浅沟槽隔离结构的形成方法技术

一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成栅介质层、浮栅多晶硅层、层间绝缘层和控制栅多晶硅层；对控制栅多晶硅层、层间绝缘层和浮栅多晶硅层进行光刻和刻蚀，形成控制栅和浮栅；对半导体衬底进行脱水处理；在半导体衬底上形成光刻胶；图案化光刻胶；对半导体衬底进行刻蚀形成沟槽；对所述沟槽进行填充。对于半导体衬底使用一氧化二氮进行脱水处理，保证了在形成光刻胶的过程中不会出现由于硅烷醇吸附水汽被挥发而导致光刻胶内部产生空洞，避免出现刻蚀到光刻胶下无需被刻蚀的区域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体工艺领域，特别涉及一种。
技术介绍
存储器用于存储大量数字信息，最近据调查显示，在世界范围内，存储器芯片大约 占了半导体交易的30%，多年来，工艺技术的进步和市场需求催生越来越多高密度的各种 类型存储器，如RAM(随机存储器)、DRAM (动态随机存储器)、R0M (只读存储器)、EPR0M (可 擦除可编程只读存储器)、FLASH(闪存)和FRAM(铁电存储器)等，其中，闪存存储器即 FLASH已经成为非易失性半导体存储技术的主流，被广泛应用在各类诸如智能卡、SIM卡、 微控制器、手机等电子产品中。闪存的标准物理结构称为存储单元(bit)。闪存的结构与常规MOS晶体管不同，通 常MOS的栅极(gate)和导电沟道间由栅极绝缘层隔开，一般为氧化层(gate oxide)；而闪 存在控制栅(control gate :CG，相当于MOS的栅极)与导电沟道间还多了一层物质，称之 为浮栅(floating gate :FG) 0由于浮栅的存在，使闪存可以完成信息的读、写、擦除。即便 在没有电源供给的情况下，浮栅的存在可以保持存储数据的完整性。而相邻两个存储单元 之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成栅介质层、浮栅多晶硅层、层间绝缘层和控制栅多晶硅层；对控制栅多晶硅层、层间绝缘层和浮栅多晶硅层进行光刻和刻蚀，形成控制栅和浮栅；对半导体衬底进行脱水处理；在半导体衬底上形成光刻胶；图案化光刻胶；对半导体衬底进行刻蚀形成沟槽；对所述沟槽进行填充。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王三坡，李俊，庄晓辉，张世栋，吴爱明，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31