【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体装置及该半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、专利文献1公开了现有的半导体装置。专利文献1所述的半导体装置具备半导体元件、导线框、焊料、引线和封固树脂。在该半导体装置中，半导体元件例如是二极管芯片、mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片。导线框搭载半导体元件并且经由焊料、引线与半导体元件导通。焊料和引线是用于使导线框与半导体元件导通的导通部件。焊料介于半导体元件与导线框之间并使它们导通。引线与半导体元件和导线框接合并使它们导通。封固树脂将导线框的一部分、半导体元件、焊料和引线覆盖。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1:日本特开2017－5165号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、半导体装置例如会由于在电子设备等的电路基板上安装时的回流、或者从工作中的半导体元件产生的热等而被施加热负荷。该热负荷会引起热应力在焊料、引线等导通部件与导线框的接合部分集中。有时会因该热应力的集中而在该接合部分与封固树脂的界面发生封固树脂的剥离。并且，在封固树脂发生了剥离的情况下，当再次施加热负荷时，例如有可能在作为导通部件的焊料上产生裂纹。另外，对于作为导通部件的引线而言，有可能发生脱落、断线。这些情况会导致半导体装置的故障。
3、本公开针对上述课题而做出，其目的在于，提供一种半导体装置和该半
4、用于解决课题的方案
5、本公开第一方案提供的半导体装置具备：半导体元件，其具有在第一方向上彼此分离的元件主面及元件背面；导线框，其搭载有上述半导体元件；导通部件，其与上述导线框接合，并使上述半导体元件与上述导线框导通；树脂组成物，其覆盖上述导通部件与上述导线框的接合部分，并且使上述元件主面的一部分露出；以及封固树脂，其覆盖上述导线框的一部分、上述半导体元件及上述树脂组成物，上述树脂组成物与上述导线框的接合强度优于上述封固树脂与上述导线框的接合强度，并且上述树脂组成物与上述导通部件的接合强度优于上述封固树脂与上述导通部件的接合强度。
6、在上述半导体装置的优选实施方式中，上述导线框具备：晶片焊垫，其具有朝向与上述元件主面相同方向的焊垫主面及朝向与上述元件背面相同方向的焊垫背面；以及导线，其与上述晶片焊垫分离，上述半导体元件以上述焊垫主面与上述元件背面对置的方式搭载于上述晶片焊垫。
7、在上述半导体装置的优选实施方式中，上述半导体元件包含形成于上述元件背面的背面电极，在上述导通部件中包含导电性接合材料，该导电性接合材料将上述半导体元件与上述晶片焊垫接合，并且使上述背面电极与上述晶片焊垫导通，上述树脂组成物包含晶片焊垫侧被覆部，该晶片焊垫侧被覆部覆盖上述导电性接合材料与上述晶片焊垫的接合部分。
8、在上述半导体装置的优选实施方式中，上述导电性接合材料具有：上述导电性接合材料具有：元件抵接面，其与上述背面电极抵接；晶片焊垫抵接面，其与上述晶片焊垫抵接；以及连络面，其与上述元件抵接面和上述晶片焊垫抵接面相连，上述晶片焊垫侧被覆部包含晶片焊垫侧第一部，该晶片焊垫侧第一部介于上述连络面与上述封固树脂之间。
9、在上述半导体装置的优选实施方式中，上述晶片焊垫侧被覆部还包含晶片焊垫侧第二部，该晶片焊垫侧第二部与上述晶片焊垫侧第一部相连，并且介于上述焊垫主面与上述封固树脂之间。
10、在上述半导体装置的优选实施方式中，上述半导体元件具有元件侧面，该元件侧面与上述元件主面及上述元件背面相连，上述晶片焊垫侧被覆部还包含晶片焊垫侧第三部，该晶片焊垫侧第三部与上述晶片焊垫侧第一部相连，并且介于上述元件侧面的至少一部分与上述封固树脂之间。
11、在上述半导体装置的优选实施方式中，上述晶片焊垫侧被覆部还包含晶片焊垫侧第四部，该晶片焊垫侧第四部与上述晶片焊垫侧第三部相连，并且介于上述元件主面的一部分与上述封固树脂之间。
12、在上述半导体装置的优选实施方式中，上述导电性接合材料是焊料。
13、在上述半导体装置的优选实施方式中，上述焊垫背面从上述封固树脂露出。
14、在上述半导体装置的优选实施方式中，上述半导体元件包含形成于上述元件主面的主面电极，在上述导通部件中包含引线，该引线与上述主面电极及上述导线接合，并使上述主面电极与上述导线导通，上述树脂组成物包含导线侧被覆部，该导线侧被覆部覆盖上述引线与上述导线的接合部分。
