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一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成栅介质层、浮栅多晶硅层、层间绝缘层和控制栅多晶硅层；对控制栅多晶硅层、层间绝缘层和浮栅多晶硅层进行光刻和刻蚀，形成控制栅和浮栅；对半导体衬底进行脱水处理；在半导体...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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