预驱动级对驱动负载的功率级中的一个或多个场效应晶体管进行驱动。一种用于测量在场效应晶体管中流动的电流的方法包括：测量一个或多个场效应晶体管的漏极‑源极电压；以及测量一个或多个场效应晶体管的操作温度。场效应晶体管中流动的电流通过以下操作进...

FET的差分对形成耦合到差分电流读取电路的传感器电路，该差分电流读取电路包括电流电压转换器和模数转换器。介于传感器电路与差分电流读取电路之间的ESD保护电路将杂散电流与由传感器电路输出的差分传感器电流相加。在ESD保护电路之前的电路根据...

本公开涉及传感器可靠性检测和功率管理。本公开涉及一种可佩戴电子设备，例如手表，其包括一个或多个光学传感器。为了确定光学传感器的测量准确度，设备检测光学传感器是否与用户的皮肤物理接触。该设备基于静电荷变化测量来检测用户皮肤与光学传感器之间...

本公开涉及半导体管芯安装衬底和半导体器件。一种半导体管芯安装衬底，包括：多个管芯焊盘，具有第一表面，与所述第一表面相对的第二表面并且进一步具有从每个管芯焊盘突出的系杆；其中每个系杆具有中间分割位置；以及其中每个系杆在每个中间分割位置处具...

本公开涉及半导体器件。半导体器件包括：半导体芯片，具有前金属层，前金属层具有在前金属层上方延伸的表面钝化部，其中前金属层包括第一区域和第二区域；其中第一区域处的前金属层上方的表面钝化部的完全去除设置第一钝化开口，第一钝化开口暴露第一区域...

一种具有第一电容和第二电容以及切换、控制和测量电路的测量系统在正常操作期间对电容进行充电/放电。切换和控制电路周期性地将第一电容的第一端子连接至第一电压和参考电压，并且将第二电容的第一端子连接至第二电压和参考电压。第一电容的第二端子和第...

本公开涉及HEMT器件。一种HEMT器件包括异质结构、在异质结构上延伸并且具有沿第一方向的厚度的绝缘层以及栅极区。该栅极区具有贯穿该绝缘层的厚度穿过该绝缘层延伸的第一部分和在该异质结构中延伸的第二部分。该栅极区的第一部分具有沿第二方向的...

本公开的实施例涉及切换电压调节器的控制设备以及控制方法。一种用于具有切换电路的切换电压调节器的控制设备接收测量信号集合，该测量信号集合包括指示切换电压调节器的输出电压的第一测量信号。突发模式控制器被配置成：相对于第一阈值和高于第一阈值的...

提供了一种用于电子电路的控制器，该控制器包括第一开关和第二开关。控制器包括接收逻辑电信号的事件检测器级、和脉冲发生器电路，脉冲发生器电路被耦合到事件检测器级并且基于由事件检测器级检测到的逻辑电信号的边沿生成停滞时间信号。停滞时间信号包括...

本公开的实施例涉及非易失性存储器设备以及对应的操作方法。在非易失性存储器设备中，提供有存储器扇区。存储器扇区包括水平布置的多个瓦片。每个瓦片包括内布置在水平字线和竖直位线中的多个存储器单元。预解码器被配置为接收经编码的地址信号集，以产生...

本公开的实施例涉及用于管理波形生成器中的波形数据和延迟的方法和装置。信号解码电路被耦合到针对每个信号通道的缓冲器。存储器包括被配置为存储波形数据集的共享区域，每个波形数据集包括指定波形台阶状态的经编码的波形值序列。共享区域还存储延迟数据...

本公开的实施例涉及具有密封层的半导体封装或器件。本公开涉及导电层上的导电结构的实施例，该导电层可以是半导体器件或封装的导电大马士革层。导电大马士革层可以在半导体器件或封装的衬底内。在导电结构的一个或多个侧壁与衬底上的一个或多个绝缘层的一...

本公开涉及微机电系统热电发电机、以及加热装置。MEMS热电发电机，包括：热电单元，包括在热电单元的腔体上部分地延伸的一个或多个热电元件；热塑性层，热塑性层在热电单元上延伸并且具有沿着第一轴线彼此相对的顶表面和底表面，底表面面向热电单元并...

本公开涉及电子电路和集成电路器件。一种电子器件，包括：第一振荡器电路，第二振荡器电路；第三电容器；以及第四电容器。与由单个D类振荡器电路形成的参考振荡器电路相比，所公开的振荡器电路中的每个D类振荡器电路的振荡幅度是参考振荡器电路的振荡幅...

本公开涉及用于乘法和累加运算的计算单元。一种器件包括乘法器、累加器和浮点加法器。乘法器生成具有符号位和指数位的第一因数与具有符号位和指数位的第二因数的乘积。乘法器包括符号乘法器和减法器。符号乘法器生成第一因数的符号位和第二因数的符号位的...

本公开涉及用于耳外测量的传感器化的耳机器件。耳机器件具有壳体，该壳体具有专用于获取至少一个测量量的测量部分，其中耳机器件布置在对象的耳朵外部。耳机器件设置有至少一个传感器，该传感器可操作地连接到壳体内的测量部分，用于获取表示测量量的信号...

本公开涉及测量心脏参数以检测心脏病的可穿戴和便携式系统和方法。一种用于测量心脏参数的系统使用运动传感器来生成心震图信号和心脏参数计算单元。所述心脏参数计算单元用于生成与所述心震图信号相关的包络信号；在所述包络信号中标识具有重复模式的信号...

本公开涉及MEMS超声换能器器件及其制造工艺。一种MEMS超声换能器MUT器件，包括具有第一和第二主面的半导体本体，包括：从所述第二主面延伸到所述半导体本体中的调制腔体；膜体，悬置在所述调制腔体上并包括换能膜体和调制膜体；调制膜体上的压...

SiC基MOSFET电子器件，包括：固体本体；栅极端子，其延伸到该固体本体中；导电路径，在该固体本体的第一侧处延伸，被配置为可被电耦合到偏置电压的发生器；固态材料的保护元件，被耦合到该栅极端子和该导电路径，该保护元件在该栅极端子和该导电...

本公开的各实施例涉及时分复用集线器。一种集成电路包括控制电路、耦合到控制电路的初级传感器设备、以及耦合到初级传感器设备的多组次级传感器设备。初级传感器设备接收来自控制设备的初级时钟信号，并且向每组次级传感器设备输出频率低于初级时钟信号的...