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本揭露的目的在于提供一种提高ESD耐量的氮化物半导体元件及氮化物半导体装置。本揭露的半导体衬底包含衬底上表面、与朝向衬底上表面的相反侧的衬底下表面，且具有有源区域与外周区域。氮化物半导体层选择性形成在半导体衬底的衬底上表面中的有源区域上，构...
该专利属于罗姆股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过罗姆股份有限公司授权不得商用。

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