芯片电阻器制造技术

本实用新型专利技术的目的在于，提供一种能够抑制分割不良的发生的芯片电阻器。本实用新型专利技术的芯片电阻器具备：绝缘基板；被设置于所述绝缘基板的上表面的两端部的一对上表面电极；被设置于所述绝缘基板的上表面，并且在所述一对上表面电极之间形成的电阻体；和被设置为至少覆盖所述电阻体的保护膜，所述保护膜由下层的第1保护膜、和上层的第2保护膜构成，所述第1保护膜设为与所述绝缘基板的宽度相同的宽度，所述第2保护膜不从所述绝缘基板露出，进一步地，使所述第1保护膜的厚度比所述第2保护膜的厚度薄，并且使所述第2保护膜的长度比所述第1保护膜的长度长。

【技术实现步骤摘要】
芯片电阻器
本技术涉及用于各种电子设备的由较低的电阻值的厚膜电阻体形成的芯片电阻器。
技术介绍
如图5所示，现有的这种芯片电阻器具备：绝缘基板1、被设置于该绝缘基板1的上表面的两端部的一对上表面电极2、被设置于绝缘基板1的上表面并且形成于一对上表面电极2之间的电阻体3、被设置为至少覆盖电阻体3的保护膜4、被设置于绝缘基板1的两端面使得与一对上表面电极2电连接的一对端面电极5、和形成于上表面电极2的一部分和一对端面电极5的表面的镀覆层6。此外，保护膜4由树脂构成，成为与绝缘基板1的宽度相同的宽度。并且，如图6(a)所示，该芯片电阻器在具有多个作为分割用的狭缝的纵槽(纵分割部)7a和横槽(横分割部)7b并且划分出多个相当于1个芯片电阻器的芯片区域8的片状绝缘基板7，在规定位置形成一对上表面电极2和电阻体3之后，如图6(b)所示，将保护膜4形成为带状使得横跨多个横槽7b。然后，通过纵槽7a、横槽7b来进行分割，形成一对端面电极5、镀覆层6从而得到芯片电阻器。另外，作为与本申请的技术有关的在先技术文献信息，例如已知专利文献1。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-60435号公报
技术实现思路
-技术要解决的课题-在上述的现有的芯片电阻器中，由于若电阻值变低则电阻体3的厚度变厚，因此为了保护电阻体3的边缘部分需要加厚保护膜4的厚度，在分割时保护膜4也分割，因此分割的部分的厚度变得非常厚，由此，可能在片状绝缘基板7的分割面产生毛刺，或者在规定的位置产生不能分割的部分，因此具有可能发生分割不良的课题。本技术解决上述现有的课题，其目的在于，提供一种抑制分割不良的发生的芯片电阻器。-解决课题的手段-为了实现上述目的，本技术由下层的第1保护膜和上层的第2保护膜构成保护膜，第1保护膜设为与绝缘基板的宽度相同的宽度，第2保护膜不从绝缘基板露出，进一步地，第1保护膜的厚度比第2保护膜的厚度薄，并且使第2保护膜的长度比第1保护膜的长度长。-专利技术效果-本技术的芯片电阻器使分割片状绝缘基板时同时被分割(切断)的第1保护膜的厚度较薄，因此分割的部分的厚度变薄，由此，起到能够抑制分割不良的发生这一优良的效果。附图说明图1是本技术的一实施方式中的芯片电阻器的剖视图。图2是该芯片电阻器的主要部分的俯视图。图3是表示该芯片电阻器的制造方法的一部分的俯视图。图4是表示该芯片电阻器的制造方法的一部分的俯视图。图5是现有的芯片电阻器的剖视图。图6是表示该芯片电阻器的制造方法的一部分的俯视图。-符号说明-11绝缘基板12一对上表面电极13电阻体14保护膜14a第1保护膜14b第2保护膜具体实施方式以下，参照附图来对本技术的一实施方式中的芯片电阻器进行说明。图1是本技术的一实施方式中的芯片电阻器的剖视图，图2是该芯片电阻器的主要部分的俯视图。如图1、图2所示，本技术的一实施方式中的芯片电阻器构成为具备：绝缘基板11、设置于该绝缘基板11的上表面的两端部的一对上表面电极12、设置于所述绝缘基板11的上表面并且形成于所述一对上表面电极12之间的电阻体13、设置成至少覆盖所述电阻体13的保护膜14、设置于所述绝缘基板11的两端面使得与所述一对上表面电极12电连接的一对端面电极15、和形成于所述上表面电极12的一部分和所述一对端面电极15的表面的镀覆层16。并且，所述保护膜14由下层的第1保护膜14a、和覆盖第1保护膜14a的上层的第2保护膜14b构成，所述第1保护膜14a设为与所述绝缘基板11的宽度相同的宽度，所述第2保护膜14b不从所述绝缘基板11露出，进一步地，所述第1保护膜14a的厚度比所述第2保护膜14b的厚度薄。另外，在图2中，省略一对端面电极15、镀覆层16，并透视了第2保护膜14b。