【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及一种存储器设备和存储器设备的操作方法，并且更具体地，涉及一种被配置为执行编程操作的存储器设备和存储器设备的操作方法。
技术介绍
1、存储器设备可以包括：存储器单元阵列，其中存储有数据；外围电路，被配置为执行编程、读取或擦除操作；以及控制逻辑，被配置为控制外围电路。
2、存储器单元阵列可以包括多个存储器块，并且多个存储器块中的每一个可以包括多个串。串中的每一个可以包括存储器单元。在以三维结构形成的存储器设备中，串可以自衬底在垂直方向上延伸。因此，存储器单元可以在衬底上在垂直方向上堆叠。
3、外围电路可以通过字线和位线而连接到存储器单元阵列。外围电路可以通过调整施加到字线和位线的电压来编程、读取或擦除被包括在存储器单元阵列中的存储器单元。
4、控制电路可以响应于命令和地址来控制外围电路。控制电路可以包括被配置为允许响应于命令来执行编程、读取或擦除操作的软件。控制电路可以包括被配置为将地址划分为行地址和列地址并且在软件的控制下输出各种信号的硬件。
5、存储器单元可以根据编程方式存储一位或更多位数据。例如，可以以单层单元(slc)方式、多层单元(mlc)方式、三层单元(tlc)方式、四层单元(qlc)方式等对存储器单元进行编程。在slc方式中，一位数据可以被存储在一个存储器单元中。在mlc方式中，两位数据可以被存储在一个存储器单元中。在tlc方式中，三位数据可以被存储在一个存储器单元中。在qlc方式中，四位数据可以被存储在一个存储器单元中。此外，五位或更多位数据可以被存储在
6、随着存储在一个存储器单元中的数据的位数增加，存储不同数据的存储器单元的阈值电压之间的距离变窄，并且因此，存储器设备可能不太可靠。
技术实现思路
1、根据本公开的一个实施例，一种存储器设备包括：多个存储器单元，被连接在字线和位线之间；电压生成器，被配置为生成被施加到字线的编程电压或通过电压；页缓冲器组，被配置为将编程允许电压或编程禁止电压施加到位线；以及控制电路，被配置为响应于命令来控制电压生成器和页缓冲器组。在与字线之中的被选择的字线连接的被选择的存储器单元的编程操作中，控制电路控制页缓冲器组以使得编程允许电压根据对被选择的存储器单元执行的编程循环的次数而逐步增加。
2、根据本公开，一种操作存储器设备的方法包括：在编程电压被施加到与被选择的存储器单元连接的被选择的字线期间，将编程禁止电压施加到与未被选择的存储器单元连接的未被选择的位线；在编程电压被施加到被选择的字线的期间，将第一编程允许电压施加到与被选择的存储器单元之中具有低于子验证电压的阈值电压的存储器单元连接的第一被选择的位线；在编程电压被施加到被选择的字线的期间，将高于第一编程允许电压的第二编程允许电压施加到与被选择的存储器单元之中具有介于在主验证电压和子验证电压之间的阈值电压的存储器单元连接的第二被选择的位线，该主验证电压高于该子验证电压；以及根据对被选择的存储器单元执行的编程循环的次数，将高于第二编程允许电压的第三编程允许电压施加到被施加第二编程允许电压的第二被选择的位线。
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1.一种存储器设备，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述页缓冲器组包括与所述位线连接的页缓冲器，以及
3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述页缓冲器组被配置为：
4.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述页缓冲器组被配置为：在所述编程电压被施加到所述被选择的字线的期间，将所述编程允许电压施加到所述位线之中的被选择的位线。
5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述编程允许电压被设置为低于所述编程禁止电压。
6.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述控制电路被配置为：
7.根据权利要求6所述的存储器设备，其中所述控制电路控制所述页缓冲器组以执行如下操作：
8.根据权利要求7所述的存储器设备，其中，在所述编程电压被施加到所述被选择的字线的期间，所述控制电路控制所述页缓冲器组以将所述第二编程允许电压施加到与所述被选择的存储器单元之中具有介于所述子验证电压和所述主验证电压之间的阈值电压的存储器单元连接的位线，或者将所述第二编程允许电压和所述第三编程允许电压施加到与在所述被选择的
9.根据权利要求8所述的存储器设备，其中所述控制电路控制所述页缓冲器组以使得随着所述编程循环的次数增加，所述第三编程允许电压的电平变得更高。
10.根据权利要求8所述的存储器设备，其中所述控制电路控制所述页缓冲器组以使得随着所述编程循环的次数增加，所述第三编程允许电压被施加的时间变得更早，使得所述第三编程允许电压被施加的时间区间变得更长。
11.根据权利要求8所述的存储器设备，其中所述控制电路控制所述页缓冲器组以使得随着所述编程循环的次数增加，所述第三编程允许电压的电平变得更高，并且所述第三编程允许电压被施加的时间变得更早，使得所述第三编程允许电压被施加的时间区间变得更长。
12.根据权利要求8所述的存储器设备，其中，当所述编程循环的次数等于或小于参考次数时，所述控制电路控制所述页缓冲器组以将所述第二编程允许电压恒定地施加到与具有介于所述子验证电压和所述主验证电压之间的阈值电压的存储器单元连接的位线。
