包括光子器件和底切的结构制造技术

本公开涉及包括诸如光斑尺寸转换器之类的光子器件和底切的结构及相关方法。该结构包括光子器件、半导体衬底以及设置在光子器件和半导体衬底之间的电介质层。电介质层包括从光子器件横向偏移的多个D形开口，并且，多个D形开口中的每一个具有弯曲的第一侧壁部分和基本平面的第二侧壁部分。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及光子芯片，更具体地涉及包括诸如光斑尺寸转换器之类的光子器件和底切(undercut)的结构及相关方法。

技术介绍

1、光子芯片用于许多应用和系统，包括但不限于数据通信系统和数据计算系统。光子芯片包括由光子器件(例如调制器、偏振器和光耦合器)组成的光子集成电路，这些光子器件用于操纵从光源(例如激光器或光纤)接收的光。

2、光斑尺寸转换器是一种光子器件，其常用于将来自光源的给定模式的光耦合到光子集成电路。光斑尺寸转换器可以包括限定具有尖端(tip)的倒锥形的波导芯的一部分。位于尖端处的倒锥形的窄端邻近光源定位。倒锥形的宽端连接到将光引导并路由到光子集成电路的波导芯的另一部分。

3、当光从光源传输到光斑尺寸转换器时，倒锥形横截面积的逐渐变化支持与模式转换相关联的模式变换和模式尺寸变化。倒锥形的尖端无法完全限制(confine)从光源接收的入射模式，这是因为尖端的横截面积比模式尺寸小很多。因此，入射模式的大部分电磁场分布在倒锥形的尖端附近。随着其宽度尺寸的增加，倒锥形最终可以支持整个入射模式并限制电磁场。>

4、可以通过本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种结构，包括：

2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述半导体衬底包括位于所述光子器件下方的腔，并且，所述第一多个D形开口与所述半导体衬底中的所述腔相交。

3.根据权利要求1所述的结构，其中，所述电介质层包括从所述光子器件横向偏移的第二多个D形开口，所述第二多个D形开口中的每一个具有弯曲的第一侧壁部分和基本平面的第二侧壁部分，并且，所述光子器件横向地设置在所述第一多个D形开口和所述第二多个D形开口之间。

4.根据权利要求3所述的结构，其中，所述半导体衬底包括位于所述光子器件下方的腔，并且，所述第一多个D形开口和所述第二多个D形开口与所述半导体衬底...

【技术特征摘要】

1.一种结构，包括：

2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述半导体衬底包括位于所述光子器件下方的腔，并且，所述第一多个d形开口与所述半导体衬底中的所述腔相交。

3.根据权利要求1所述的结构，其中，所述电介质层包括从所述光子器件横向偏移的第二多个d形开口，所述第二多个d形开口中的每一个具有弯曲的第一侧壁部分和基本平面的第二侧壁部分，并且，所述光子器件横向地设置在所述第一多个d形开口和所述第二多个d形开口之间。

4.根据权利要求3所述的结构，其中，所述半导体衬底包括位于所述光子器件下方的腔，并且，所述第一多个d形开口和所述第二多个d形开口与所述半导体衬底中的所述腔相交。

5.根据权利要求3所述的结构，其中，所述第一多个d形开口排列成第一行，并且，所述第二多个d形开口排列成第二行。

6.根据权利要求3所述的结构，其中，所述光子器件设置在禁区的第一外边缘和禁区的第二外边缘之间，所述第一多个d形开口中的每一个的所述第二侧壁部分与所述禁区的所述第一外边缘重合，并且，所述第二多个d形开口中的每一个的所述第二侧壁部分与所述禁区的所述第二外边缘重合。

7.根据权利要求1所述的结构，其中，所述半导体衬底包括位于所述光子器件下方的腔，并且，所述第一多个d形开口与所述半导体衬底中的所述腔相交。

8.根据权利要求1所述的结构，其中，所述光子器件是光斑尺寸转换器。

9.根据权利要求1所述的结构，其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：林雅镕，T·霍顿，郑德俊，M·M·戈萨尔，A·普拉卡什，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：