【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体结构，更具体地说，涉及具有横向渐变沟道区的器件和制造方法。
技术介绍
1、与使用体硅晶片构建的场效应晶体管相比，绝缘体上硅衬底允许器件以显著较高的速度来操作，以具有改善的电隔离和减少的电损耗。通常，绝缘体上硅衬底包括半导体材料的薄器件层、衬底和将器件层与衬底物理分离且电隔离的掩埋氧化物层。取决于器件层的厚度，场效应晶体管可以在完全耗尽模式下操作，在该模式中，当向栅电极施加典型的控制电压时，沟道区中的耗尽层完全延伸到掩埋氧化物层。
2、全耗尽的p型场效应晶体管的沟道区可以由硅锗构成。用于形成硅锗沟道区的常规方法是在器件层的一部分上生长外延硅锗层，并执行热缩合(condensation)工艺。锗从外延硅锗层传输到器件层，并通过沟道区向下传输到掩埋氧化物层。通过热缩合工艺形成的硅锗沟道区在与掩埋氧化物层的界面处容易发生应变弛豫和断键。断键可以提高界面处的界面陷阱密度，并且应变弛豫可以通过载流子迁移率的损失来影响器件性能。为了改善这个问题，在已知的解决方案中，硅锗沟道区可以具有竖直渐变的锗浓度百分比(ge％)。>
<本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种结构，包括：PFET区，其包括位于栅极材料下方的横向渐变半导体沟道区。
2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述横向渐变半导体沟道区包括cSiGe。
3.根据权利要求2所述的结构，其中，所述横向渐变半导体沟道区包括沿着所述横向渐变半导体沟道区的水平范围的横向渐变Ge％。
4.根据权利要求3所述的结构，还包括在所述横向渐变半导体沟道区内延伸的凹口。
5.根据权利要求4所述的结构，还包括与所述PFET区相邻的非渐变NFET区。
6.根据权利要求4所述的结构，其中，所述凹口位于所述cSiGe和cSi之间的过
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【技术特征摘要】
1.一种结构，包括：pfet区，其包括位于栅极材料下方的横向渐变半导体沟道区。
2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述横向渐变半导体沟道区包括csige。
3.根据权利要求2所述的结构，其中，所述横向渐变半导体沟道区包括沿着所述横向渐变半导体沟道区的水平范围的横向渐变ge％。
4.根据权利要求3所述的结构，还包括在所述横向渐变半导体沟道区内延伸的凹口。
5.根据权利要求4所述的结构，还包括与所述pfet区相邻的非渐变nfet区。
6.根据权利要求4所述的结构，其中，所述凹口位于所述csige和csi之间的过渡处。
7.根据权利要求2所述的结构，还包括nfet区，所述nfet区包括具有非渐变全耗尽型绝缘体上半导体材料的沟道区。
8.根据权利要求7所述的结构，其中，所述非渐变全耗尽型绝缘体上半导体材料包括csi。
9.根据权利要求7所述的结构，还包括将所述pfet区与所述nfet区隔离开的浅沟槽隔离结构。
10.根据权利要求7所述的结构，其中，所述csige的ge％在其到达在所述pfet区和所述nfet区之间的边界...
【专利技术属性】
技术研发人员：G·R·马尔芬格，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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