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本公开涉及半导体结构，更具体地说，涉及双极晶体管和制造方法。该结构包括：集电极区；外部基极，其包括具有倾斜侧壁的发射极开口；发射极，其位于发射极开口内；以及内部基极，其位于发射极和集电极之间。...
该专利属于格芯（美国）集成电路科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯（美国）集成电路科技有限公司授权不得商用。

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