13.根据权利要求8所述的存储器设备，其中，当所述编程循环的次数大于参考次数时，所述控制电路控制所述页缓冲器组以使得在所述第二编程允许电压被施加到与具有介于所述子验证电压和所述主验证电压之间的阈值电压的存储器单元连接的位线一定时间之后，所述第三编程允许电压的电平随着编程循环的次数的增加而变得更高。
14.根据权利要求8所述的存储器设备，其中，当所述编程循环的次数大于参考次数时，所述控制电路控制所述页缓冲器组以在所述第二编程允许电压被施加到与具有介于所述子验证电压和所述主验证电压之间的阈值电压的存储器单元连接的位线一定时间之后，施加具有恒定电平的所述第三编程允许电压。
15.根据权利要求14所述的存储器设备，其中所述控制电路控制所述页缓冲器组以使得所述第三编程允许电压被施加到所述位线的时间随着所述编程循环的次数增加而变得更早，使得所述第三编程允许电压被施加的时间区间变得更长。
16.根据权利要求8所述的存储器设备，其中，当所述编程循环的次数大于参考次数时，所述控制电路控制所述页缓冲器组以在所述第二编程允许电压被施加到与具有介于所述子验证电压和所述主验证电压之间的阈值电压的存储器单元连接的位线一定时间之后，将所述第三编程允许电压施加到所述位线，以使得随着所述编程循环的次数增加，所述第三编程允许电压的电平变得更高，并且所述第三编程允许电压被施加到所述位线的时间变得更早，使得所述第三编程允许电压被施加的时间区间变得更长。
17.一种操作存储器设备的方法，所述方法包括：
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述第三编程允许电压低于所述编程禁止电压。
19.根据权利要求17所述的方法，其中，随着所述编程循环的次数增加，所述第三编程允许电压的电平变得更高。
20.根据权利要求17所述的方法，其中，随着所述编程循环的次数增加，所述第三编程允许电压被施加到所述第二被选择的位线的时间变得更早，使得所述第三编程允许电压被施加的时间区间变得更长。
21.根据权利要求17所述的方法，其中，当所述编程循环的次数等于或小于参考次数时，所述第二编程允许电压被恒定地施加到所述第二被选择的位线。
22.根据权利要求17所述的方法，其中，当所述编程循环的次数大于参考次数时，在所述第二编程允许电压被施加到所述第二被选择...
【技术特征摘要】
1.一种存储器设备，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述页缓冲器组包括与所述位线连接的页缓冲器，以及
3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述页缓冲器组被配置为：
4.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述页缓冲器组被配置为：在所述编程电压被施加到所述被选择的字线的期间，将所述编程允许电压施加到所述位线之中的被选择的位线。
5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述编程允许电压被设置为低于所述编程禁止电压。
6.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述控制电路被配置为：
7.根据权利要求6所述的存储器设备，其中所述控制电路控制所述页缓冲器组以执行如下操作：
8.根据权利要求7所述的存储器设备，其中，在所述编程电压被施加到所述被选择的字线的期间，所述控制电路控制所述页缓冲器组以将所述第二编程允许电压施加到与所述被选择的存储器单元之中具有介于所述子验证电压和所述主验证电压之间的阈值电压的存储器单元连接的位线，或者将所述第二编程允许电压和所述第三编程允许电压施加到与在所述被选择的存储器单元之中具有介于所述子验证电压和所述主验证电压之间的所述阈值电压的所述存储器单元连接的所述位线。
9.根据权利要求8所述的存储器设备，其中所述控制电路控制所述页缓冲器组以使得随着所述编程循环的次数增加，所述第三编程允许电压的电平变得更高。
10.根据权利要求8所述的存储器设备，其中所述控制电路控制所述页缓冲器组以使得随着所述编程循环的次数增加，所述第三编程允许电压被施加的时间变得更早，使得所述第三编程允许电压被施加的时间区间变得更长。
11.根据权利要求8所述的存储器设备，其中所述控制电路控制所述页缓冲器组以使得随着所述编程循环的次数增加，所述第三编程允许电压的电平变得更高，并且所述第三编程允许电压被施加的时间变得更早，使得所述第三编程允许电压被施加的时间区间变得更长。
12.根据权利要求8所述的存储器设备，其中，当所述编程循环的次数等于或小于参考次数时，所述控制电路控制所述页缓冲器组以将所述第二编程允许电压恒定地施加到与具有介于所述子验证电压和所述主验证电压之间的阈值电压的存储器单元连接的位线。
13.根据权利要求8所述的存储器设备，其中，当所述编程循环的次数大于参考次数时，所述控制电路控制所述页缓冲器组以使得在所述第二编程允许电压被施加到与具有介于所述子验证电压和所述主验证电压之间的阈值电压的存储器单元连接的位线一定时间之后，所述第三编程允许电压的电平随着编程循环的次数的增加而变得更高。
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【专利技术属性】
技术研发人员：崔永焕，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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