠近输入端电阻吸收的功率高于靠近输出端电阻吸收的功率，并且这种现象随着衰减分贝的增大而加剧。
[0016]本技术采用不对称电阻膜层设计，既保证了两个电阻方阻相同，在生产制造时能一次性印刷完成，又增大了靠近输入端电阻的有效面积，使得抗浪涌能力得到有效增强。
附图说明
[0017]附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制，在附图中：
[0018]图1为本技术的整体结构示意图；
[0019]图2为本技术拆分的内部结构示意图；
[0020]图3为本技术进一步拆分的结构示意图；
[0021]图4为本技术A面电极膜层的结构示意图；
[0022]图5为本技术电阻膜层的结构示意图。
[0023]图中：1、基体；2、B面电极膜层；3、侧面电极膜层；4、A面电极膜层；41、第一条形电极膜；42、第二条形电极膜；43、第三条形电极膜；44、第四条形电极膜；45、H形电极膜；5、电阻膜层；51、输入端矩形电阻膜；52、输出端矩形电阻膜；53、条形电阻膜；6、保护膜层；71、第一金属引线；72、第二金属引线；8、封装盖板。
具体实施方式
[0024]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0025]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”“前端”、“后端”、“两端”、“一端”、“另一端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0026]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体式连接；可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低分贝大功率抗冲击型射频功率衰减器，包括基体(1)、电阻膜层(5)、金属引线，以及设置在基体(1)上的电极膜，其特征在于：所述电极膜包括A面电极膜层(4)、B面电极膜层(2)和侧面电极膜层(3)，所述A面电极膜层(4)设置在基体(1)的上表面，所述基体(1)的下表面设置有B面电极膜层(2)，所述基体(1)侧面设置有侧面电极膜层(3)，所述侧面电极膜层(3)连接A面电极膜层(4)和B面电极膜层(2)，所述电阻膜层(5)包括输入端矩形电阻膜(51)、输出端矩形电阻膜(52)、条形电阻膜(53)，所述电阻膜层(5)设置于基体(1)上表面并与A面电极膜层(4)搭接端搭接，所述电阻膜层(5)的表面覆盖有保护膜层(6)，所述基体(1)上表面设置有封装盖板(8)。2.根据权利要求1所述的一种低分贝大功率抗冲击型射频功率衰减器，其特征在于：所述B面电极膜层(2)采用丝网漏印工艺覆盖印于基体(1)的整个下表面，所述A面电极膜层(4)包括设置在基体(1)上表面边沿位置的第一条形电极膜(41)、第二条形电极膜(42)、第三条形电极膜(43)、第四条形电极膜(44)，以及位于基体(1)中心位置的H形电极膜(45)。3.根据权利要求1所述的一种低分贝大功率抗冲击型射频功率衰减器，其特征在于：所述电阻膜层(5)采用丝网漏印工艺印于基体(1)的上表面，所述电阻膜层(5)与A...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘洋，
申请(专利权)人：成都昊天宏达电子有限公司，
类型：新型
国别省市：