System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 开关元件及半导体装置制造方法及图纸_技高网

开关元件及半导体装置制造方法及图纸

技术编号:41094205 阅读:8 留言:0更新日期:2024-04-25 13:53
本发明专利技术提供一种开关元件及半导体装置,能降低源极垫与源极端子之间的导电路径中的寄生电感。作为开关元件的半导体元件具有形成着栅极垫、多个漏极垫及多个源极垫的元件正面。多个源极垫的总面积即源极面积大于多个漏极垫的总面积即漏极面积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种开关元件及半导体装置


技术介绍

1、已知有一种半导体装置,具备:半导体元件,具有形成着栅极垫、漏极垫及源极垫的元件正面;连接于半导体元件的各垫的栅极端子、漏极端子及源极端子;以及密封树脂,将半导体元件及各端子密封(例如,参照专利文献1)。

2、[
技术介绍
文献]

3、[专利文献]

4、[专利文献1]日本专利特开2022-118383号公报


技术实现思路

1、[专利技术所要解决的问题]

2、且说,在所述半导体装置中,期望降低半导体元件的源极垫与源极端子之间的导电路径中的寄生电感。

3、[解决问题的技术手段]

4、本专利技术的一形态的开关元件具有形成着栅极垫、多个漏极垫及多个源极垫的元件正面,所述多个源极垫的总面积即源极面积大于所述多个漏极垫的总面积即漏极面积。

5、本专利技术的一形态的半导体装置具备所述开关元件、密封所述开关元件的密封树脂、以及从所述密封树脂露出的栅极端子、源极端子及漏极端子。

6、[专利技术的效果]

7、根据本专利技术的开关元件及半导体装置,能够降低源极垫与源极端子之间的导电路径中的寄生电感。

【技术保护点】

1.一种开关元件,具有形成着栅极垫、多个漏极垫及多个源极垫的元件正面,且所述多个源极垫的总面积即源极面积大于所述多个漏极垫的总面积即漏极面积。

2.根据权利要求1所述的开关元件,其中

3.根据权利要求1或2所述的开关元件,其中

4.根据权利要求3所述的开关元件,其中

5.根据权利要求4所述的开关元件,其中

6.根据权利要求4或5所述的开关元件,其中

7.根据权利要求3至5中任一项所述的开关元件,其中

8.根据权利要求3至7中任一项所述的开关元件,其中

9.根据权利要求3至8中任一项所述的开关元件,其中

10.根据权利要求3至8中任一项所述的开关元件,其中

11.根据权利要求3至8中任一项所述的开关元件,其中

12.根据权利要求1至11中任一项所述的开关元件,其中

13.一种半导体装置,具备:

14.根据权利要求13所述的半导体装置,具备:

【技术特征摘要】

1.一种开关元件,具有形成着栅极垫、多个漏极垫及多个源极垫的元件正面,且所述多个源极垫的总面积即源极面积大于所述多个漏极垫的总面积即漏极面积。

2.根据权利要求1所述的开关元件,其中

3.根据权利要求1或2所述的开关元件,其中

4.根据权利要求3所述的开关元件,其中

5.根据权利要求4所述的开关元件,其中

6.根据权利要求4或5所述的开关元件,其中

7.根据权利要求3至5中任一...

【专利技术属性】
技术研发人员:田村侑也
申请(专利权)人:罗姆股份有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1