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本发明涉及功率半导体技术领域，特别涉及一种能够提高抗总剂量辐照能力的结终端结构。本发明主要在场限环上方两侧设置不同厚度的场氧化层，并且环上方两侧均存在多晶硅场板，由于多晶硅场板下方的场氧化层厚度存在差异，因而两侧多晶硅场板在纵向上存在高度差...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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