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本发明提供一种可提高特性的氮化物半导体和半导体装置，其提供能够提高记录密度的磁头和磁记录装置。根据本发明的实施方式，氮化物半导体包括氮化物部件。所述氮化物部件包括第1氮化物区域、第2氮化物区域和中间区域。所述第1氮化物区域包含含有第1元素的...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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