【技术实现步骤摘要】
本技术涉及的是一种基于QFN6×6-40L标准封装的双通道大功率开关低噪放一体化射频接收前端,属于移动通信
技术介绍
移动通信经历了1G和2G,完成了从模拟技术向数字技术的过渡,3G和4G把移动通信从窄带推向宽带。随着3G和4G大规模的商用,其在速率,无缝传输等方面的局限性日益显露出来,人们对于移动通信技术提出了新的要求。大规模商用的第三代移动通信、宽带移动通信的TD-SCDMA和WIMAX系统以及第四代移动通信TD-LTE系统均采用TDD模式,在基站系统中,功放(PA)后通过环形器由天线输出,一旦天线失配,大功率反射,易导致接收通道的低噪放损坏。因此,接收通道中加入吸收反射功率的发射支路可有效保护接收通道。在接收通道中发射支路天线(ANT)到功率负载(LOAD)和接收支路天线(ANT)到接收端(RX)间由一个大功率开关(SW)来控制收发切换;接收通道的低噪声放大器放大天线从空中接收到的微弱信号,其噪声,非线性,匹配等性能对整个接收机至关重要。随着科技的发展,社会的进步,现代移动通信技术要求射频器件、模块向高选择性,低成本和小型化的方向发展。第三代第四 ...
【技术保护点】
一种基于QFN6×6‑40L标准封装的双通道大功率开关低噪放一体化射频接收前端,其特征在于:包含两路收发通道,发射通道ANT‑TX是一个大功率PIN二极管,开关的接收支路是两个中功率PIN二极管作为开关元件构成串联开关电路,在开关的接收支路后接由砷化镓低噪放单片构成的接收通道;在QFN6×6‑40L标准封装内是双通道大功率开关低噪放一体化的接收前端,两个氮化铝基板、两个砷化镓低噪放单片分别粘接在QFN6×6‑40L标准封装引线框中心金属衬底上;在两个氮化铝基板上分别粘接三个PIN二极管芯片构成收发开关切换电路;开关接收支路后级连一个砷化镓低噪放单片构成接收通道;将二极管芯片 ...
【技术特征摘要】
1.一种基于QFN6×6-40L标准封装的双通道大功率开关低噪放一体化射频接收前端,其特征在于:包含两路收发通道,发射通道ANT-TX是一个大功率PIN二极管,开关的接收支路是两个中功率PIN二极管作为开关元件构成串联开关电路,在开关的接收支路后接由砷化镓低噪放单片构成的接收通道;在QFN6×6-40L标准封装内是双通道大功率开关低噪放一体化的接收前端,两个氮化铝基板、两个砷化...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄贞松,宋艳,
申请(专利权)人:南京国博电子有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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