【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及一种半导体封装及其制造方法，并且更具体地，涉及一种扇出型半导体封装及其制造方法。
技术介绍
1、由于电子工业的快速发展和用户的需求，电子设备变得更小和更轻，具有更多功能，并且具有更高容量，并且因此，需要高度集成的半导体芯片。因此，已经设计出了包括具有增加数量的用于输入/输出(i/o)的连接端子并确保连接可靠性的高度集成的半导体芯片的半导体封装。例如，为了减少或防止连接端子之间的干扰，正在开发一种在连接端子之间具有增加的距离的扇出型半导体封装。
技术实现思路
1、本专利技术构思提供了一种半导体封装以及制造该半导体封装的方法，该半导体封装由于使用多层光刻胶根据设计规则准确形成具有高纵横比的导电柱而具有提高的可靠性和生产率。
2、另外，本专利技术构思所要实现的技术目的并不限于上述技术目的，并且本领域的普通技术人员可以通过以下描述清楚地理解其他技术目的。
3、根据本专利技术构思的一些实施例，提供了一种制造半导体封装的方法，该方法包括：形成第一布线结构，该第一布线结构包括第一绝缘层和多个第一布线图案，该多个第一布线图案在第一绝缘层中，并且包括多个第一连接焊盘，第一布线结构包括芯片安装区域和围绕(例如，环绕)芯片安装区域延伸的外部区域；在第一布线结构上形成(例如，涂覆)多层光刻胶；通过对多层光刻胶进行曝光和显影来在外部区域上的多层光刻胶中形成多个开口；通过在多个开口中形成导电材料(例如，通过用导电材料填充多个开口)来形成多个导电柱，该多个导电柱分别连接
4、根据本专利技术构思的一些其他实施例，提供了一种制造半导体封装的方法，该方法包括：形成第一布线结构，该第一布线结构包括芯片安装区域和围绕(例如，环绕)芯片安装区域延伸的外部区域；在第一布线结构上涂覆并烘烤具有第一透光率的第一光刻胶层；在第一光刻胶层上涂覆并烘烤具有第二透光率的第二光刻胶层；在第二光刻胶层上涂覆并烘烤具有第三透光率的第三光刻胶层；通过对第一光刻胶层、第二光刻胶层和第三光刻胶层进行曝光和显影，在外部区域上的第一光刻胶层、第二光刻胶层和第三光刻胶层中形成多个开口；通过单次电镀工艺在多个开口中形成(例如，填充)导电材料，分别在多个开口中形成多个导电柱；去除第一光刻胶层、第二光刻胶层和第三光刻胶层；在第一布线结构的芯片安装区域上设置半导体芯片；形成其中设置有半导体芯片和多个导电柱的密封物；以及在密封物上形成第二布线结构，其中，第一透光率、第二透光率和第二透光率中的至少一个透光率与其他透光率不同。在一些实施例中，密封物可以围绕半导体芯片和多个导电柱。
5、根据本专利技术构思的一些其他实施例，提供了一种半导体封装，包括：第一再分布结构，包括第一再分布绝缘层和多个第一再分布图案，该多个第一再分布图案在第一再分布绝缘层中，并且包括多个第一底表面连接焊盘和多个第一顶表面焊盘；第一半导体芯片，安装在第一再分布结构的第一芯片安装区域上；第二再分布结构，在第一半导体芯片和第一再分布结构上，并且包括第二再分布绝缘层和多个第二再分布图案，该多个第二再分布图案在第二再分布绝缘层中，并且包括多个第二底表面连接焊盘和多个第二顶表面连接焊盘；第二半导体芯片，安装在第二再分布结构上的第二芯片安装区域上；多个导电柱，与第一半导体芯片相邻(例如，围绕第一半导体芯片布置)，并将多个第一顶表面连接焊盘中的第一顶表面连接焊盘分别连接(例如，电连接)到多个第二底表面连接焊盘；以及密封物，在第一再分布结构和第二再分布结构之间的空间中(例如，填充第一再分布结构和第二再分布结构之间的空间)。多个导电柱和第一半导体芯片在密封物中。多个导电柱中的每个导电柱包括顺序地堆叠在多个第一顶表面连接焊盘中的相应的一个第一顶表面连接焊盘上的第一部分、第二部分和第三部分，第一部分、第二部分和第三部分的水平宽度中的至少一个水平宽度与其他水平宽度不同。多个导电柱中的每个导电柱的第一部分和第二部分在宽度上具有阶梯差，并且第二部分和第三部分在宽度上具有阶梯差。在一些实施例中，多个导电柱中的每个导电柱可以具有凹凸形状。在一些实施例中，第一再分布绝缘层可以围绕多个第一再分布图案，第二再分布绝缘层可以围绕多个第二再分布图案，并且密封物可以围绕多个导电柱和第一半导体芯片。
6、根据本专利技术构思的一些其他实施例，提供了一种制造半导体封装的方法，该方法包括：形成第一布线结构，该第一布线结构包括第一绝缘层和多个第一布线图案，该多个第一布线图案在第一绝缘层中，并且包括多个第一连接焊盘；在第一布线结构上形成多层光刻胶，该多层光刻胶包括第一光刻胶层和第二光刻胶层，并且第一光刻胶层在第一布线结构和第二光刻胶层之间延伸，并且具有与第二光刻胶层的第二透光率不同的第一透光率；在多层光刻胶中形成多个开口；分别在多个开口中形成多个导电柱；去除多层光刻胶；在第一布线结构上设置半导体芯片，该半导体芯片与多个导电柱间隔开；形成其中设置有半导体芯片和多个导电柱的密封物；以及在密封物上形成第二布线结构，该第二布线结构包括第二绝缘层和多个第二布线图案，该多个第二布线图案在第二绝缘层中，并且包括多个第二连接焊盘。多个导电柱中的每个导电柱可以电连接到多个第一连接焊盘中的相应的一个第一连接焊盘和多个第二连接焊盘中的相应的一个第二连接焊盘。
