System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 半导体集成电路装置的宏模型、电路设计仿真程序和电路设计仿真器制造方法及图纸_技高网

半导体集成电路装置的宏模型、电路设计仿真程序和电路设计仿真器制造方法及图纸

技术编号:41317493 阅读:3 留言:0更新日期:2024-05-13 14:58
根据本文公开的内容的一个方面,一种半导体集成电路装置的宏模型10用于在电路设计仿真器上使用,并且包括:输入节点14,所述输入节点构成为接受第二温度条件Ta2的输入,所述第二温度条件是与为所述电路设计仿真器的整个系统设置的第一温度条件Ta1分开地且特定地设置的;功能块11和12,所述功能块构成为近似地或等效地表示所述电路设计仿真器上的所述半导体集成电路装置的特性;以及特性设置块13,所述特性设置块构成为设置所述功能块11和12的内部参数(例如,V、R、C),以便当所述输入节点14被供给所述第二温度条件Ta2时反映所述第二温度条件Ta2。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本文公开的专利技术涉及半导体集成电路装置的宏模型,并且涉及采用这种宏模型的电路设计仿真程序和电路设计仿真器。


技术介绍

1、通常,作为用于辅助半导体集成电路装置的设计的工具,广泛使用电路设计仿真程序(例如,spice[以集成电路为重点的仿真程序]电路设计仿真程序)。电路设计仿真程序是使执行它的计算机用作电路设计仿真器的软件程序。在电路设计仿真器上,可以通过将各种仿真模型(诸如电阻器和电容器的无源元件模型、诸如晶体管和二极管的有源元件模型、以及诸如运算放大器的宏模型)与电压源、电流源、布线等相组合以对电路的响应进行仿真来创建模拟电路。

2、与刚才提到的内容相关的已知技术的示例见于下面标识的专利文献1中。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1:日本特开2012-216187号公报


技术实现思路

1、专利技术所解决的课题

2、不方便的是,常规的宏模型在温度条件的设置方面留下了改进的空间。

3、鉴于本专利技术人遇到的上述问题,本文公开的专利技术的目的是提供允许自由设置温度条件的半导体集成电路装置的宏模型,并且提供采用这种宏模型的电路设计仿真程序和电路设计仿真器。

4、解决课题的手段

5、例如,根据本文公开的内容的一个方面,一种半导体集成电路装置的宏模型用于在电路设计仿真器上使用,并且包括:输入节点,所述输入节点构成为接受第二温度条件的输入,所述第二温度条件是与为所述电路设计仿真器的整个系统设置的第一温度条件分开地且特定地设置的;功能块,所述功能块构成为近似地或等效地表示所述电路设计仿真器上的所述半导体集成电路装置的特性;以及特性设置块,所述特性设置块构成为设置所述功能块的内部参数,以便当所述输入节点被供给所述第二温度条件时反映所述第二温度条件。

6、参考结合附图对本专利技术的优选实施方式的以下详细描述,本专利技术的其他特征、元件、步骤、益处和特性将变得更清楚。

7、专利技术效果

8、利用本文公开的本专利技术,可以提供允许自由设置温度条件的半导体集成电路装置的宏模型,并且可以提供采用这种宏模型的电路设计仿真程序和电路设计仿真器。

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【技术保护点】

1.一种用于在电路设计仿真器上使用的半导体集成电路装置的宏模型,包括:

2.根据权利要求1所述的宏模型,

3.根据权利要求1或2所述的宏模型,

4.根据权利要求1至3中任一项所述的宏模型,

5.根据权利要求4所述的宏模型,

6.根据权利要求1至5中任一项所述的宏模型,

7.根据权利要求6所述的宏模型,

8.一种由包括计算部的计算机执行以使所述计算机用作电路设计仿真器的电路设计仿真程序,

9.根据权利要求8所述的电路设计仿真程序,所述程序包括构成为仿真安装在电路板上的不同位置处的多个半导体集成电路装置的多个宏模型作为所述至少一个宏模型,

10.一种电路设计仿真器,所述电路设计仿真器通过计算机执行根据权利要求8或9所述的电路设计仿真程序来实施。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种用于在电路设计仿真器上使用的半导体集成电路装置的宏模型,包括:

2.根据权利要求1所述的宏模型,

3.根据权利要求1或2所述的宏模型,

4.根据权利要求1至3中任一项所述的宏模型,

5.根据权利要求4所述的宏模型,

6.根据权利要求1至5中任一项所述的宏模型,

7.根据权利要求6所述的宏模型,

【专利技术属性】
技术研发人员:丸本共治片山卓也
申请(专利权)人:罗姆股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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