【技术实现步骤摘要】
本揭露涉及一种氮化物半导体元件及氮化物半导体装置。
技术介绍
1、当前，使用氮化镓(gan)等iii族氮化物半导体(以下有简称为“氮化物半导体”的情况)的高电子迁移率晶体管(hemt：high electron mobility transistor)的产品化逐步进展(例如参考专利文献1)。hemt使用形成在半导体异质结的界面附近的二维电子气(2deg：two-dimensional electron gas)作为导电路径(通道)。利用hemt的功率器件与典型的硅(si)功率器件相比，被认为是能够进行低接通电阻及高速、高频动作的器件。
2、[
技术介绍
文献]
3、[专利文献]
4、专利文献1：日本专利特开2017-73506号公报
技术实现思路
1、[专利技术所要解决的问题]
2、然而，使用氮化物半导体的氮化物半导体装置要求提高esd(electro staticdischarge：静电放电)耐量。
3、[解决问题的技术手段]>
4、本揭露的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种氮化物半导体元件，其包含：
2.根据权利要求1所述的氮化物半导体元件，其中
3.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体元件，其中包含：
4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的氮化物半导体元件，其中具备：
5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的氮化物半导体元件，其中具备：
6.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的氮化物半导体元件，其中具备：
7.根据权利要求5或6所述的氮化物半导体元件，其中包含：
8.根据权利要求7所述的氮化物半导体元件，其中所述连接焊垫与所述栅极焊垫相
<...【技术特征摘要】
1.一种氮化物半导体元件，其包含：
2.根据权利要求1所述的氮化物半导体元件，其中
3.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体元件，其中包含：
4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的氮化物半导体元件，其中具备：
5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的氮化物半导体元件，其中具备：
6.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的氮化物半导体元件，其中具备：
7.根据权利要求5或6所述的氮化物半导体元件，其中包含：
8.根据权利要求7所述的氮化物半导体元件，其中所述连接焊垫与所述栅极焊垫相邻而配置。
9.根据权利要求5或6所述的氮化物半导体元件，其中所述连接区域连接于所述栅极焊垫。
10.根据权利要求9所述的氮化物半导...
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