在上述构成中，所述绝缘基板11由含有96％的Al2O3的氧化铝构成，其形状为矩形形状(俯视下为长方形)。此外，所述一对上表面电极12被设置于绝缘基板11上表面的两端部，通过对由铜构成的厚膜材料进行印刷、烧制而形成。另外，也可以在一对上表面电极12各自的上面再设置上表面电极(未图示)。进一步地，在绝缘基板11的上表面，在一对上表面电极12之间，通过对由铜镍、银钯或者氧化钌构成的厚膜材料进行印刷之后进行烧制，从而形成所述电阻体13。另外，也可以在电阻体13设置电阻值调整用的修整槽(以下，未图示)。并且，所述保护膜14被设置为覆盖一对上表面电极12的一部分和电阻体13，由下层的第1保护膜14a和上层的第2保护膜14b构成。下层的第1保护膜14a由玻璃或者环氧树脂形成，使得覆盖电阻体13的整体。此外，第1保护膜14a的宽度是与绝缘基板11的宽度相同的宽度，即，第1保护膜14a的两侧面从绝缘基板11的两侧面露出。上层的第2保护膜14b由环氧树脂形成，使得覆盖下层的第1保护膜14a和一对上表面电极12的一部分。此外，第2保护膜14b的宽度比一对上表面电极12、电阻体13的宽度宽，且比第1保护膜14a的宽度窄。因此，第2保护膜14b位于绝缘基板11的内侧，不从绝缘基板11露出。也就是说，第2保护膜14b位于与绝缘基板11的两侧面隔开一定的距离，使得不被切断。通过该第2保护膜14b来决定一对上表面电极12间的距离，并确定最终的电阻值。并且，第2保护膜14b的长度比第1保护膜14a的长度长，第2保护膜14b在长度方向覆盖第1保护膜14a整体。也就是说，在长度方向上，第2保护膜14b的两个端部比第1保护膜14a向外侧方向突出。另外，优选第2保护膜14b的长度为第1保护膜14a的长度的1.1～1.5倍。由于第2保护膜14b的宽度比一对上表面电极12、电阻体13的宽度宽，并且第2保护膜14b的长度比第1保护膜14a的长度长，因此第2保护膜14b能够具有与绝缘基板11直接相接的位置，由此，第2保护膜14b的紧贴性提高。此外，其结果，位于其下层的第1保护膜14a的紧贴性也能够更加提高。进一步地，第1保护膜14a的厚度比第2保护膜14b的厚度薄。此时，优选第1保护膜14a的厚度为第2保护膜14b的厚度的1/5～1/2。若第1保护膜14a的厚度比该厚度薄则不能得到本技术的效果，若比该厚度厚则分割性恶化。这里，上述的宽度是指与一对上表面电极12间的电流流过的方向正交的方向的尺寸，长度是指一对上表面电极12间的电流流过的方向的尺寸。此外，所述一对端面电极15被设置于绝缘基板11的两端面，通过对由Ag和树脂构成的材料进行印刷使得与从保护膜14露出的一对上表面电极12的上表面电连接而形成。另外，也可以通过对金属材料进行溅射来形成。进一步地，在该一对端面电极15的表面形成由Ni镀覆层、Sn镀覆层构成的镀覆层16。此时，镀覆层16与保护膜14相接。另外，也可以在Ni镀覆层的下层存在Cu镀覆层。接下来，参照图3、图4来对本技术的一实施方式中的芯片电阻器的制造方法进行说明。另外，为了使说明简单化，在图3、图4中，表示芯片电阻器形成为纵3列、横3列的片状的部件的俯视图。首先，如图3(a)所示，准备具有多个作为分割用的狭缝的纵槽(纵分割部)21a和横槽(横分割部)21b并且划分出多个相当于一个芯片电阻器的芯片区域22的片状绝缘基板21。此外，该芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片电阻器，具备：绝缘基板；一对上表面电极，被设置于所述绝缘基板的上表面的两端部；电阻体，被设置于所述绝缘基板的上表面，并且在所述一对上表面电极之间形成；和保护膜，被设置为至少覆盖所述电阻体，所述保护膜由下层的第1保护膜、和覆盖所述第1保护膜的上层的第2保护膜构成，所述第1保护膜设为与所述绝缘基板的宽度相同的宽度，所述第2保护膜不从所述绝缘基板露出，进一步地，使所述第1保护膜的厚度比所述第2保护膜的厚度薄，并且使所述第2保护膜的长度比所述第1保护膜的长度长。

【技术特征摘要】
2016.01.21 JP 2016-0094231.一种芯片电阻器，具备：绝缘基板；一对上表面电极，被设置于所述绝缘基板的上表面的两端部；电阻体，被设置于所述绝缘基板的上表面，并且在所述一对上表面电极之间形成；和保护膜，被设置为至少...

【专利技术属性】
技术研发人员：中尾光明，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：新型
国别省市：日本,JP