一种耐高脉冲高频射频功率电阻器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种耐高脉冲高频射频功率电阻器，包括基体、电阻膜层、金属引线，以及设置在基体上的电极膜，电极膜包括A面电极膜层、B面电极膜层和侧面电极膜层，A面电极膜层设置在基体的上表面，B面电极膜层设置在基体的下表面，侧面电极膜层设置在基体侧面并连接A面电极膜层和B面电极膜层，电阻膜层与A面电极膜层搭接端搭接，电阻膜层及其与A面电极膜层连接部分的表面覆盖有玻璃釉膜层。本实用新型专利技术涉及电阻元件技术领域，解决了射频功率电阻器不耐高脉冲频率的缺点，使得电阻器在拥有高功率和高频段的性能同时能耐受几千瓦的脉冲功率。采用n型电极和双边接地设计，增加了电阻器耐脉冲能力。分体式电阻设计，确保了两个电阻膜层阻值在生产时能够被精确的测量和控制，且避免了电压击穿。加厚基体避免了输入端和接地端产生飞弧。和接地端产生飞弧。和接地端产生飞弧。

【技术实现步骤摘要】
一种耐高脉冲高频射频功率电阻器


[0001]本技术属于电阻元件领域，具体涉及一种耐高脉冲高频射频功率电阻器。

技术介绍

[0002]随着射频技术的发展，一种新型的脉冲技术因其独特的技术优势逐渐的在成为射频电路设计中的主流技术。但是其高脉冲、高频宽带等特点给射频电路的设计以及配套元器件的设计带来了全新的挑战。现有的射频功率电阻器的大多只能满足高频宽带或耐脉冲功率一项要求，因需满足耐脉冲功率要求电阻膜层体积必须足够大，电阻器整体体积也需加大。而需满足高频宽带却要求电阻器整体体积要尽可能的小，从而得到稳定的阻抗和低分布参数。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种耐高脉冲高频射频功率电阻器，以解决上述背景中提出的现有的射频功率电阻器只能满足高频宽带或耐脉冲功率一项要求的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种耐高脉冲高频射频功率电阻器，包括基体、电阻膜层、金属引线，以及设置在基体上的电极膜，所述电极膜包括A面电极膜层、B面电极膜层和侧面电极膜层，所述A面电极膜层设置在基体的上表面，其包括n形膜、第一条形膜和第二条形膜三部分，所述B面电极膜层设置在基体的下表面，所述侧面电极膜层设置在基体侧面并连接A面电极膜层和B面电极膜层，所述电阻膜层包括第一矩形电阻膜、第二矩形电阻膜，所述第一矩形电阻膜、第二矩形电阻膜设置在n形膜两侧位置，与A面电极膜层搭接端搭接，所述电阻膜层及其与A面电极膜层连接部分的表面覆盖有玻璃釉膜层，所述基体的上表面还设有封装盖板。
[0005]优选的，所述B面电极膜层采用丝网漏印工艺印在基体的整个下表面，所述侧面电极膜层包括设置在基体左右侧面的两部分，与第一条形膜、第二条形膜形成有效的电气连接。
[0006]优选的，所述金属引线采用热压焊工艺焊接于n形膜之上，所述封装盖板采用耐高温粘接剂粘接在基体上表面，所述基体采用加厚氧化铍陶瓷。
[0007]优选的，所述第一条形膜和第二条形膜设置在基体上表面的两侧边沿位置，所述n形膜设置在第一条形膜和第二条形膜的中间位置，位于基体的中心。
[0008]优选的，所述第一矩形电阻膜、第二矩形电阻膜设置在n形膜两侧位置，位于A面电极膜层之上，与n形膜、第一条形膜、第二条形膜的搭接端搭接，并形成有效地电气连接。
[0009]与现有技术相比，本技术提供了一种耐高脉冲高频射频功率电阻器，具备以下有益效果：
[0010]1、加厚的陶瓷基体保证了电阻器有足够的爬电距离，避免高脉冲信号通过输入端时与接地面产生飞弧，造成电阻器被电压击穿而失效。同时，加厚的陶瓷基体能保证其承载的电极膜层和电阻膜层在体积较大的情况下能有足够的阻抗，避免了阻抗偏小带来的频率
偏移，保证了电阻器的高频高带宽特性。
[0011]2、采用n型电极设计配合双路分流结构，将输入的大电流未到达电阻膜层前就进行分流，分为两路通过，避免了电流过大而造成电阻膜层烧毁的问题。因双路分流的难点在于如何将电流平均分配，两次的电阻膜层阻值差异会导致电流不均匀分配，从而增加电流密度大的一侧的烧毁风险。分体式的电阻膜层设计使得两次的电阻值能够被有效的测量从而加以控制。同时足够的电阻膜层长度又能分散脉冲信号的高电压，使得单位长度内的电压值被限制在电阻膜层的额定工作电压内。
