【技术实现步骤摘要】
所公开的实施方案的方面涉及用于制造半导体器件的方法和装置。具体而言，所公开的实施方案的方面涉及通过以下方式以在半导体衬底上、特别是复合半导体衬底上产生衬底与通过ald所生长的薄膜之间的最高质量界面的方法：首先制备衬底，并接着在ald生长之前建立改善的界面层，并且这些方法发生在相同处理室/处理反应器设备中。
技术介绍
1、复合半导体衬底是含有复合半导体材料的半导体衬底、晶片、或外延制造的结构。复合半导体是根据其成分在周期表中的元素群组来分类。大致上，根据构成半导体晶体的不同原子成分的数目，这些化合物可分类为二元、三元或四元等合金。例如，gaas、gan、sic、algan和inalgap。在此情境中，衬底可在界定如晶体管、微型led、垂直腔表面发射激光器（vertical cavity surface emitting laser, vcsel）、光电探测器或二极管等电子器件的表面中的一者上呈现结构图案。
2、原子层沉积（atomic layer deposition, ald）是一种用以在原子层精密度的情况下制造材料的共形且...
【技术保护点】
1.一种用于处理衬底的表面的方法，所述方法在具有单一处理室的装置中施行，所有处理步骤都发生在所述单一处理室中，所述方法包括以下处理步骤：a）制备步骤，b）表面钝化步骤，以及c）ALD生长步骤，其中：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法还包括在每个处理步骤之间调整处理条件，其中将至少衬底温度、处理室压力和处理室壁温度调整至每个处理步骤所需的水平。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述制备步骤还包括以下中的至少一项或多项：
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述制备步骤包括在真空中退火所述衬底，以从所述衬底的所述表面去除吸附的...
【技术特征摘要】
1.一种用于处理衬底的表面的方法，所述方法在具有单一处理室的装置中施行，所有处理步骤都发生在所述单一处理室中，所述方法包括以下处理步骤：a）制备步骤，b）表面钝化步骤，以及c）ald生长步骤，其中：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法还包括在每个处理步骤之间调整处理条件，其中将至少衬底温度、处理室压力和处理室壁温度调整至每个处理步骤所需的水平。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述制备步骤还包括以下中的至少一项或多项：
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述制备步骤包括在真空中退火所述衬底，以从所述衬底的所述表面去除吸附的水和挥发性原子物质。
5.根据权利要求3所述的方法，其中所述表面化学计量修改步骤在于沉积金属组分以修改衬底化学计量为具有元素的较高浓度，从而在所述表面钝化步骤中实现长程有序氧化物。
6.根据权利要求5所述的方法，其中通过在所述处理室中引入化学金属前体来完成所述金属组分的所述沉积。
7.根据权利要求5所述的方法，其中通过物理气相沉积来完成所述金属组分的所述沉积。
8.根据权利要求3所述的方法，其中所述化学计量修改步骤仅包括在至少高真空条件中的所述衬底的退火步骤。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法还包括在ald反应性气体和前体...
【专利技术属性】
技术研发人员：文森特·卡尔沃·阿隆索，约科·朗，
申请(专利权)人：康普泰克解决方案公司，
类型：发明
国别省市：
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