半导体装置制造方法及图纸

根据一个实施方式，半导体装置具备：半导体层；设置于所述半导体层上的栅极电极；绝缘膜；源极电极；漏极电极。所述源极电极以及所述漏极电极设置在所述绝缘膜中的与所述栅极电极分离的位置，且一端与所述半导体层接触，另一端在所述第二面侧露出。还具备设置在所述栅极电极上以及所述绝缘膜上的第一场板电极、设置在所述绝缘膜上并位于所述第一场板电极与所述漏极电极之间的第二场板电极。并且，所述第一场板电极与所述半导体层之间的所述绝缘膜的厚度，比所述第二场板电极与所述半导体层之间的所述绝缘膜的厚度薄。

【技术实现步骤摘要】
(关联申请的引用)本申请基于2014年3月14日提出申请的在先的日本国专利申请2014－052181号带来的权利的利益为基础，并且，要求该优先权的利益，在先申请的全部内容通过引用而包含于本申请。
在此说明的实施方式一般涉及半导体装置。
技术介绍
以氮化物半导体、碳化硅(SiC)为材料的半导体装置受到关注。这是因为，这些材料与硅相比，带隙(band gap)较大，能够实现高耐压的半导体装置。然而，即使材料的耐压较高，如果在其上设置的电极构造的绝缘耐压较低，也无法发挥上述优点。因此，需要适于大间隙半导体的电极构造。
技术实现思路
本实施方式提供具有高耐压且制造容易的电极构造的半导体装置。根据一个实施方式，半导体装置具备：半导体层；栅极电极，设置于所述半导体层上；绝缘膜，覆盖所述半导体层和所述栅极电极，具有所述半导体层侧的第一面和所述第一面的相反侧的第二面；设置在所述绝缘膜中的源极电极和漏极电极。所述源极电极设置在所述半导体层上的与所述栅极电极分离的位置，所述源极电极的一端与所述半导体层接触，另一端在所述第二面侧露出。所述漏极电极设置在从所述源极电极朝向所述栅极电极的方向上的、比所述栅极电极更远离所述源极电极的位置，所述漏极电极的一端与所述半导体层接触，另一端在所述第二面侧露出。还具备设置在所述栅极电极之上的第一场板电极、及设置在所述绝缘膜之上并位于所述第一场板电极与所述漏极电极之间的第二场板电极。所述第一场板电极具有与所述栅极电极接触的第一部分、及设置在所述绝缘膜之上并位于所述栅极电极与所述漏极电极之间的第二部分。并且，所述第一场板电极与所述半导体层之间的所述绝缘膜的厚度，比所述第二场板电极与所述半导体层之间的所述绝缘膜的厚度薄。专利技术的效果本实施方式能够提供具有高耐压且制造容易的电极构造的半导体装置。附图说明图1是对实施方式所涉及的半导体装置进行例示的示意剖视图。图2是对实施方式所涉及的半导体装置进行例示的示意俯视图。图3是对实施方式的变形例所涉及的半导体装置进行例示的示意剖视图。图4是对实施方式所涉及的半导体装置的制造过程进行例示的示意剖视图。图5是对接着图4的制造过程进行例示的示意剖视图。图6是对接着图5的制造过程进行例示的示意剖视图。具体实施方式以下，参照附图对实施方式进行说明。对附图中的同一部分，标注同一标号并适当省略其详细的说明，对不同的部分进行说明。另外，附图是示意性的或概念性的，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等未必与现实中相同。此外，即使在表示相同的部分的情况下，也存在根据附图而彼此的尺寸、比率不相同地进行表示的情况。在以下的说明中，存在使用图中所示的正交坐标系的X轴方向、Y轴方向、Z轴方向来对各要素的配置进行说明的情况。此外，存在使Z轴方向为上方并使其相反方向为下方进行说明的情况。图1是对实施方式所涉及的半导体装置1进行例示的示意剖视图。图2是对实施方式所涉及的半导体装置1进行例示的示意俯视图。图2是对半导体装置1的上表面进行示意地表示的俯视图。图1是沿着图2中所示的A－A线的剖面的一部分，对半导体装置1的单位单元进行表示。半导体装置1例如是以氮化物半导体为材料的电力控制用FET(Field Effect Transistor：场效应管)。半导体装置1具备：半导体层10、设置在半导体层10之上的栅极电极20、源极电极60、漏极电极70。还具备对半导体层10、栅极电极20进行覆盖的绝缘膜30。在此，所谓“覆盖”，不仅包括“覆盖者”与“被覆盖者”直接接触的情况，还包括在“覆盖者”与“被覆盖者”之间夹着其他要素而进行覆盖的情况。绝缘膜30具有：半导体层10侧的第一面30a、及第一面30a的相反侧的第二面30b。源极电极60被设置在半导体层10之上的、与从栅极电极20分离的位置。源极电极60被设置在绝缘膜30中，该源极电极60的一端与半导体层10接触，另一端在第二面30b侧露出。