芯片电阻器制造技术

一种芯片电阻器（１），在绝缘基板（２）上，形成电阻膜（４）、其两端的上面电极（５）、以及覆盖所述电阻膜的覆盖层（６），而且，在所述上面电极的上面，形成辅助上面电极（７），以使其部分重叠在所述覆盖层上，其中，形成覆盖所述覆盖层（６）整体的涂层（９），以使其部分重叠在所述辅助上面电极（７）上，另一方面，相对于所述涂层（９）中重叠在所述辅助上面电极（７）上的部分的终端９（ａ）来说，通过将所述覆盖层（６）中重叠在所述上面电极（５）上的部分的终端（６ａ）只以合适的尺寸Ｓ处于外侧，降低所述上面电极（５）中因大气中的硫磺成分等产生的腐蚀。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片电阻器，该芯片电阻器在芯片型的绝缘基板上，形成至少一个电阻膜、相对于两端的端子电极、以及覆盖所述电阻体的覆盖层。
技术介绍
以往，这种芯片电阻器有在绝缘基板上表面的中央部分，在覆盖电阻膜的覆盖层高突出的形态下，具有大台阶差的结构，所以将这种芯片电阻器吸附在真空吸附式的夹具上时，有不能吸附或发生覆盖层破损等不良情况。除此以外，通过使用以电阻小的银作为主要成分的导电胶(以下，简单地称为银系导电胶)，在所述电阻膜两端的两端子电极中以将电阻膜连接到绝缘基板上表面的方式形成上面电极，在这种银系导电胶的上面电极中，虽然形成用于焊接在该上面电极表面上的金属镀敷层，但因大气中的硫化氢等硫磺气体使银变为硫化银，发生因硫磺成分迁移等引起的腐蚀，有导致上面电极断线的不良情况。因此，最近，例如在日本特开平8-236302号公报和特开2002-184602号公报等中公开的那样，在所述电阻膜两端的两上面电极，通过以部分重叠在所述覆盖层上的方式形成辅助上面电极，从而减小或不产生台阶差，同时避免所述上面电极的腐蚀。这种情况下，以往通过将所述辅助上面电极中对于所述覆盖层重叠的部分处于银系导电胶的上面电极的正上方位置，如所述特开平8-236302号公报中公开的那样，在所述辅助上面电极是银系导电胶的情况下，在该辅助上面电极的表面中所述覆盖层的边界部分中，因大气中的硫磺成分等产生迁移等腐蚀时，这种腐蚀直接到达其下层的上面电极，并腐蚀上面电极。此外，如上述特开2002-184602号公报中公开的那样，在所述辅助上面电极是镍系导电胶的情况下，在该辅助上面电极的表面中对于所述覆盖层的边界部分(这种边界部分的厚度薄)产生破裂等损伤时，大气中的硫磺成分等直接侵入到其下层的银系导电胶的上面电极，并腐蚀上面电极。因此，在现有的结构中，存在不能彻底实现防止所述上面电极腐蚀的问题。
技术实现思路
本专利技术是将消除这种问题作为技术课题的专利技术。本专利技术的第1方案提供一种芯片电阻器，在绝缘基板的上面形成电阻膜和连接其两端的基于银系导电胶的上面电极，同时形成覆盖所述电阻膜的覆盖层，以使该覆盖层重叠在所述上面电极的一部分上，在所述两上面电极的上面，形成辅助上面电极，以使其对于所述覆盖层部分重叠，其特征在于重叠在所述覆盖层上、形成将其覆盖的涂层，以使该涂层部分重叠在所述辅助上面电极上，另一方面，将所述覆盖层中重叠在所述上面电极上的部分的终端延长，以使其相对于所述涂层中重叠在所述辅助上面电极上的部分的终端，只以合适尺寸处于外侧。这样，通过重叠在所述覆盖层上、形成将其覆盖的涂层，以使该涂层部分重叠在所述辅助上面电极上，另一方面，将所述覆盖层中重叠在所述上面电极上的部分的终端延长，以使其相对于所述涂层中重叠在所述辅助上面电极上的部分的终端来说，只以合适尺寸处于外侧，在所述辅助上面电极的表面中与涂层的边界部分下侧和上面电极之间，存在所述覆盖层，所以在所述辅助上面电极的表面中相对于涂层的边界部分上，在因大气中的硫磺成分等发生腐蚀时，可通过所述覆盖层可靠地阻止这种腐蚀达到所述上面电极，而且，在所述辅助上面电极的表面中相对于涂层的边界部分上发生破裂等破损时，可通过所述覆盖层可靠地阻止大气中的硫磺成分等侵入所述上面电极。因此，根据本专利技术，在用电阻小的银系导电胶形成电阻膜两端的上面电极时，可以大幅度地降低在该上面电极中因大气中的硫磺成分等产生的腐蚀。本专利技术的第2方案的特征在于，在所述第1方案中，相对于所述涂层中重叠在所述辅助上面电极上的部分的终端来说，所述覆盖层中重叠在所述上面电极上的部分的终端位于所述绝缘基板左右两侧面侧的尺寸至少在100微米以上。可是，所述辅助上面电极和涂层是通过以丝网印刷方式涂敷它们的材料而形成的，所以在这种丝网印刷时，一般而言，存在不足100微米的相对印刷偏差。因此，通过所述第2方案那样地构成，对于在进行形成所述辅助上面电极和涂层时的丝网印刷时的相对性印刷偏差来说，可以确保所述第1方案的结构。本专利技术第3方案的特征在于，在所述第1方案或第2方案中，用银以外的贱金属(base metal)系导电胶形成所述辅助上面电极，而第4方案的特征在于，在所述第1方案或第2方案中，用碳系导电树脂胶形成所述辅助上面电极。这样，通过用银以外的贱金属系导电胶形成所述辅助上面电极，或用碳系的导电树脂胶形成所述辅助上面电极，在该辅助上面电极上不产生因大气中的硫磺成分等造成的腐蚀，可以有助于上述效果、即防止上面电极的腐蚀，并且，除此以外，可以使基于银的所述上面电极厚度薄，具有实现低成本的优点。附图说明图1是表示本专利技术实施方式的芯片电阻器的纵剖面图。图2是表示第1制造工序的图。图3是表示第2制造工序的图。图4是表示第3制造工序的图。图5是表示第4制造工序的图。图6是表示第5制造工序的图。图7是表示第6制造工序的图。具体实施例方式本实施方式的芯片电阻器1，在构成为芯片型的绝缘基板2的下表面，用银系导电胶形成左右一对的下面电极3，另一方面，在所述绝缘基板2的上面，形成电阻膜4、连接到其两端的银系导电胶的左右一对的上面电极5，同时形成覆盖所述电阻膜4的玻璃等的覆盖层6，使该覆盖层6重叠在所述上面电极5的一部分上。而且，在所述两上面电极5的上面，以部分重叠在所述覆盖层6的方式形成基于银系导电胶的辅助上面电极7，在所述绝缘基板2的左右两侧面2a上，形成侧面电极8，以至少将所述下面电极3和辅助上面电极7电连接。此外，将重叠在所述覆盖层6上的基于玻璃或耐热合成树脂的涂层9以该涂层9可部分重叠在所述辅助上面电极7上的方式来形成。而且，延长所述覆盖层6中重叠在所述上面电极5上的部分的终端6a，使其相对于所述涂层9中重叠在所述辅助上面电极7上的部分的终端9a来说，只以合适尺寸S处于所述电阻膜4的外侧，即所述绝缘基板2的左右两侧面2a侧。此外，在所述下面电极3、辅助上面电极7和侧面电极8的表面上，例如由形成作为衬底的镍镀敷层、以及锡或焊料等用于焊接的镀敷层构成的金属镀敷层10。在所述结构中，在所述辅助上面电极7的表面中与涂层9的边界部分、即涂层9的终端9a部分下侧和上面电极5之间，存在所述覆盖6，所以在所述辅助上面电极7的表面中相对于涂层9的边界部分、即涂层9的终端9a部分，在因大气中的硫磺成分等发生腐蚀的情况下，可通过所述覆盖层6可靠地阻止这种腐蚀到达所述上面电极5，此外，在所述下面电极9的表面中相对于涂层的边界部分、即涂层9的终端9a的部分，在发生破裂等破损的情况下，可通过所述覆盖层6可靠地阻止大气中的硫磺等成分侵入所述上面电极5。这种结构的芯片电阻器1通过以下顺序论述的工序来制造。首先，如图2所示，在第1工序中，通过银系导电胶的丝网印刷的涂敷和其后的高温下的烧制，在绝缘基板1上形成下面电极3和上面电极5。这种情况下，先形成下面电极3，接着形成上面电极5，也可以同时形成两者。接着，如图3所示，在第2工序中，通过其材料胶的丝网印刷的涂敷和其后的高温下的烧制而在所述绝缘基板2的上面形成电阻膜4。接着，如图4所示，在第3工序中，通过其玻璃材料胶的丝网印刷的涂敷和其后的玻璃化温度下的烧制，在所述绝缘基板2的上面形成覆盖所述电阻膜4的覆盖层6。再有，在所述第2工序和第3工序之间，对所述电阻膜4进行整本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片电阻器，在绝缘基板的上面形成电阻膜和连接其两端的基于银系导电胶的上面电极，同时形成覆盖所述电阻膜的覆盖层，以使该覆盖层重叠在所述上面电极的一部分上，在所述两上面电极的上面，形成辅助上面电极，以使其部分重叠在所述覆盖层上，其特征在于：形成重叠在所述覆盖层上、将其覆盖的涂层，以使该涂层部分重叠在所述辅助上面电极上，另一方面，将所述覆盖层中重叠在所述上面电极上的部分的终端延长，以使其相对于所述涂层中重叠在所述辅助上面电极上的部分的终端，只以合适尺寸处于外侧。

【技术特征摘要】
JP 2003-2-18 2003-399631.一种芯片电阻器，在绝缘基板的上面形成电阻膜和连接其两端的基于银系导电胶的上面电极，同时形成覆盖所述电阻膜的覆盖层，以使该覆盖层重叠在所述上面电极的一部分上，在所述两上面电极的上面，形成辅助上面电极，以使其部分重叠在所述覆盖层上，其特征在于形成重叠在所述覆盖层上、将其覆盖的涂层，以使该涂层部分重叠在所述辅助上面电极上，另一方面，将所述覆盖层中重叠在所述上面电极上的部分的终端延长...

【专利技术属性】
技术研发人员：栗山尚大，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]