【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及计算控制芯片和soc集成电路领域，半导体器件测试领域，尤其是指一种嵌入式flash内建自测试及故障扇区修复方法。
技术介绍
1、随着集成电路工艺的发展与进步，嵌入式flash已经成为计算控制芯片、soc产品领域必不可少的部分。嵌入式flash容量也逐步增大，其在soc芯片中的面积占比的扩大意味着更易出现故障或缺陷，这对整个芯片的可靠性和性能提出了新的挑战。为了确保嵌入式flash在高容量和高性能要求下的稳定运行，必须采取有效的测试策略和技术，以最大程度地降低制造过程中的缺陷率，从而提高芯片的总体质量和可靠性。
2、当前的技术在面对故障较少的扇区时，存在对这些扇区的过于严格的处理方式，将其直接当作坏片，这导致了不必要的资源浪费和芯片良率的降低。在目前的做法中，对于故障较少的扇区，通常被视为整个芯片的缺陷，从而导致这些本质上可用的部分被废弃，增加了芯片的生产成本和降低了良率。此外，由于嵌入式flash的容量不断增大，面对整个soc芯片的存储器模块越来越庞大，这种过于保守的处理方式也加剧了对故障或缺陷的担忧，制约了整...
【技术保护点】
1.一种嵌入式Flash内建自测试及故障扇区修复方法，所述修复方法基于嵌入式Flash的SoC集成电路进行故障扇区地址检测和故障扇区替换，其特征在于，故障扇区地址检测包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述内建自测试及故障扇区修复方法，其特征在于：修复方法中还包括有故障扇区替换，具体如下步骤：
3.根据权利要求1所述内建自测试及故障扇区修复方法，其特征在于：其中嵌入式Flash具有内建自测试电路结构，能够检测故障扇区并通过冗余扇区替换故障扇区，且嵌入式Flash包括：
4.根据权利要求3所述内建自测试及故障扇区修复方法，其特征在于：所...
【技术特征摘要】
1.一种嵌入式flash内建自测试及故障扇区修复方法，所述修复方法基于嵌入式flash的soc集成电路进行故障扇区地址检测和故障扇区替换，其特征在于，故障扇区地址检测包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述内建自测试及故障扇区修复方法，其特征在于：修复方法中还包括有故障扇区替换，具体如下步骤：
3.根据权利要求1所述内建自测试及故障扇区修复方法，其特征在于：其中嵌入式flash具有内建自测试电路结构，能够检测故障扇区并通过冗余扇区替换故障扇区，且嵌入式flash...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨金烨，傅建军，刘云晶，刘梦影，
申请(专利权)人：中科芯集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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