漏极电极70被设置在从源极电极60朝向栅极电极20的方向(X轴方向)上的、比栅极电极20更远离源极电极60的位置。漏极电极70被设置在绝缘膜30中，漏极电极70的一端与半导体层10接触，另一端在第二面30b侧露出。半导体装置1还具备：设置在栅极电极20之上的第一场板电极(以下，为FP电极40)、以及设置在绝缘膜30之上的第二场板电极(以下，为FP电极50)。FP电极40具有：与栅极电极20接触的第一部分41、及设置在绝缘膜30之上的第二部分43。第二部分43位于栅极电极20与漏极电极70之间，作为场板发挥功能。即，FP电极40是对栅极电极20供给栅极偏压的栅极布线的一部分，同时作为场板发挥功能。FP电极50被设置在FP电极40与漏极电极70之间的绝缘膜30之上。并且，FP电极40的第二部分43与半导体层10之间的绝缘膜30的厚度T1设置成比FP电极50与半导体层10之间的绝缘膜30的厚度T2薄。接下来，参照图1，对半导体装置1的构造进行详细地说明。半导体层10例如包括：第一半导体层13、在第一半导体层13之上设置的第二半导体层15、在第二半导体层15之上设置的第三半导体层17。第一半导体层13例如是高电阻或半绝缘性的氮化钙(GaN)层。第一半导体层13也可以是p型GaN层。第二半导体层15是所谓通道层，例如是n型GaN层。第三半导体层17是所谓势垒层，例如是n型AlGaN层。半导体层10包含将单位单元间电气分离的绝缘区域19。绝缘区域19被设置在源极电极60以及漏极电极70的外侧。绝缘区域19例如被设置在从第三半导体层17的上表面起到达第一半导体层13的深度。该例子中，在第三半导体层17之上设置栅极绝缘膜21，在栅极绝缘膜21上设置栅极电极20。即，栅极绝缘膜21被设置在半导体层10与栅极电极20之间。栅极绝缘膜21中例如能够使用硅氧化膜或硅氮化膜。此外，栅极绝缘膜21例如可以是氮化铝(AlN)膜。栅极电极20中例如能够使用掺杂了杂质的导电性的多晶硅膜。如后所述，期望栅极电极20中使用的材料是具有耐热性的材料，例如期望是耐受800℃以上的热处理的材料。绝缘膜30例如包括：将半导体层10和栅极电极20覆盖的第一层31、及设置在第一层31之上的第二层33。并且，FP电极40的第<本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，具备：半导体层；栅极电极，设置在所述半导体层上；绝缘膜，覆盖所述半导体层及所述栅极电极，具有所述半导体层侧的第一面和所述第一面的相反侧的第二面；源极电极，以一端与所述半导体层接触且另一端在所述第二面侧露出的方式设置在所述绝缘膜中，所述源极电极设置在所述半导体层上的与所述栅极电极分离的位置；漏极电极，以一端与所述半导体层接触且另一端在所述第二面侧露出的方式设置在所述绝缘膜中，所述漏极电极设置在从所述源极电极朝向所述栅极电极的方向上的、比所述栅极电极更远离所述源极电极的位置；第一场板电极，具有与所述栅极电极接触的第一部分、及设置在所述绝缘膜之上并位于所述栅极电极与所述漏极电极之间的第二部分，所述第一场板电极设置在所述栅极电极之上；以及第二场板电极，设置在所述绝缘膜之上，并位于所述第一场板电极与所述漏极电极之间，所述第一场板电极与所述半导体层之间的所述绝缘膜的厚度，比所述第二场板电极与所述半导体层之间的所述绝缘膜的厚度薄。

【技术特征摘要】
2014.03.14 JP 2014-0521811.一种半导体装置，具备：
半导体层；
栅极电极，设置在所述半导体层上；
绝缘膜，覆盖所述半导体层及所述栅极电极，具有所述半导体层侧的
第一面和所述第一面的相反侧的第二面；
源极电极，以一端与所述半导体层接触且另一端在所述第二面侧露出
的方式设置在所述绝缘膜中，所述源极电极设置在所述半导体层上的与所
述栅极电极分离的位置；
漏极电极，以一端与所述半导体层接触且另一端在所述第二面侧露出
的方式设置在所述绝缘膜中，所述漏极电极设置在从所述源极电极朝向所
述栅极电极的方向上的、比所述栅极电极更远离所述源极电极的位置；
第一场板电极，具有与所述栅极电极接触的第一部分、及设置在所述
绝缘膜之上并位于所述栅极电极与所述漏极电极之间的第二部分，所述第
一场板电极设置在所述栅极电极之上；以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林仁，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP