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功率半导体装置包含功率半导体装置包含漏极金属、位在漏极金属上的基底层、位在基底层上并具有第一导电类型的磊晶层、位在磊晶层中的分裂栅极、电场遮蔽区、栅极氧化层以及源极金属。分裂栅极包含第一栅极与第二栅极，且第二栅极位在第一栅极上方。电场遮蔽区...
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