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本公开涉及半导体结构，更具体地说，涉及具有横向渐变沟道区的器件和制造方法。该结构包括PFET区，该PFET区具有位于栅极材料下方的横向渐变半导体沟道区。...
该专利属于格芯（美国）集成电路科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯（美国）集成电路科技有限公司授权不得商用。

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