【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体结构，更具体地说，涉及双极晶体管和制造方法。
技术介绍
1、异质结双极型晶体管(hbt)是一种双极结型晶体管(bjt)，其将不同的半导体材料用于发射极区和基极区，形成异质结。hbt可以处理高达数百ghz的极高频率信号。它常用于射频(rf)系统以及需要高功率效率的应用，例如蜂窝电话中的rf功率放大器。
技术实现思路
1、在本公开的一方面，一种结构包括：集电极区；外部基极，其包括具有倾斜侧壁的发射极开口；发射极，其位于所述发射极开口内；以及内部基极，其位于所述发射极和所述集电极之间。
2、在本公开的一方面，一种结构包括：集电极区；内部基极区，其位于所述集电极区上方；外部基极，其位于所述内部基极区上方，所述外部基极包括具有竖直侧壁和倾斜侧壁的发射极开口；发射极，其位于所述发射极开口内；以及绝缘体材料，其位于所述倾斜侧壁上且将所述外部基极与所述发射极隔离开。
3、在本公开的一方面，一种方法包括：形成集电极区；形成外部基极，所述外部基极具有包括倾斜侧壁的发射极...
【技术保护点】
1.一种结构，包括：
2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述外部基极包括单晶半导体材料。
3.根据权利要求2所述的结构，其中，所述单晶半导体材料包括SiGe。
4.根据权利要求2所述的结构，其中，所述倾斜侧壁沿着所述外部基极的所述单晶半导体材料的倾斜晶面刻面延伸。
5.根据权利要求2所述的结构，其中，所述发射极位于所述发射极开口内且延伸到所述外部基极，其中，所述发射极开口包括所述倾斜侧壁和位于所述倾斜侧壁上方的竖直侧壁。
6.根据权利要求5所述的结构，其中，所述竖直侧壁包括侧壁间隔物材料。
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【技术特征摘要】
1.一种结构，包括：
2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述外部基极包括单晶半导体材料。
3.根据权利要求2所述的结构，其中，所述单晶半导体材料包括sige。
4.根据权利要求2所述的结构，其中，所述倾斜侧壁沿着所述外部基极的所述单晶半导体材料的倾斜晶面刻面延伸。
5.根据权利要求2所述的结构，其中，所述发射极位于所述发射极开口内且延伸到所述外部基极，其中，所述发射极开口包括所述倾斜侧壁和位于所述倾斜侧壁上方的竖直侧壁。
6.根据权利要求5所述的结构，其中，所述竖直侧壁包括侧壁间隔物材料。
7.根据权利要求6所述的结构，还包括位于所述外部基极的所述倾斜侧壁上的绝缘体材料。
8.根据权利要求7所述的结构，其中，所述绝缘体材料包括在所述侧壁间隔物材料上方延伸的氧化物材料和氮化物材料。
9.根据权利要求7所述的结构，其中，所述绝缘体材料在所述外部基极的开口内对称。
10.根据权利要求6所述的结构，其中，所述发射极在所述侧壁间隔物材料的上表面上方延伸。
11.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：U·S·拉古纳坦，S·M·尚克，S·A·麦塔格特，M·E·莱顿努弗，C·E·卢斯，R·哈兹布恩，A·M·德里克森，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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