存储器装置制造方法及图纸

上位线(BL_A)在上存储器阵列(1A)和Y解码器(3)中沿着Y方向延伸。下位线(BL_B)在下存储器阵列(1B)和Y解码器中沿着Y方向延伸。所述Y解码器包括上Y线选择开关(YS_A)和下Y线选择开关(YS_B)，所述上Y线选择开关(YS_A)连接到所述上位线，所述下Y线选择开关(YS_B)连接到所述下位线，并且所述下Y线选择开关(YS_B)沿着所述Y方向布置在所述上Y线选择开关的另一侧。开关电路(SWC)构成为能够切换从而允许感测放大器(SA)与所述上Y线选择开关之间的导通或所述感测放大器与所述下Y线选择开关之间的导通。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及存储器装置。

技术介绍

1、设置有存储器单元的存储器装置是已知的。存储器单元包括存储晶体管。一些存储晶体管具有(例如)控制栅极和浮置栅极，并且将高电压施加到控制栅极允许相对于浮置栅极注入和提取电子，从而实现删除(擦除)和写入(编程)(参见例如下面识别的专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2017-174485号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的课题

2、现今，存储器装置不断地经受小型化和容量提高。如上所述的存储器单元连接到位线。随着存储器装置被赋予更高的容量，连接到位线的存储器单元的数量增加，导致在高温下通过存储器单元的漏电流增加。此外，随着存储器装置被赋予更高的容量，位线的布线长度增加，导致位线上的寄生电容增加。漏电流和寄生电容的这些增加影响从存储器单元读取数据方面的数据读取特性。另一方面，随着存储器装置被制造得更小，布线空间变得越来越难以确保。

3、鉴于上述情况，本公开的目的是提供一种允许小型化本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器装置，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，还包括：

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中

4.根据权利要求2所述的存储器装置，其中

5.根据权利要求2到4中任一权利要求所述的存储器装置，其中

6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的存储器装置，其中

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种存储器装置，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，还包括：

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中

4.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：今井丈晴，久保天外，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：