System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() DC/DC转换器的控制电路、电源电路、电子机器制造技术_技高网

DC/DC转换器的控制电路、电源电路、电子机器制造技术

技术编号:41263551 阅读:5 留言:0更新日期:2024-05-11 09:20
本揭示提供一种能解决所述问题中的至少一个的DC/DC转换器的控制电路、电源电路、电子机器。负载开关驱动电路驱动连接在高侧晶体管与负载之间的晶体管也就是负载开关。负载开关驱动电路构成为能切换(i)使PMOS晶体管完全接通的第1模式;及(ii)将对应于第1错误放大器的输出信号的驱动电压供给到PMOS晶体管的栅极的第2模式。电荷泵电路至少在升压DC/DC转换器的启动期间动作。第1整流元件对自举引脚施加电荷泵电路的输出电压。

【技术实现步骤摘要】

本揭示涉及一种dc/dc转换器。


技术介绍

1、为了使需要高于电源电压的电压的器件动作,使用升压dc/dc转换器(boostconverter)。升压dc/dc转换器在输入线与输出线之间,经由电感器及高侧晶体管的本体二极管时常导通。因此,在升压dc/dc转换器停止期间,也在输出线中产生与输入电压相等的电压,并供给到负载。

2、在升压dc/dc转换器停止期间,想要防止对负载供给电压的情况下,对高侧晶体管与输出线之间插入负载开关。或者,也有取代负载开关,而在输入线与电感器之间插入高侧开关的情况。在升压dc/dc转换器停止期间,通过将负载开关或高侧开关断开,能防止在输出线产生电压。

3、[
技术介绍
文献]

4、[专利文献]

5、[专利文献1]日本专利特开2005-130622号公报


技术实现思路

1、[专利技术要解决的问题]

2、本专利技术者等人对具备负载开关或高侧开关的升压dc/dc转换器进行研讨,结果认识到以下问题。另外,不可将这些问题作为本领域技术人员一般的认知。

3、如果升压dc/dc转换器的输入电压vin变动,超出输出电压vout的目标电平vout(ref),那么在输出线产生电压vin-vf。在输入电压vin较高的情况下,担心将过电压供给到负载。

4、此外,有升压dc/dc转换器对开关的占空系数设定最小值的情况。所述情况下,因接地等而变为过电流状态的情况下,由于无法使占空系数小于最小值,所以可能会持续流动过电流。

5、本揭示是鉴于所述问题而完成的,其例示性目的之一在于提供一种能解决所述问题中的至少一个的控制电路。

6、[解决问题的技术手段]

7、本揭示的某方面涉及一种具有n型高侧晶体管及低侧晶体管的升压dc/dc转换器的控制电路。控制电路具备:自举引脚,应与自举电容器的一端连接;电荷泵电路,至少在升压dc/dc转换器的启动期间动作;第1整流元件,对自举引脚施加电荷泵电路的输出电压;脉冲调制器,包含将对应于升压dc/dc转换器的输出电压的反馈信号与基准电压的误差放大的第1错误放大器,产生根据第1错误放大器的输出信号调制脉冲的脉冲信号;逻辑电路,基于脉冲信号,产生高侧控制信号及低侧控制信号;及开关驱动电路,驱动连接在高侧晶体管与负载之间,或升压dc/dc转换器的输入端子与电感器之间的pmos(p-channel metaloxide semiconductor:p通道金属氧化物半导体)晶体管也就是开关。开关驱动电路构成为能切换(i)使pmos晶体管完全接通的第1模式;及(ii)将对应于第1错误放大器的输出信号的驱动电压供给到pmos晶体管的栅极的第2模式。

8、另外,将以上构成要件任意组合的,在构成要件或表现在方法、装置、系统等之间互相置换的,也作为本专利技术的方面有效。

9、[专利技术的效果]

10、根据本揭示的某方面,能抑制输出电压的过电压。

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【技术保护点】

1.一种控制电路,是具有N型高侧晶体管及低侧晶体管的升压DC/DC转换器的控制电路,且具备:

2.根据权利要求1所述的控制电路,还具备第2整流元件,对所述自举引脚施加电源电压。

3.根据权利要求1或2所述的控制电路,其中所述电荷泵电路在所述升压DC/DC转换器启动完成后,也继续动作。

4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的控制电路,其中所述电荷泵电路在所述升压DC/DC转换器开始启动前,开始动作。

