【技术实现步骤摘要】
本说明书公开的技术涉及具备多个沟槽栅的半导体装置及其制造方法。
技术介绍
1、具备多个沟槽栅的mosfet及igbt等半导体装置的开发正在被推进。这样的半导体装置通过在半导体衬底的一方的主面形成多个沟槽之后在该多个沟槽的各自中形成沟槽栅来制造。在专利文献1中公开了这样的具备多个沟槽栅的半导体装置的一例。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2020－126932号公报
技术实现思路
1、在具备多个沟槽栅的半导体装置中，为了减小导通电阻，希望通过缩短相邻的沟槽栅之间的距离而使沟道面积增加。为了缩短相邻的沟槽栅之间的距离，在形成多个沟槽时，必须对半导体衬底的一方的主面进行加工以使相邻的沟槽之间的距离变短。此时，残留在相邻的沟槽之间的半导体衬底的一部分被加工为薄板状。因此，担心该薄板状的半导体衬底的一部分的图案(pattern)坍塌。特别是，如果如在专利文献1中公开的那样缩短相邻的沟槽栅之间的距离以使相邻的沟槽栅之间的整体成为沟道，则图案坍塌的问题显著化。在具备多个沟槽栅的半导体装置中，需要用来抑制这样的制造工序中的图案坍塌的技术。
2、本说明书公开的半导体装置，可以具备：半导体衬底，是具有第1主面和第2主面的半导体衬底，沿着上述半导体衬底的厚度方向依次配置有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域和第1导电型的第3半导体区域，上述第3半导体区域设于在上述第1主面露出的位置；以及多个沟槽栅，以从上述半导体衬
3、在上述半导体装置中，被相邻的沟槽栅夹着的上述半导体衬底的一部分包括上述主干部和上述分支部。上述分支部以从薄板状的上述主干部的侧面突出的方式形成。因此，上述分支部能够发挥功能以支承上述主干部。这样，上述半导体装置具备能够抑制制造工序中的图案坍塌的构造。
4、本说明书公开的半导体装置的制造方法，可以具备：沟槽形成工序，是在具有第1主面和第2主面的半导体衬底的上述第1主面形成多个沟槽的沟槽形成工序，沿着上述半导体衬底的厚度方向依次配置有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域和第1导电型的第3半导体区域，上述第3半导体区域设于在上述第1主面露出的位置，上述多个沟槽分别形成为，从上述半导体衬底的上述第1主面超越上述第3半导体区域及上述第2半导体区域而达到上述第1半导体区域；以及对于上述多个沟槽分别形成沟槽栅的工序。在将上述半导体衬底俯视时，上述多个沟槽栅分别可以沿着第1方向相互隔开间隔而配置。在将上述半导体衬底俯视时，被在上述第1方向上相邻的沟槽栅夹着的上述半导体衬底的一部分可以具有沿着与上述第1方向正交的第2方向延伸的主干部和从上述主干部突出的分支部。
5、由上述制造方法制造的半导体装置中，被相邻的沟槽栅夹着的上述半导体衬底的一部分包括上述主干部和上述分支部。上述分支部以从薄板状的上述主干部的侧面突出的方式形成。因此，上述分支部能够发挥功能以支承上述主干部。这样，在上述半导体装置的制造方法中，当由上述沟槽形成工序形成了多个沟槽时，能抑制被相邻的沟槽夹着的上述半导体衬底的一部分的图案坍塌。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，
8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
9.如权利要求7或8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。