一种应用于放大射频功率的高性能射频功放原件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种应用于放大射频功率的高性能射频功放原件，包括激励电平控制原件、功率晶体管、射频功率集成电路，所述激励电平控制原件通过信号导线连接着功率晶体管；所述功率晶体管上端设有射频功率集成电路；所述射频功率集成电路安装在低噪声放大器右侧；所述低噪声放大器输入端连接着集电极电子管；所述集电极电子管包裹在电磁兼容器外部；所述电磁兼容器通过导线连接着GSM直放站功率放大芯片；所述GSM直放站功率放大芯片下端安装有开路解码器；所述开路解码器设置在低压降稳压原件上端。本实用新型专利技术结构简单、设计合理、效率高、制作成本低，适合运用推广。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于射频功率放大设备领域，具体涉及一种应用于放大射频功率的高性能射频功放原件。
技术介绍
目前，我国射频功率放大设备行业发展迅速，用于放大射频功率的设备也多种多样，但是仍然面临着很多方面的挑战，需求寻找满足客户的解决方案。申请号：201310687468.8 的中国专利文献报道了一种射频功放的供电方法及装置，具体内容为：涉及印刷电路板
，其方法包括以下步骤：将射频功放单元中的多个射频功放管之每个的用于输出已放大信号的漏极或集电极通过第一微带线直接连接在一起；将所述第一微带线经由隔直电容器连接用于射频输出的第二微带线；将栅极或基极电压分别对应施加给所述多个射频功放管之每个的栅极或基极；将漏极或集电极电压对应施加给所述多个射频功放管中一个射频功放管的漏极或集电极，再经由所述第一微带线分别将所述漏极或集电极电压对应施加给所述多个射频功放管中其他射频功放管的漏极或集电极。本技术的设计电路独特，可实现PCB灵活布局，解决日益尖锐的小型化和大功率之间的矛盾。本新型结构含有上述专利有的优点，但是上述专利工作效率低，放大倍数不够大。综上所述，所以我设计了一种应用于放大射频功率的高性能射频功放原件。
技术实现思路
为了解决上述存在的问题，本技术提供一种应用于放大射频功率的高性能射频功放原件。本技术是通过以下技术方案实现：一种应用于放大射频功率的高性能射频功放原件，包括激励电平控制原件、功率晶体管、射频功率集成电路，所述激励电平控制原件通过信号导线连接着功率晶体管；所述功率晶体管上端设有射频功率集成电路；所述射频功率集成电路安装在低噪声放大器右侧；所述低噪声放大器输入端连接着集电极电子管；所述集电极电子管包裹在电磁兼容器外部；所述电磁兼容器通过导线连接着GSM直放站功率放大芯片；所述GSM直放站功率放大芯片下端安装有开路解码器；所述开路解码器设置在低压降稳压原件上端；所述低压降稳压原件通过信号导线连接着电源控制器。作为本技术的进一步优化方案，所述功率晶体管设置在所述低压降稳压原件内部；所述GSM直放站功率放大芯片通过电源线连接着所述电源控制器；所述电源控制器安装在所述集电极电子管上端。作为本技术的进一步优化方案，所述电磁兼容器下端设有所述开路解码器；所述低噪声放大器连接着所述GSM直放站功率放大芯片；所述电磁兼容器安装在所述低压降稳压原件上端。作为本技术的进一步优化方案，所述集电极电子管左端安装有所述GSM直放站功率放大芯片；所述激励电平控制原件通过信号导线连接着所述低噪声放大器。与现有的技术相比，本技术的有益效果是：本技术结构简单、设计合理、效率高、制作成本低，适合运用推广。附图说明图1是本技术的结构主视图。图中：1、激励电平控制原件；2、功率晶体管；3、射频功率集成电路；4、低噪声放大器；5、集电极电子管；6、电磁兼容器；7、GSM直放站功率放大芯片；8、开路解码器；9、低压降稳压原件。具体实施方式下面结合附图与具体实施方式对本技术作进一步详细描述：如图1所示，一种应用于放大射频功率的高性能射频功放原件，包括激励电平控制原件（1）、功率晶体管（2）、射频功率集成电路（3），所述激励电平控制原件（1）通过信号导线连接着功率晶体管（2）；所述功率晶体管（2）上端设有射频功率集成电路（3）；所述射频功率集成电路（3）安装在低噪声放大器（4）右侧；所述低噪声放大器（4）输入端连接着集电极电子管（5）；所述集电极电子管（5）包裹在电磁兼容器（6）外部；所述电磁兼容器（6）通过导线连接着GSM直放站功率放大芯片（7）；所述GSM直放站功率放大芯片（7）下端安装有开路解码器（8）；所述开路解码器（8）设置在低压降稳压原件（9）上端；所述低压降稳压原件（9）通过信号导线连接着电源控制器。所述功率晶体管（2）设置在所述低压降稳压原件（9）内部；所述GSM直放站功率放大芯片（7）通过电源线连接着所述电源控制器；所述电源控制器安装在所述集电极电子管（5）上端；所述电磁兼容器（6）下端设有所述开路解码器（8）；所述低噪声放大器（4）连接着所述GSM直放站功率放大芯片（7）；所述电磁兼容器（6）安装在所述低压降稳压原件（9）上端；所述集电极电子管（5）左端安装有所述GSM直放站功率放大芯片（7）；所述激励电平控制原件（1）通过信号导线连接着所述低噪声放大器（4）。所述本新型结构安装有功率晶体管、GSM直放站功率放大芯片，所述功率晶体管控制功率电子器件合理工作，通过功率电子器件为负载提供大功率的输出；所述GSM直放站功率放大芯片将基站的信号通过无线接入方式直接引入到室内的覆盖区域，再通过小型天线将基站信号发送出去，同时接收手机信号，通过分布系统上行到基站，有效消除室内覆盖盲区，抑制干扰，为室内的移动通信用户提供稳定、可靠的信号，用户在室内也能享受高质量的个人通信服务。以上显示和描述了本技术的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用于放大射频功率的高性能射频功放原件，其特征在于：激励电平控制原件、功率晶体管、射频功率集成电路，所述激励电平控制原件通过信号导线连接着功率晶体管；所述功率晶体管上端设有射频功率集成电路；所述射频功率集成电路安装在低噪声放大器右侧；所述低噪声放大器输入端连接着集电极电子管；所述集电极电子管包裹在电磁兼容器外部；所述电磁兼容器通过导线连接着GSM直放站功率放大芯片；所述GSM直放站功率放大芯片下端安装有开路解码器；所述开路解码器设置在低压降稳压原件上端；所述低压降稳压原件通过信号导线连接着电源控制器。

【技术特征摘要】
1.一种应用于放大射频功率的高性能射频功放原件，其特征在于：激励电平控制原件、功率晶体管、射频功率集成电路，所述激励电平控制原件通过信号导线连接着功率晶体管；所述功率晶体管上端设有射频功率集成电路；所述射频功率集成电路安装在低噪声放大器右侧；所述低噪声放大器输入端连接着集电极电子管；所述集电极电子管包裹在电磁兼容器外部；所述电磁兼容器通过导线连接着GSM直放站功率放大芯片；所述GSM直放站功率放大芯片下端安装有开路解码器；所述开路解码器设置在低压降稳压原件上端；所述低压降稳压原件通过信号导线连接着电源控制器。2.根据权利要求1所述的一种应用于放大射频功率的高性能射频...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱明娥，
申请(专利权)人：广州荣锋电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44