5.根据权利要求2所述的控制电路,其中所述电荷泵电路的电流供给能力低于所述第2整流元件的电流供给能力。

6.根据权利要求2所述的控制电路,其中所述电荷泵电路是将所述升压DC/DC转换器的开关电压与所述电源电压相加的相加型电荷泵电路。

7.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的控制电路,其中所述开关驱动电路(i)在所述升压DC/DC转换器的输入电压低于规定的阈值电压的情况下,变为所述第1模式;(ii)在所述输入电压高于所述阈值电压的情况下,变为所述第2模式。

8.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的控制电路,还具备:

9.根据权利要求7所述的控制电路,其中所述阈值电压定在所述输出电压的目标电平的0.9倍~1.1倍的范围内。

10.根据权利要求9所述的控制电路,其中所述阈值电压具有滞后。

11.根据权利要求10所述的控制电路,其中具有滞后的所述阈值电压的上侧阈值与下侧阈值这两个都低于所述输出电压的所述目标电平。

12.根据权利要求10所述的控制电路,其中具有滞后的所述阈值电压的上侧阈值与下侧阈值这两个都高于所述输出电压的所述目标电平。

13.根据权利要求10所述的控制电路,其中具有滞后的所述阈值电压的上侧阈值高于所述输出电压的所述目标电平,所述阈值电压的下侧阈值低于所述输出电压的所述目标电平。

14.根据权利要求1到13中任一权利要求所述的控制电路,还具备:

15.根据权利要求14所述的控制电路,其中所述第2阈值电流低于所述第1阈值电流。

16.根据权利要求14或15所述的控制电路,其中所述开关驱动电路(i)在所述升压DC/DC转换器的输入电压低于规定的阈值电压的情况下,变为所述第1模式;(ii)在所述输入电压高于所述阈值电压的情况下,变为所述第2模式;

17.根据权利要求1到16中任一权利要求所述的控制电路,其中所述开关驱动电路在所述第1模式下,对所述PMOS晶体管的栅极施加比所述PMOS晶体管的源极电压降低规定电压宽度的接通电压。

18.根据权利要求1到17中任一权利要求所述的控制电路,其中所述开关驱动电路在使所述升压DC/DC转换器停止时变为第3模式,对所述PMOS晶体管的栅极施加对应于所述升压DC/DC转换器的输入电压的电压。

19.根据权利要求1到18中任一权利要求所述的控制电路,一体集成在一个半导体衬底。

20.一种电源电路,具备:

21.一种电子机器,具备根据权利要求1到19中任一权利要求所述的控制电路。

...

【技术特征摘要】

1.一种控制电路,是具有n型高侧晶体管及低侧晶体管的升压dc/dc转换器的控制电路,且具备:

2.根据权利要求1所述的控制电路,还具备第2整流元件,对所述自举引脚施加电源电压。

3.根据权利要求1或2所述的控制电路,其中所述电荷泵电路在所述升压dc/dc转换器启动完成后,也继续动作。

4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的控制电路,其中所述电荷泵电路在所述升压dc/dc转换器开始启动前,开始动作。

5.根据权利要求2所述的控制电路,其中所述电荷泵电路的电流供给能力低于所述第2整流元件的电流供给能力。

6.根据权利要求2所述的控制电路,其中所述电荷泵电路是将所述升压dc/dc转换器的开关电压与所述电源电压相加的相加型电荷泵电路。

7.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的控制电路,其中所述开关驱动电路(i)在所述升压dc/dc转换器的输入电压低于规定的阈值电压的情况下,变为所述第1模式;(ii)在所述输入电压高于所述阈值电压的情况下,变为所述第2模式。

8.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的控制电路,还具备:

9.根据权利要求7所述的控制电路,其中所述阈值电压定在所述输出电压的目标电平的0.9倍~1.1倍的范围内。

10.根据权利要求9所述的控制电路,其中所述阈值电压具有滞后。

11.根据权利要求10所述的控制电路,其中具有滞后的所述阈值电压的上侧阈值与下侧阈值这两个都低于所述输出电压的所述目标电平。

【专利技术属性】
技术研发人员:福岛瞬篠崎智文
申请(专利权)人:罗姆股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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