芯片电阻器制造技术

本实用新型专利技术实施例提供了一种芯片电阻器，包括：基体、电极、电阻体和保护层；电极设置在基体的上表面；电阻体与保护层设置在上表面；电阻体内设置有U型切口，U型切口将电阻体分割为两个分离的部分，一部分为位于U型切口内，且保护层下部的电阻切割体；另一部分为位于U型切口外，且保护层下部的电阻主体；电阻主体与电极连接；保护层保护电阻体。本实用新型专利技术在实现精确修调阻值的基础的同时，降低了电阻器在高频环境的寄生阻抗，提高了电阻传输高频信号的能力。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子
，具体而言，涉及一种芯片电阻器。
技术介绍
随着射频技术的不断发展与成熟，在射频电路中不可缺少的片式厚膜电阻器被大量使用。传统的片式厚膜固定电阻器的调阻方式分为激光调阻方式与喷砂调阻方式。其中激光调阻一般采用L型调阻方式，即使用激光在电阻上切割出L形切槽，其特点是调阻效率和调阻精度高。然而上述激光调阻方式制作的厚膜电阻器在高频环境下，其L型切槽增加了电阻器的寄生阻抗，在“L”转角处会增加电阻寄生电容，从而增加了高频信号传输损耗，无法达到有效传输高频信号的目的。针对上述芯片电阻器的L型切槽产生寄生阻抗，影响高频信号传输的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
鉴于此，本技术的目的在于提供一种芯片电阻器，减小芯片电阻器在高频环境下的寄生阻抗，提高高频型号传输能力。为了实现上述目的，本技术实施例采用的技术方案如下：本技术实施例提供了一种芯片电阻器，包括：基体、电极、电阻体和保护层；电极设置在基体的上表面；电阻体与保护层设置在上表面；电阻体内设置有U型切口，U型切口将电阻体分割为两个分离的部分，一部分为位于U型切口内，且保护层下部的电阻切割体；另一部分为位于U型切口外，且保护层下部的电阻主体；电阻主体与电极连接；保护层保护电阻体。结合上述实施例，本技术实施例提供了第一种可能的实施方式，其中，电阻体的U型切口是激光调阻产生的切槽。结合上述实施例，本技术实施例提供了第二种可能的实施方式，其中，电极包括一对供电电极，一对供电电极分别位于基体的相对两端，一对供电电极通过电阻体桥接。结合上述实施例、及其第一或第二种可能的实施方式，本技术实施例提供了第三种可能的实施方式，其中，基体是矩形陶瓷基体。结合上述实施例、及其第一或第二种可能的实施方式，本技术实施例提供了第四种可能的实施方式，其中，电阻体由氧化钌构成。结合上述实施例、及其第一或第二种可能的实施方式，本技术实施例提供了第五种可能的实施方式，其中，电极是Au电极。结合上述实施例、及其第一或第二种可能的实施方式，本技术实施例提供了第六种可能的实施方式，其中，保护层采用玻璃保护层。结合上述实施例、及其第一或第二种可能的实施方式，本技术实施例提供了第七种可能的实施方式，其中，保护层远离电阻体的一侧设置有封装层。结合上述第七种可能的实施方式，本技术实施例提供了第一方面的第八种可能的实施方式，其中，封装层采用环氧树脂材料。结合上述实施例、及其第一或第二种可能的实施方式，本技术实施例提供了第九种可能的实施方式，还包括焊盘，焊盘设置在基体的下表面，用于将基体固定到电路板上。本技术实施例提供的芯片电阻器，通过在电阻体内设置U型切口的方式调阻，其中U型切口将所述电阻体分割为两个分离的部分，相比于现有技术中的L型激光调阻方式，在不影响调阻精度的前提下，大大提高芯片电阻器在高频环境下的传输信号的能力。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1示出了本技术实施例提供的芯片电阻器的结构示意图；图2示出了本技术实施例提供的芯片电阻器的剖面图；图3示出了本技术实施例提供的芯片电阻器调阻过程示意图；图4示出了本技术实施例提供的芯片电阻器另一调阻过程示意图；图5示出了本技术实施例提供的芯片电阻器另一调阻过程示意图。附图标记：表面电极-1；电阻-2；基板-3；L型切槽-4a，4b；电极-11；电阻体-12；基体-13；U型切口的切槽-14a，14b，14c；保护层-15。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。