存储装置制造方法及图纸

提供一种存储装置。所述存储装置包括存储器装置和装置控制器，存储器装置包括：存储器单元阵列，被划分为包括第一区域和第二区域的多个区域。装置控制器被配置为控制所述存储装置，以便允许存储器装置使用第一初始编程电压将第一数据编程到第一区域中，并且使用具有与第一初始编程电压不同的幅度的第二初始编程电压将第二数据编程到第二区域中。

【技术实现步骤摘要】

公开涉及存储装置及其操作方法。

技术介绍

1、正在不断开发具有更大容量的存储装置。例如，一种方法是在nand闪存中使用堆叠结构，而另一种方法是增加单元位密度。两种方法旨在增加装置的整体容量。当增加存储装置的容量时，由于制造工艺的变化，性能可能在存储器的所有区域上不一致。这可能导致依赖存储器的区域的程序执行时间的差异。

技术实现思路

1、一些实施例可提供可改善和/或维持性能一致性的存储装置及其操作方法。

2、根据一些实施例，存储装置可包括存储器装置和装置控制器。存储器装置可包括：存储器单元阵列，被划分为包括第一区域和第二区域的多个区域。装置控制器可控制存储装置，使得存储器装置使用第一初始编程电压将第一数据编程到第一区域中，并且使用具有与第一初始编程电压不同的幅度的第二初始编程电压将第二数据编程到第二区域中。

3、根据一些实施例，存储装置可包括电源管理装置、装置控制器、分压器、开关电路和存储器单元阵列。电源管理装置可被配置为供应第一初始编程电压，并且装置控制器可被配置为输出控制信号。分压器本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储装置，包括：

2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，第一区域具有比第二区域长的编程时间，并且

3.根据权利要求1所述的存储装置，其中，存储器单元阵列具有包括基底的垂直结构，并且

4.根据权利要求3所述的存储装置，其中，第一初始编程电压在幅度上高于第二初始编程电压。

5.根据权利要求1所述的存储装置，还包括：电源管理装置，被配置为通过电压供应线供应第一初始编程电压，并且

6.根据权利要求5所述的存储装置，其中，装置控制器还被配置为在第一数据将被编程到第一区域中时输出第一控制信号，并且在第二数据将被编程到第二区域中时输...

【技术特征摘要】

1.一种存储装置，包括：

2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，第一区域具有比第二区域长的编程时间，并且

3.根据权利要求1所述的存储装置，其中，存储器单元阵列具有包括基底的垂直结构，并且

4.根据权利要求3所述的存储装置，其中，第一初始编程电压在幅度上高于第二初始编程电压。

5.根据权利要求1所述的存储装置，还包括：电源管理装置，被配置为通过电压供应线供应第一初始编程电压，并且

6.根据权利要求5所述的存储装置，其中，装置控制器还被配置为在第一数据将被编程到第一区域中时输出第一控制信号，并且在第二数据将被编程到第二区域中时输出第二控制信号，并且

7.根据权利要求1所述的存储装置，还包括：

8.根据权利要求1所述的存储装置，还包括：

9.根据权利要求8所述的存储装置，其中，装置控制器还被配置为在第一数据将被编程到第一区域中时输出第一控制信号，并且在第二数据将被编程到第二区域中时输出第二控制信号，并且

10.根据权利要求1所述的存储装置，还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：李承翰，金范俊，郑宝敦，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：