一种功率器件结终端结构制造技术
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及功率半导体
，特别涉及一种能够提高抗总剂量辐照能力的结终端结构。本专利技术主要在场限环上方两侧设置不同厚度的场氧化层，并且环上方两侧均存在多晶硅场板，由于多晶硅场板下方的场氧化层厚度存在差异，因而两侧多晶硅场板在纵向上存在高度差，该交错形成的多晶硅场板结构与其下方场氧化层结构形成了具有电容作用的结构，重新分布削弱了由于总剂量辐照在右侧场板下方的电场形成的叠加作用，故而使得结终端在总剂量辐照后的耐压能力有一定提高。本专利技术在不增加结终端面积的前提下，提高了器件抗总剂量辐照能力，使得由于辐照引起的耐压下降减少，满足在大功率以及复杂环境应用下的需求。本专利技术尤其适用于功率半导体器件。【专利说明】 一种功率器件结终端结构
本专利技术属于功率半导体
，特别涉及一种能够提高抗总剂量辐照能力的结终端结构。
技术介绍
现代高压功率半导体器件如IGBT，VDMOS等产品，由于其开关速度快，工作频率高，因而在相关领域的应用越来越广泛。自结终端技术发展以来，多种结构，诸如场限环、场板、深槽、结终端扩展技术都得...
【技术保护点】
一种功率器件结终端结构，包括衬底(1)和多个间隔设置在衬底(1)上层的场限环(2)；所述场限环(2)上表面靠近主结的一侧连接有第一场氧化层(7)，其上表面另一侧连接有第二场氧化层(3)；所述第二场氧化层(3)的厚度大于第一场氧化层(7)的厚度；所述第一场氧化层(7)上表面具有第一多晶硅场板(8)；所述第二场氧化层(3)上表面具有第二多晶硅场板(4)；所述第一多晶硅场板(8)和第二多晶硅场板(4)上表面具有介质层(5)；所述介质层(5)上表面具有金属场板(6)；所述金属场板(6)与第一多晶硅场板(8)和第二多晶硅场板(4)连接形成等势结构，还通过场限环(2)上的接触孔与衬底(1)连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈万军，古云飞，刘超，程武，李震洋，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51
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