【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体，尤其涉及一种测试单元及测试方法。
技术介绍
1、在集成电路的后段工艺中，导电件通常用于建立层内连接，接触孔则用于在不同层之间建立垂直连接。在双大马士革工艺中，先制造接触孔，而后制造导电件，通常接触孔的填充材料与导电件的材质相同，所以最后上层导电件之间的距离取决于版图中接触孔和与其接触的上层导电件的最外缘。实际制造过程中，光刻工艺的对准偏差可能会导致接触孔外缘在与其接触的上层导电件外缘外侧，导致导电件之间的间距变小，使得导电件之间的击穿电压降低，引起可靠性等问题。在相关技术中，通常根据经验选择上层导电件对下层接触孔的包含距离，在实际应用中可能由于上层导电件对下层接触孔的包含距离选择不合理影响器件性能。
技术实现思路
1、本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种测试单元及测试方法，通过对仿制结构的击穿电压进行检测，可以反映待测工艺参数应用于实际工艺中形成的器件的击穿电压，进而判断在待测工艺参数下制备的接触孔的边缘是否超出第一导电件的边缘，为双大马士...
【技术保护点】
1.一种测试单元，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的测试单元，其特征在于，所述测试单元包括多个所述仿制结构，各所述仿制结构的所述第一导电件和各所述仿制结构的所述第二导电件均与所述检测单元连接。
3.根据权利要求2所述的测试单元，其特征在于，多个所述仿制结构呈阵列排布，所述测试单元还包括第一汇流部和第二汇流部，所述第一汇流部和所述第二汇流部沿行方向延伸，沿列方向排布的各所述仿制结构的所述第一导电件和所述第二导电件分别一体连接，各列所述第一导电件均与所述第一汇流部连接，各列所述第二导电件均与所述第二汇流部连接。
4.根据权利要...
【技术特征摘要】
1.一种测试单元，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的测试单元，其特征在于，所述测试单元包括多个所述仿制结构，各所述仿制结构的所述第一导电件和各所述仿制结构的所述第二导电件均与所述检测单元连接。
3.根据权利要求2所述的测试单元，其特征在于，多个所述仿制结构呈阵列排布，所述测试单元还包括第一汇流部和第二汇流部，所述第一汇流部和所述第二汇流部沿行方向延伸，沿列方向排布的各所述仿制结构的所述第一导电件和所述第二导电件分别一体连接，各列所述第一导电件均与所述第一汇流部连接，各列所述第二导电件均与所述第二汇流部连接。
4.根据权利要求1所述的测试单元，其特征在于，所述测试单元包括多个所述仿制结构，所述多个所述仿制结构划分为多个测试组，各所述测试组包括至少一个所述仿制结构，所述测试组内的所述待测工艺参数相同，各所述测试组之间的待测...
【专利技术属性】
技术研发人员：张恒，
申请(专利权)人：江苏卓胜微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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