【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及磁性存储器件，并且更具体地，涉及使用自旋轨道扭矩（sot）的磁性存储器件。
技术介绍
1、目前正在研究利用磁性隧道结（mtj）的磁阻特性的电子设备。特别是，随着高度集成的磁性随机存取存储器（mram）设备的mtj单元变得越来越精细，人们正在研究sot-mram，它通过称为sot的物理现象将电流施加到非磁性层来存储信息。高度集成的sot-mram可能需要快速切换和低电流操作。
技术实现思路
1、本专利技术构思可以提供具有改善可靠性的磁性存储器件。
2、根据本专利技术构思的一方面，提供了一种磁性存储器件，包括：自由磁性层，被配置为在彼此相反的第一方向和第二方向之间切换磁化方向，其中，第一方向和第二方向垂直于自由磁性层的上表面和/或下表面；第一绝缘层，在自由磁性层上；铁电层，在自由磁性层的侧表面的至少一部分上；以及非磁性导电层，在自由磁性层的下表面上，其中，磁性存储器件还包括电源，电源被配置为向非磁性导电层供电以产生面内电流，其中，非磁性导电层被配置为通过自旋霍尔效...
【技术保护点】
1.一种磁性存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的磁性存储器件，其中，所述自由磁性层被配置为具有通过横向磁化和所述自旋电流切换的磁化方向，
3.根据权利要求2所述的磁性存储器件，其中，在平面图中，所述自由磁性层的所述横向磁化的幅度围绕所述自由磁性层的在所述第三方向上的中心轴不对称。
4.根据权利要求3所述的磁性存储器件，其中，在平面图中，所述自由磁性层的所述侧表面的第一部分的横向磁化的幅度比所述自由磁性层的所述侧表面的第二部分的横向磁化的幅度更大，
5.根据权利要求1所述的磁性存储器件，其中，所述面内电流平行于第四方
【技术特征摘要】
1.一种磁性存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的磁性存储器件，其中，所述自由磁性层被配置为具有通过横向磁化和所述自旋电流切换的磁化方向，
3.根据权利要求2所述的磁性存储器件，其中，在平面图中，所述自由磁性层的所述横向磁化的幅度围绕所述自由磁性层的在所述第三方向上的中心轴不对称。
4.根据权利要求3所述的磁性存储器件，其中，在平面图中，所述自由磁性层的所述侧表面的第一部分的横向磁化的幅度比所述自由磁性层的所述侧表面的第二部分的横向磁化的幅度更大，
5.根据权利要求1所述的磁性存储器件，其中，所述面内电流平行于第四方向流动，
6.根据权利要求1所述的磁性存储器件，其中，所述铁电层围绕所述自由磁性层的所述侧表面延伸。
7.根据权利要求1所述的磁性存储器件，其中，所述铁电层在所述第一方向上与所述非磁性导电层的上表面间隔开，并且
8.根据权利要求7所述的磁性存储器件，其中，所述第二绝缘层围绕所述自由磁性层的所述侧表面延伸，并且
9.根据权利要求1所述的磁性存储器件，其中，在平面图中，所述自由磁性层的宽度与所述第一绝缘层的宽度相等。
10.根据权利要求1所述的磁性存储器件，还包括：钉扎磁性层，在所述第一绝缘层上，
11.一种磁性存储器件，包括：...
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