【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种多晶硅膜的制备方法。
技术介绍
1、申请人在生产过程中发现，目前炉管制备得到的多晶硅膜存在中心薄、边缘厚的特点，会造成晶圆上中心与边缘的晶体管在电学性能上的差异，因此多晶硅膜的厚度的均匀性需要进一步改善。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种多晶硅膜的制备方法，在晶圆上形成的多晶硅膜的厚度的均匀性较好。
2、为实现上述目的，本申请采用如下技术方案。
3、一种多晶硅膜的制备方法，包括：
4、步骤一、将晶圆装入炉管中，此时炉管内充满氮气，温度为第一温度；
5、步骤二、持续对炉管内通入氮气，对晶圆进行升温预热，炉管内温度设定为第二温度；
6、步骤三、持续对炉管内通入氮气，对晶圆进行降温，炉管内温度设定为第三温度；
7、步骤四、对炉管内通入反应气体，在晶圆上沉积多晶硅，炉管内温度保持为第三温度；第三温度为在晶圆上沉积多晶硅时的理想工艺温度；第二温度为晶圆预热温度，大于第三温度2-10℃范围内...
【技术保护点】
1.一种多晶硅膜的制备方法，其特征在于，所述多晶硅膜的制备方法包括：
2.如权利要求1所述的多晶硅膜的制备方法，其特征在于，所述步骤一在关闭炉门后还包括：
3.如权利要求2所述的多晶硅膜的制备方法，其特征在于，所述步骤二过程中，压力保持不变，保温第二时长，第二时长为10-240min。
4.如权利要求3所述的多晶硅膜的制备方法，其特征在于，所述步骤三过程中，压力保持不变，保温第三时长，第三时长为10-240min。
5.如权利要求4所述的多晶硅膜的制备方法，其特征在于，所述步骤四包括：
6.如权利要求5所述的...
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅膜的制备方法，其特征在于，所述多晶硅膜的制备方法包括：
2.如权利要求1所述的多晶硅膜的制备方法，其特征在于，所述步骤一在关闭炉门后还包括：
3.如权利要求2所述的多晶硅膜的制备方法，其特征在于，所述步骤二过程中，压力保持不变，保温第二时长，第二时长为10-240min。
4.如权利要求3所述的多晶硅膜的制备方法，其特征在于，所述步骤三过程中，压力保持不变，保温第三时长，第三时长为10-240min。
5.如权利要求4所述的多晶硅膜的制备方法，其特征在于，所述步骤四包括：
6.如权利要求5所述的多晶硅膜的制备方法，其特征在于，所述炉管竖直放置，在竖直方向上所述炉管在不同的高度位置具有五个温度设置点，所述第三温度在五个所述温度设置点具有不同的数值，且位置越靠下的温度设置点的数值越高，位置越靠上的温度设置点的数值越...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡晓彬，
申请(专利权)人：江苏卓胜微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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