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1.一种制造半导体封装的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多层光刻胶的厚度为260μm至500μm。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述多层光刻胶包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一透光率大于所述第二透光率，并且
5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述多层光刻胶包括光敏材料，所述光敏材料包括树脂、溶剂、光活性化合物PAC、光产酸剂PAG和添加剂，并且
6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述多个导电柱中的每个导电柱包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述多个导电柱是通过单次电镀工艺形成的。
8.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述多层光刻胶包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一透光率大于所述第二透光率。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述多个导电柱中的每个导电柱包括：
11.一种制造半导体封装的方法，所述方法包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第
13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一透光率大于所述第二透光率，并且所述第二透光率大于所述第三透光率，并且
14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述多个导电柱的厚度为至少200μm，并且
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述多个导电柱中的每个导电柱包括：
16.一种半导体封装，包括：
17.根据权利要求16所述的半导体封装，其中，所述多个导电柱中的每个导电柱的厚度为至少200μm，
18.根据权利要求16所述的半导体封装，其中，所述多个导电柱中的每个导电柱的厚度为至少200μm，
19.根据权利要求16所述的半导体封装，其中，所述多个导电柱中的每个导电柱的厚度为至少200μm，
20.根据权利要求16所述的半导体封装，其中，所述多个导电柱中的每个导电柱的厚度为至少200μm，
21.一种制造半导体封装的方法，所述方法包括：
22.根据权利要求21所述的方法，其中，所述第一透光率大于所述第二透光率。
23.根据权利要求22所述的方法，其中，所述多层光刻胶还包括具有第三透光率的第三光刻胶层，并且所述第二光刻胶层在所述第一光刻胶层和所述第三光刻胶层之间延伸，并且
24.根据权利要求21所述的方法，其中，所述多个导电柱是通过单次电镀工艺形成的。
25.根据权利要求21所述的方法，其中，所述多个导电柱中的每个导电柱包括形成在所述第一光刻胶层中的第一部分和形成在所述第二光刻胶层中的第二部分，并且
...【技术特征摘要】
1.一种制造半导体封装的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多层光刻胶的厚度为260μm至500μm。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述多层光刻胶包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一透光率大于所述第二透光率，并且
5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述多层光刻胶包括光敏材料，所述光敏材料包括树脂、溶剂、光活性化合物pac、光产酸剂pag和添加剂，并且
6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述多个导电柱中的每个导电柱包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述多个导电柱是通过单次电镀工艺形成的。
8.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述多层光刻胶包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一透光率大于所述第二透光率。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述多个导电柱中的每个导电柱包括：
11.一种制造半导体封装的方法，所述方法包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一光刻胶层、所述第二光刻胶层和所述第三光刻胶层的厚度之和为260μm至500μm。
13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一透光率大于所述第二透光率，并且所述第二透光率大于所述第三透光率，并且
14.根据...
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