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一种OTP器件的形成方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上并列形成有选择栅和浮栅；形成介质层，覆盖所述选择栅、浮栅和半导体基底的表面；在所述介质层的表面引入氮元素；在所述介质层的表面形成图形化的光刻胶，所述图形化的光刻胶覆盖所述浮栅上...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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