包括半导体电阻器和电阻补偿电路的集成电路及相关方法技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路领域，并且更特别地涉及包括半导体电阻器的集成电路和相关方法。
技术介绍
在例如硅的半导体衬底上的经扩散或注入的电阻器可能由于压电电阻率现象而对机械应力敏感。因此，在集成电路(IC)中的增加的应力可能导致电参数的增加的变化，而且会发生功能故障。例如，硅和封装材料的导热系数的差异可能是引起几何变形的内部应力的来源。此外，封装工艺和IC的封装体可能是IC上的应力的来源。美国专利第7,437,260号公开了使用由一系列P掺杂电阻器和N掺杂电阻器组成的半导体电阻器的特定布局，每个都是L形，而且其中非常精确的所选固定比率可以理论地消除在给定温度下的平面应力依赖性。一般来说，该所选固定缩放比率取决于温度和掺杂浓度。然而，由于半导体制造工艺中的易变性，可能存在电阻器失配，而且比率不可能非常精确，而必须根据温度修改。事实上，N掺杂和P掺杂工艺是两个受易变性影响的不同的且连续的操作，所以不能实现非常精确的缩放比率。因而，由于在IC的工作时间期间的制造工艺易变性和温度变化，可能特别需要获得对于缩放因子/比率的增强控制，以减小/消除平面应力灵敏度。
技术实现思路
集成...
【技术保护点】
一种集成电路，包括：半导体衬底；半导体电阻器，包括在所述半导体衬底中并具有第一导电性类型的阱，在所述阱中具有L形和第二导电性类型的第一电阻性区域，以及与所述第一电阻性区域相关联的调节元件；以及电阻补偿电路，在所述半导体衬底上并且被配置为测量所述第一电阻性区域的初始电阻，以及基于测得的初始电阻在所述调节元件处产生电压，以调节所述第一电阻性区域的工作电阻。
【技术特征摘要】
2015.06.30 US 14/754,7991.一种集成电路，包括：半导体衬底；半导体电阻器，包括在所述半导体衬底中并具有第一导电性类型的阱，在所述阱中具有L形和第二导电性类型的第一电阻性区域，以及与所述第一电阻性区域相关联的调节元件；以及电阻补偿电路，在所述半导体衬底上并且被配置为测量所述第一电阻性区域的初始电阻，以及基于测得的初始电阻在所述调节元件处产生电压，以调节所述第一电阻性区域的工作电阻。2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述半导体电阻器进一步包括在所述半导体衬底中的第二电阻性区域，所述第二电阻性区域邻近所述阱、具有所述第一导电性类型、具有L形并且被耦合到所述第一电阻性区域。3.根据权利要求2所述的集成电路，进一步包括测试元件，所述测试元件被耦合在所述第一电阻性区域和所述第二电阻性区域之间。4.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述调节元件包括：在所述第二电阻性区域的至少一部分之上的绝缘层；以及在所述绝缘层之上的导电层。5.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述调节元件包括：在所述第一电阻性区域的至少一部分之上的绝缘层；以及在所述绝缘层之上的导电层。6.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述调节元件包括：在所述阱中的掺杂区域，所述掺杂区域具有所述第一导电性类型并具有比所述阱更高的掺杂浓度；以及被耦合到所述掺杂区域的接触件。7.根据权利要求1所述的集成电路，进一步包括在所述半导体衬底上并且被耦合到所述电阻补偿电路的温度传感器；并且其中所述电阻补偿电路被配置为基于所述温度传感器在所述调节元件处产生所述电压。8.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述电阻补偿电路包括处理器和与所述处理器耦合的存储器；其中所述存储器被配置为存储至少一个电阻补偿值。9.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一电阻性区域具有蜿蜒的形状。10.一种集成电路，包括：半导体衬底；多个半导体电阻器，每个半导体电阻器包括在所述半导体衬底中并具有第一导电性类型的阱，在所述阱中具有L形和第二导电性类型的第一电阻性区域，以及与所述第一电阻性区域相关联的调节元件；以及温度传感器，在所述半导体衬底上；电阻补偿电路，在所述半导体衬底上并被耦合至所述温度传感器，所述电阻补偿电路被配置为测量每个第一电阻性区域的初始电阻，以及基于测得的初始电阻和所述温度传感器在所述调节元件处产生电压，以调节每个第一电阻性区域的工作电阻。11.根据权利要求10所...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·帕加尼，A·莫塔，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：意大利;IT
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