15、在上述半导体装置的优选实施方式中，上述引线包含与上述主面电极接合的第一接合部和与上述导线接合的第二接合部，上述导线侧被覆部包含导线侧第一部，该导线侧第一部介于上述第二接合部与上述封固树脂之间。
16、在上述半导体装置的优选实施方式中，上述导线侧被覆部还包含导线侧第二部，该导线侧第二部与上述导线侧第一部相连，并且介于上述导线与上述封固树脂之间。
17、在上述半导体装置的优选实施方式中，上述引线还包含线状部，该线状部将上述第一接合部与上述第二接合部连接，上述线状部包含树脂抵接区域，该树脂抵接区域在周向的全周与上述封固树脂相接。
18、在上述半导体装置的优选实施方式中，上述半导体元件是功率半导体芯片。
19、本公开第二方案提供的半导体装置的制造方法具有：准备导线框的工序；准备半导体元件的工序，其中该半导体元件具有在第一方向上彼此分离的元件主面及元件背面；将上述半导体元件搭载于上述导线框的元件搭载工序；将导通部件与上述导线框及上述半导体元件接合，并使上述导线框与上述半导体元件经由上述导通部件导通的导通部件形成工序；以将上述导通部件与上述导线框的接合部分覆盖并且使上述元件主面的一部分露出的方式涂布膏组成物的涂布工序；使涂布的上述膏组成物干燥的工序；以及形成封固树脂的工序，其中该封固树脂覆盖上述导线框的一部分、上述半导体元件及干燥的上述膏组成物，上述膏组成物包含树脂材料，该树脂材料与上述导线框的接合强度优于上述封固树脂与上述导线框的接合强度，并且该树脂材料与上述导通部件的接合强度优于上述封固树脂与上述导通部件的接合强度。
20、在上述半导体装置的制造方法的优选实施方式中，上述导线框具备：晶片焊垫，其具有朝向与上述元件主面相同方向的焊垫主面和朝向与上述元件背面相同方向的焊垫背面；以及导线，其与上述晶片焊垫分离，在上述元件搭载工序中，以上述焊垫主面与上述元件背面对置的姿态，将上述半导体元件搭载于上述晶片焊垫。
21、在上述半导体装置的制造方法的优选实施方式中，上述半导体元件包含形成于上述元件背面的背面电极，在上述导通部件形成工序中，在上述元件搭载工序之前，涂布将上述背面电极与上述晶片焊垫接合的导电性膏，在上述元件搭载工序之后，使上述导电性膏干燥，从而形成导电性接合材料，该导电性本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
9.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
10.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，
13.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
14.一种SiC半导体装置，其特征在于，具备：
15.根据权利要求14所述的SiC半导体装置，其特征在于，
16.根据权利要求15所述的SiC半导体
17.根据权利要求16所述的SiC半导体装置，其特征在于，
18.根据权利要求17所述的SiC半导体装置，其特征在于，
19.根据权利要求14至18中任一项所述的SiC半导体装置，其特征在于，
20.根据权利要求14所述的SiC半导体装置，其特征在于，
21.根据权利要求14所述的SiC半导体装置，其特征在于，
22.根据权利要求21所述的SiC半导体装置，其特征在于，
23.根据权利要求21或22所述的SiC半导体装置，其特征在于，
24.根据权利要求23所述的SiC半导体装置，其特征在于，
25.根据权利要求24所述的SiC半导体装置，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
9.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
10.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，
13.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
14.一种sic半...
【专利技术属性】
技术研发人员：安部英俊，池永诚，高本健生，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。