[0012]3、使用玻璃釉浆料覆盖整个电阻膜层及其与电极膜层连接部分。玻璃釉浆料中的玻璃能覆盖并填充电阻膜层的孔隙以及n形电极的空隙，玻璃隔绝了电阻膜层，避免电阻在发热情况下与空气反应造成失效，同时也玻璃的绝缘特性也避免了n型电极两脚之间非预期飞弧。
附图说明
[0013]附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制，在附图中：
[0014]图1为本技术的整体结构示意图；
[0015]图2为本技术拆分的内部结构示意图；
[0016]图3为本技术进一步拆分的结构示意图；
[0017]图4为本技术基体及A面电极膜层的结构示意图。
[0018]图中：1、基体；2、B面电极膜层；3、侧面电极膜层；4、A面电极膜层；41、n形膜；42、第一条形膜；43、第二条形膜；5、电阻膜层；51、第一矩形电阻膜；52、第二矩形电阻膜；6、玻璃釉膜层；7、金属引线；8、封装盖板；
具体实施方式
[0019]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0020]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”、“两端”、“一端”、“另一端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0021]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体式连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0022]请参阅图1
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4，本技术提供一种技术方案：
[0023]一种耐高脉冲高频射频功率电阻器，包括基体1、电阻膜层5、金属引线7，以及设置在基体上的电极膜，电极膜包括A面电极膜层4、B面电极膜层2和侧面电极膜层3，A面电极膜层4设置在基体1的上表面，其包括n形膜41、第一条形膜42和第二条形膜43三部分，B面电极膜层2设置在基体1的下表面，侧面电极膜层3设置在基体1侧面并连接A面电极膜层4和B面电极膜层2，电阻膜层5包括第一矩形电阻膜51、第二矩形电阻膜52，第一矩形电阻膜51、第二矩形电阻膜52设置在n形膜41两侧位置，与A面电极膜层4搭接端搭接，电阻膜层5及其与A面电极膜层4连接部分的表面覆盖有玻璃釉膜层6，所述基体1的上表面还设有封装盖板8。
[0024]具体的，B面电极膜层2采用丝网漏印工艺印在基体1的整个下表面，侧面电极膜层3包括设置在基体1左右侧面的两部分，与第一条形膜42、第二条形膜43形成有效的电气连接。
[0025]具体的，金属引线7采用热压焊工艺焊接于n形膜41之上，封装盖板8采用耐高温粘接剂粘接在基体1上表面，所述基体1采用加厚氧化铍陶瓷。
[0026]具体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种耐高脉冲高频射频功率电阻器，包括基体(1)、电阻膜层(5)、金属引线(7)，以及设置在基体上的电极膜，其特征在于：所述电极膜包括A面电极膜层(4)、B面电极膜层(2)和侧面电极膜层(3)，所述A面电极膜层(4)设置在基体(1)的上表面，其包括n形膜(41)、第一条形膜(42)和第二条形膜(43)三部分，所述B面电极膜层(2)设置在基体(1)的下表面，所述侧面电极膜层(3)设置在基体(1)侧面并连接A面电极膜层(4)和B面电极膜层(2)，所述电阻膜层(5)包括第一矩形电阻膜(51)、第二矩形电阻膜(52)，所述第一矩形电阻膜(51)、第二矩形电阻膜(52)设置在n形膜(41)两侧位置，与A面电极膜层(4)搭接端搭接，所述电阻膜层(5)及其与A面电极膜层(4)连接部分的表面覆盖有玻璃釉膜层(6)，所述基体(1)的上表面还设有封装盖板(8)。2.根据权利要求1所述的一种耐高脉冲高频射频功率电阻器，其特征在于：所述B面电极膜层(2)采用丝网漏印工艺印在基体(1)的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘洋，
申请(专利权)人：成都昊天宏达电子有限公司，
类型：新型
国别省市：