氮化物半导体和半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种可提高特性的氮化物半导体和半导体装置，其提供能够提高记录密度的磁头和磁记录装置。根据本发明专利技术的实施方式，氮化物半导体包括氮化物部件。所述氮化物部件包括第1氮化物区域、第2氮化物区域和中间区域。所述第1氮化物区域包含含有第1元素的Al<subgt;x1</subgt;Ga<subgt;1‑x1</subgt;N(0≤x1＜1)，所述第1元素包含选自Fe和Mn的至少1种。所述第2氮化物区域包含Al<subgt;x2</subgt;Ga<subgt;1‑x2</subgt;N(0≤x2<1)，其中从所述第1氮化物区域到所述第2氮化物区域的方向沿着第1方向。所述中间区域设置在所述第1氮化物区域和所述第2氮化物区域之间，所述中间区域包含含有氧的Al<subgt;z1</subgt;Ga<subgt;1‑z1</subgt;N(0<z1≤1，x1<z1，x2<z1)。所述氮化物部件中的氧的浓度在所述中间区域成为极大。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施方式一般涉及氮化物半导体和半导体装置。

技术介绍

1、例如，对基于氮化物半导体的半导体装置来说，期望特性的提高。

技术实现思路

1、专利技术要解决的课题

2、本专利技术的实施方式提供一种可提高特性的氮化物半导体和半导体装置。

3、解决课题的手段

4、根据本专利技术的实施方式，氮化物半导体包括氮化物部件。所述氮化物部件包括第1氮化物区域、第2氮化物区域和中间区域。所述第1氮化物区域包含含有第1元素的alx1ga1-x1n(0≤x1＜1)，所述第1元素包含选自fe和mn的至少1种。所述第2氮化物区域包含alx2ga1-x2n(0≤x2<1)，其中从所述第1氮化物区域到所述第2氮化物区域的方向沿着第1方向。所述中间区域设置在所述第1氮化物区域和所述第2氮化物区域之间，所述中间区域包含含有氧的alz1ga1-z1n(0<z1≤1，x1<z1，x2<z1)。所述氮化物部件中的氧的浓度在所述中间区域成为极大(最大)。

<p>5、根据上述构成本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.氮化物半导体，其包括氮化物部件，

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体，其中，

3.根据权利要求1所述的氮化物半导体，其中，

4.根据权利要求3所述的氮化物半导体，其中，

5.根据权利要求4所述的氮化物半导体，其中，

6.根据权利要求1所述的氮化物半导体，其中，

7.根据权利要求1所述的氮化物半导体，其中，

8.根据权利要求1所述的氮化物半导体，其中，

9.氮化物半导体，其包括氮化物部件，

10.半导体装置，其具备：

【技术特征摘要】

1.氮化物半导体，其包括氮化物部件，

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体，其中，

3.根据权利要求1所述的氮化物半导体，其中，

4.根据权利要求3所述的氮化物半导体，其中，

5.根据权利要求4所述的氮化物半导体，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：彦坂年辉，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：