【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及半导体装置。
技术介绍
1、以往，公知一种具备mosfet(metal oxide semiconductor field effecttransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)、igbt(insulated gate bipolartransistor，绝缘栅双极晶体管)等功率用半导体元件的半导体装置。在这样的半导体装置中，公知为了确保半导体装置的容许电流，而将多个功率用半导体元件并联连接的结构(例如专利文献1)。专利文献1所记载的半导体装置(功率模块)具备多个第一半导体元件、多个第一连接配线、配线层以及信号端子。多个第一半导体元件例如由mosfet构成。各第一半导体元件根据输入到栅极端子的驱动信号来进行接通、断开驱动。多个第一半导体元件并联连接。多个第一连接配线例如是引线，将多个第一半导体元件的栅极端子与配线层连接。配线层供信号端子连接。信号端子经由配线层以及各第一连接配线而与各第一半导体元件的栅极端子连接。信号端子将用于驱动各第一半导体元件的驱动信号供给至各第一半导体元件的栅极端子。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2016－225493号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、如专利文献1那样，在将多个半导体元件并联连接来使用的情况下，有时在各半导体元件的开关时(接通、断开驱动时)产生振荡现象。该振荡现象有时使多个半导体元件的驱动信号振动，是各半导体元件误动作或者各半导体
3、本公开是鉴于上述情况而研究出的方案，一个课题是提供一种半导体装置，能够抑制使多个半导体元件并联动作的情况下产生的振荡现象。
4、用于解决课题的方案
5、本公开的半导体装置具备：两个第一半导体元件，其分别具有第一电极、第二电极以及第三电极，且根据向上述第三电极输入的第一驱动信号，来控制接通状态与断开状态的切换；第一导体，其以电方式介于上述两个第一半导体元件的上述第一电极之间；以及第一功率端子，其与上述第一导体电连接，且与上述两个第一半导体元件各自的上述第一电极导通。上述两个第一半导体元件电并联连接。在上述第一导体的厚度方向上观察时，上述第一导体配置为避开连结上述两个第一半导体元件的中心的第一线段的一部分。
6、专利技术的效果
7、根据本公开的半导体装置，能够抑制振荡现象。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，还具备：
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
10.根据权利要求8或9所述的半导体装置，其特征在于，
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，
13.根据权利要求11或12所述的半导体装置，其特征在于，
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，
15.根据权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，
16.根据权利要求15所述的半
17.根据权利要求16所述的半导体装置，其特征在于，
18.根据权利要求17所述的半导体装置，其特征在于，
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，还具备：
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
10.根据权利要求...
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