【技术实现步骤摘要】
本揭露是有关于一种半导体晶圆及测量半导体晶圆的方法，特别是有关于一种便于测量特征接触电阻(specific contact resistance)的半导体晶圆及其测量方法。
技术介绍
1、特征接触电阻是半导体晶圆重要的电气性质。一般来说，对于金属薄层材料会应用传输线模型(transmission line model,tlm)来测量接触电阻。然而，由于工艺限制，目前无法以传输线模型测量晶圆背面金属化结构的接触电阻。
2、因此，如何提出一种可解决上述问题的半导体晶圆及测量半导体晶圆的方法，是目前业界亟欲投入研发资源解决的问题之一。
技术实现思路
1、有鉴于此，本揭露的一目的在于提出一种可有解决上述问题的半导体晶圆及测量半导体晶圆的方法。
2、本揭露的一方面是有关于一种测量半导体晶圆的方法包括形成多个岛状金属块于半导体层的背面。岛状金属块分别具有不同面积。岛状金属块的多个中心点沿着轴等间距地排列。方法还包括依序测量岛状金属块中任意相邻两者之间的电流-电压关系。方法还包括...
【技术保护点】
1.一种测量半导体晶圆的方法，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的测量半导体晶圆的方法，其特征在于，形成所述多个岛状金属块包含：
3.根据权利要求2所述的测量半导体晶圆的方法，其特征在于，所述多个沟槽通过所述金属层延伸至所述半导体层中，并暴露所述半导体层的多个表面。
4.根据权利要求1所述的测量半导体晶圆的方法，其特征在于，基于所述多个电流-电压关系获取所述多个岛状金属块的所述特征接触电阻包含：
5.一种半导体晶圆，其特征在于，包含：
6.根据权利要求5所述的半导体晶圆，其特征在于，所述多个沟槽分别具
【技术特征摘要】
1.一种测量半导体晶圆的方法，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的测量半导体晶圆的方法，其特征在于，形成所述多个岛状金属块包含：
3.根据权利要求2所述的测量半导体晶圆的方法，其特征在于，所述多个沟槽通过所述金属层延伸至所述半导体层中，并暴露所述半导体层的多个表面。
4.根据权利要求1所述的测量半导体晶圆的方法，其特征在于，基于所述多个电流-电压关系获取所述多个岛状金属块的所述特征接触电阻包含：
5.一种半导体晶圆，其特征在于，包含：
6.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈慕辰，
申请(专利权)人：鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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