【技术实现步骤摘要】
本揭露是有关于一种功率半导体装置，尤其是具有沟槽式分裂栅极的功率半导体装置。
技术介绍
1、随着半导体技术的进步，金属氧化物半导体场效应晶体管的应用越来越广泛。功率半导体可在电子元件中作为开关使用。功率半导体可应用在高电压与高电流的元件设计中。功率半导体的切换速度与导通电阻皆与其分裂栅极的设计密切相关。
技术实现思路
1、本揭露的一技术态样为一种功率半导体装置。
2、在本揭露一实施例中，功率半导体装置包含漏极金属、位在漏极金属上的基底层、位在基底层上并具有第一导电类型的磊晶层、位在磊晶层中的分裂栅极、电场遮蔽区、栅极氧化层以及源极金属。分裂栅极包含第一栅极与第二栅极，且第二栅极位在第一栅极上方。电场遮蔽区位在磊晶层中且至少包围第一栅极并具有第二导电类型。栅极氧化层位在分裂栅极与磊晶层之间。源极金属位在磊晶层上。
3、在本揭露一实施例中，第一栅极与第二栅极彼此分离，且第一栅极电性连接源极金属。
4、在本揭露一实施例中，电场遮蔽区包含第一遮蔽区、第二遮蔽区以...
【技术保护点】
1.一种功率半导体装置，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，其中该第一栅极与该第二栅极彼此分离，且该第一栅极电性连接该源极金属。
3.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置，其特征在于，其中该电场遮蔽区包含第一遮蔽区、第二遮蔽区以及第三遮蔽区，且该第二栅极于该基底层上的垂直投影与该第一遮蔽区以及该第二遮蔽区在该基底层上的垂直投影重叠。
4.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，还包含：
5.根据权利要求4所述的功率半导体装置，其特征在于，其中该第二栅极氧化层的第二厚度小于该第...
【技术特征摘要】
1.一种功率半导体装置，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，其中该第一栅极与该第二栅极彼此分离，且该第一栅极电性连接该源极金属。
3.根据权利要求1或2所述的功率半导体装置，其特征在于，其中该电场遮蔽区包含第一遮蔽区、第二遮蔽区以及第三遮蔽区，且该第二栅极于该基底层上的垂直投影与该第一遮蔽区以及该第二遮蔽区在该基底层上的垂直投影重叠。
4.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，还包含：
5.根据权利要求4所述的功率半导体装置，其特征在于，其中该第二栅极氧化层的第二厚度小于该第一栅极氧化层...
【专利技术属性】
技术研发人员：申云洪，
申请(专利权)人：鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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