考虑到现有技术中的L型切槽产生寄生阻抗，影响高频信号传输的问题，本技术实施例提供了一种芯片电阻器。下面通过实施例进行描述。为了更好理解本技术，图1示出了现有的L型切槽芯片电阻器的示意图。如图1所示，芯片电阻器包括一对表面电极1，电阻2，基板3，L型切槽4a与4b。上述芯片电阻器的阻值修调方式为L型，其中纵向的L型切槽4b对电阻体2的阻值进行初修调阻值，横向的L型切槽4a是对电阻体2的阻值进行精修调阻值。可以明显看出，在上述调阻完成后被切割部分电阻体与电阻体主体没有完全分裂，被切割部分与主体电阻相互电连接，因此当电阻体2被应用在高频环境下，在L型切槽4a与4b处会出现电磁振荡，产出额外的寄生电容，从而增加高频信号的传输损耗。实施例1本技术实施例1提供了一种芯片电阻器，如图2所示，芯片电阻器包括：基体13、电极11、电阻体12和保护层15；其中电极11设置在基体13的上表面；电阻体12与保护层15也设置在上表面；电阻体12内设置有U型切口的切槽14a，14b，14c，U型切口将电阻体12分割为两个分离的部分，一部分为位于U型切口内，且保护层下部的电阻切割体；另一部分为位于U型切口外，且保护层下部的电阻主体；电阻主体与电极连接；保护层15保护电阻体12。上述电阻体12的U型切口是激光调阻产生的切槽。在图2中，在长方体型的基体13长度方向印刷一对电极11，并加热烘干，然后通过高温(850℃)硬化；接着在基体13长度方向印刷由氧化钌等材料构成的电阻体12，电阻体12桥接在两端的一对电极11之间，然后加热烘干，再高温(850℃)硬化；在电阻12上印刷保护层15，然加热烘干，接着高温(600℃)硬化。为了提高芯片电阻器的精度，在进行封装之前必须进行阻值调整。由于芯片电阻器印刷操作固有的不准确性，基板表面的不均匀及烧结条件的不重复性，电阻体12常出现正负误差，如果阻值超过标称值将无法修正，但是，一般情况下印刷烧成后阻值低于目标值的大约30％，所以要通过调整达到目标值。本实施例具体使用激光调阻的方式调整阻值，具体是把一束聚焦的相干光定位到工件上，使工件待调部分的膜层气化切除以达到规定参数或阻值。调阻时局部温升使玻璃熔化，气化部分阻值槽边缘受到玻璃覆盖，可填平基体表面被切割的介质。如图3所示的芯片电阻器的剖面图，显示出在电阻体12上切割出三个U型切口中的两个切槽，分别是切槽14a与切槽14c，电极11是Au电极，包括一对供电电极，一对供电电极分别位于基体的相对两端，一对供电电极通过电阻体12桥接。基体13是矩形陶瓷基体。保护层15采用玻璃保护层。保护层15远离电阻体12的一侧设置有封装层。上述封装层采用环氧树脂材料。本实施例提供的芯片电阻器还包括焊盘，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片电阻器，其特征在于，包括：基体、电极、电阻体和保护层；所述电极设置在所述基体的上表面；所述电阻体与所述保护层设置在所述上表面；所述电阻体内设置有U型切口，所述U型切口将所述电阻体分割为两个分离的部分，一部分为位于所述U型切口内，且所述保护层下部的电阻切割体；另一部分为位于所述U型切口外，且所述保护层下部的电阻主体；所述电阻主体与所述电极连接；所述保护层保护所述电阻体。

【技术特征摘要】
1.一种芯片电阻器，其特征在于，包括：基体、电极、电阻体和保护层；所述电极设置在所述基体的上表面；所述电阻体与所述保护层设置在所述上表面；所述电阻体内设置有U型切口，所述U型切口将所述电阻体分割为两个分离的部分，一部分为位于所述U型切口内，且所述保护层下部的电阻切割体；另一部分为位于所述U型切口外，且所述保护层下部的电阻主体；所述电阻主体与所述电极连接；所述保护层保护所述电阻体。2.根据权利要求1所述的芯片电阻器，其特征在于，所述电阻体的U型切口是激光调阻产生的切槽。3.根据权利要求1所述的芯片电阻器，其特征在于，所述电极包括一对供电电极，所述一对供电电极分别位于所述基体的相对两端，所述一对供电电极通过所述电阻体桥接。4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：查远华，韩玉成，张青，曹文苑，
申请(专利权)人：中国振华集团云科电子有限公司，
类型：新型
国别省市：贵州;52