一种大功率射频电阻制造技术

技术编号:8377903 阅读:368 留言:0更新日期:2013-03-01 06:28
本实用新型专利技术公开了一种大功率射频电阻,包括陶瓷基体、陶瓷封帽和安装法兰,固连于安装法兰上的陶瓷基体为氮化铝陶瓷基体或氧化铍陶瓷基体;电阻浆料形成的电阻体,以及导体浆料形成的输入导体和接地导体连接于陶瓷封帽和陶瓷基体之间;电阻体通过输入导体与一引线电连接,电阻体通过接地导体接地。电阻浆料形成两个或两个以上所述电阻体,各电阻体以及输入导体和接地导体连接于陶瓷封帽和陶瓷基体之间。本专利中,一个或多个电阻体通过输入导体与引线电连接,既有利于散热又便于组接;另外,配合以便于散热的氮化铝陶瓷基体或氧化铍陶瓷基体更有利于散热。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种微波射频领域内使用的标准电阻元器件,尤其涉及一种大功率射频电阻
技术介绍
射频电阻被广泛应用在微波射频领域,由于射频电阻的阻值会跟随温度的变化而变动,因此,为了保证射频电阻具有较好的稳定性,需要具有较好的散热性;另外,散热性差也不易于制成大功率射频电阻。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术中的不足,提供一种便于散热且便于组接的·大功率射频电阻。为实现上述目的,所述大功率射频电阻,包括陶瓷基体、陶瓷封帽和安装法兰,所述陶瓷基体固定连接在安装法兰上;其特点是,所述陶瓷基体为氮化铝陶瓷基体或氧化铍陶瓷基体;电阻浆料形成的电阻体,以及导体浆料形成的输入导体和接地导体连接于所述陶瓷封帽和陶瓷基体之间;所述电阻体通过输入导体与一引线电连接,所述电阻体通过接地导体接地。优选的是,电阻浆料形成两个或两个以上所述电阻体,各电阻体以及所述输入导体和接地导体连接于陶瓷封帽和陶瓷基体之间。优选的是,所述输入导体和接地导体分别位于各电阻体的两侧。本技术的有益效果在于,所述大功率射频电阻中,一个或多个电阻体通过输入导体与引线电连接,既有利于散热又便于组接;另外,配合以便于散热的氮化铝陶瓷基体或氧化铍陶瓷基体更有利于散热。附图说明图I示出了具有一个电阻体的大功率射频电阻的结构分解图。图2示出了具有两个电阻体的大功率射频电阻的连接关系示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施方式对本技术做进一步详细的说明如图I和图2所示,所述大功率射频电阻,包括陶瓷基体5、陶瓷封帽I和安装法兰6,所述陶瓷基体5固定连接在安装法兰6上;所述陶瓷基体5为氮化铝陶瓷基体或氧化铍陶瓷基体。电阻浆料形成的电阻体4,以及导体浆料形成的导体3连接于所述陶瓷封帽I和陶瓷基体5之间,所述导体3包括输入导体和接地导体;所述电阻体4通过输入导体与一引线2电连接,所述电阻体4通过接地导体接地。如图2所示,当所述大功率射频电阻具有第一电阻体41和第二电阻体42两个电阻体时,该第一电阻体41、第二电阻体42与输入导体和接地导体连接于所述陶瓷封帽I和陶瓷基体5之间,所述输入导体包括彼此分离的第一输入导体31和第二输入导体32两部分,且所述接地导体包括第一接地导体33和第二接地导体34两部分,第一接地导体33、第二接地导体34形成“L”形。其中,一方面,第一输入导体31连接第一电阻体41的后端,第一电阻体41的前端通过一第二输入导体32连接所述第二电阻体42的后端;另一方面,第一接地导体33连接第一电阻体41的左端,第二接地导体34连接第二电阻体42的前端。 综上所述仅为本技术较佳的实施例,并非用来限定本技术的实施范围。即凡依本技术申请专利范围的内容所作的等效变化及修饰,皆应属于本技术的技术范畴。·权利要求1.一种大功率射频电阻,包括陶瓷基体、陶瓷封帽和安装法兰,所述陶瓷基体固定连接在安装法兰上;其特征在于所述陶瓷基体为氮化铝陶瓷基体或氧化铍陶瓷基体;电阻浆料形成的电阻体,以及导体浆料形成的输入导体和接地导体连接于所述陶瓷封帽和陶瓷基体之间;所述电阻体通过输入导体与一引线电连接,所述电阻体通过接地导体接地。2.根据权利要求I所述的一种大功率射频电阻,其特征在于电阻浆料形成两个或两个以上所述电阻体,各电阻体以及所述输入导体和接地导体连接于陶瓷封帽和陶瓷基体之间。3.根据权利要求2所述的一种大功率射频电阻,其特征在于所述输入导体和接地导体分别位于各电阻体的两侧。专利摘要本技术公开了一种大功率射频电阻,包括陶瓷基体、陶瓷封帽和安装法兰,固连于安装法兰上的陶瓷基体为氮化铝陶瓷基体或氧化铍陶瓷基体;电阻浆料形成的电阻体,以及导体浆料形成的输入导体和接地导体连接于陶瓷封帽和陶瓷基体之间;电阻体通过输入导体与一引线电连接,电阻体通过接地导体接地。电阻浆料形成两个或两个以上所述电阻体,各电阻体以及输入导体和接地导体连接于陶瓷封帽和陶瓷基体之间。本专利中,一个或多个电阻体通过输入导体与引线电连接,既有利于散热又便于组接;另外,配合以便于散热的氮化铝陶瓷基体或氧化铍陶瓷基体更有利于散热。文档编号H01C13/00GK202758698SQ20122045088公开日2013年2月27日 申请日期2012年9月6日 优先权日2012年9月6日专利技术者顾亚 申请人:深圳市禹龙通电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大功率射频电阻,包括陶瓷基体、陶瓷封帽和安装法兰,所述陶瓷基体固定连接在安装法兰上;其特征在于:所述陶瓷基体为氮化铝陶瓷基体或氧化铍陶瓷基体;电阻浆料形成的电阻体,以及导体浆料形成的输入导体和接地导体连接于所述陶瓷封帽和陶瓷基体之间;所述电阻体通过输入导体与一引线电连接,所述电阻体通过接地导体接地。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:顾亚
申请(专利权)人:深圳市禹龙通电子有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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