一种大功率可调LED制造技术

本实用新型专利技术公开了一种大功率可调LED，包括变压器T、电阻R1、电容C1、电位器RP1、二极管D1、熔断器FU和双基极二极管VT1，所述变压器T线圈L1一端分别连接单向可控硅VS的A极和220V交流电一端，变压器T线圈L1另一端分别连接220V交流电另一端和熔断器FU，熔断器FU另一端连接发光二极管D4负极，发光二极管D4负极分别连接电阻R5和电容C2，电容C2另一端连接电阻R4，电阻R4另一端分别连接电阻R5另一端、单向可控硅VS的K极、电阻R3、电容C1、二极管D2正极和变压器T线圈L2，变压器T线圈L2另一端连接二极管D1正极。本实用新型专利技术大功率可调LED采用单向可控硅配合双基极二极管，对电路进行触发控制，电路结构简单，成本低，体积小，适用范围广。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种LED，具体是一种大功率可调LED。
技术介绍
近年来，半导体光源正以新型固体光源的角色逐步进入照明领域。按固体发光物理学原理，发光效率能接近100%，具有工作电压低、耗电量小、响应时间短、发光效率高、抗冲击、使用寿命长、光色纯、性能稳定可靠及成本低等优点。随着LED价格的不断降低，发光亮度的不断提高，半导体光源在照明领域中展现了广泛的应用前景。大功率LED灯有节能高效等诸多优点，很有发展前景，其驱动与调光是近年来研究的热点，现有的一些调光电路采用专用调光芯片控制，成本较高。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种大功率可调LED，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种大功率可调LED，包括变压器T、电阻R1、电容C1、电位器RP1、二极管D1、熔断器FU和双基极二极管VT1，所述变压器T线圈L1一端分别连接单向可控硅VS的A极和220V交流电一端，变压器T线圈L1另一端分别连接220V交流电另一端和熔断器FU，熔断器FU另一端连接发光二极管D4负极，发光二极管D4负极分别连接电阻R5和电容C2，电容C2另一端连接电阻R4，电阻R4另一端分别连接电阻R5另一端、单向可控硅VS的K极、电阻R3、电容C1、二极管D2正极和变压器T线圈L2，变压器T线圈L2另一端连接二极管D1正极，二极管D1负极连接电阻R1，电阻R1另一端分别连接二极管D2负极、电阻R2和双基极二极管VT1的第一基极，电阻R2另一端连接电位器RP2，电位器RP2滑片连接电位器RP1一端，电位器RP1滑片分别连接电容C1另一端和双基极二极管VT1发射极，双基极二极管VT1第二基极分别连接电阻R3另一端和二极管D3正极，二极管D3负极连接单向可控硅VS的G极。作为本技术再进一步的方案：所述双基极二极管采用BT33F。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术大功率可调LED采用单向可控硅配合双基极二极管，对电路进行触发控制，电路结构简单，成本低，体积小，适用范围广。附图说明图1为大功率可调LED的电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，本技术实施例中，一种大功率可调LED，包括变压器T、电阻R1、电容C1、电位器RP1、二极管D1、熔断器FU和双基极二极管VT1，所述变压器T线圈L1一端分别连接单向可控硅VS的A极和220V交流电一端，变压器T线圈L1另一端分别连接220V交流电另一端和熔断器FU，熔断器FU另一端连接发光二极管D4负极，发光二极管D4负极分别连接电阻R5和电容C2，电容C2另一端连接电阻R4，电阻R4另一端分别连接电阻R5另一端、单向可控硅VS的K极、电阻R3、电容C1、二极管D2正极和变压器T线圈L2，变压器T线圈L2另一端连接二极管D1正极，二极管D1负极连接电阻R1，电阻R1另一端分别连接二极管D2负极、电阻R2和双基极二极管VT1的第一基极，电阻R2另一端连接电位器RP2，电位器RP2滑片连接电位器RP1一端，电位器RP1滑片分别连接电容C1另一端和双基极二极管VT1发射极，双基极二极管VT1第二基极分别连接电阻R3另一端和二极管D3正极，二极管D3负极连接单向可控硅VS的G极。所述双基极二极管采用BT33F。本技术的工作原理是：请参阅图1，变压器T为双基极管VT1提供工作电压，双基极管VT1及相应外围元件组成一个振荡器，振荡频率可由RP1、RP2控制，在本电路中，RP1、RP2取值相差较大，所以在工作中，RP2可起粗调作用，RP1起细调作用，这对驱动单个发光二极管尤为重要，可避免损坏发光二极管。由VT1产生的振荡脉冲经D3隔离，触发单向可控硅VS，驱动D4的电流大小及电压的高低取决于振荡器的输出脉冲，即由振荡频率决定。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大功率可调LED，包括变压器T、电阻R1、电容C1、电位器RP1、二极管D1、熔断器FU和双基极二极管VT1，其特征在于，所述变压器T线圈L1一端分别连接单向可控硅VS的A极和220V交流电一端，变压器T线圈L1另一端分别连接220V交流电另一端和熔断器FU，熔断器FU另一端连接发光二极管D4负极，发光二极管D4负极分别连接电阻R5和电容C2，电容C2另一端连接电阻R4，电阻R4另一端分别连接电阻R5另一端、单向可控硅VS的K极、电阻R3、电容C1、二极管D2正极和变压器T线圈L2，变压器T线圈L2另一端连接二极管D1正极，二极管D1负极连接电阻R1，电阻R1另一端分别连接二极管D2负极、电阻R2和双基极二极管VT1的第一基极，电阻R2另一端连接电位器RP2，电位器RP2滑片连接电位器RP1一端，电位器RP1滑片分别连接电容C1另一端和双基极二极管VT1发射极，双基极二极管VT1第二基极分别连接电阻R3另一端和二极管D3正极，二极管D3负极连接单向可控硅VS的G极。

【技术特征摘要】
1.一种大功率可调LED，包括变压器T、电阻R1、电容C1、电位器RP1、二极管D1、熔断器FU和双基极二极管VT1，其特征在于，所述变压器T线圈L1一端分别连接单向可控硅VS的A极和220V交流电一端，变压器T线圈L1另一端分别连接220V交流电另一端和熔断器FU，熔断器FU另一端连接发光二极管D4负极，发光二极管D4负极分别连接电阻R5和电容C2，电容C2另一端连接电阻R4，电阻R4另一端分别连接电阻R5另一端、单向可控硅VS的K极、电阻R3、电容C1、二极管D2正极和变压器T线圈L2，变...

【专利技术属性】
技术研发人员：王中于，
申请(专利权)人：广州中逸光电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44