形成自对准源区的方法技术

本发明专利技术公开了一种形成自对准源区的方法，首先在形成沿位线方向的浅槽隔离二氧化硅层和沿字线方向的栅极的半导体晶圆上形成轻掺杂漏区；沿字线方向形成图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层阻挡所述轻掺杂漏区、所述栅极以及所述轻掺杂漏区之间的浅槽隔离二氧化硅层，并暴露用于形成自对准源区的区域；以所述图案化的光刻胶层作为掩膜，对用于形成自对准源区的区域中的浅槽隔离二氧化硅层进行干法刻蚀，并对所述半导体晶圆执行源区离子注入；对所述半导体晶圆进行低温等离子体处理；对所述半导体晶圆进行灰化处理和酸槽清洗。该方法减小了栅极断裂的可能性，提高了工艺良品率，增加了产量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种。
技术介绍
通常在闪存中，一个阵列单元共用一个源区。在形成栅极之后，通过离子注入方法 形成轻掺杂漏区。图1所示为现有技术中形成轻掺杂漏区之后的半导体晶圆部分区域的俯 视图，其中所示的各部分尺寸仅仅是示例性的，并不表示实际尺寸。参见图1，附图标记2表 示沿位线方向的浅槽隔离二氧化硅层，附图标记3表示轻掺杂漏区，附图标记4表示沿字线 方向形成的栅极，栅极4形成字线，附图标记6表示用于形成源区的区域。接下来，形成自 对准源区。其中栅极具有多层结构(在图2A至图2D中没有详细示出)。现有技术中，形成 自对准源区的方法被称为自对准源区(SAS)工艺。该工艺主要包括以下工艺步骤自对准 源区光刻、自对准源区干法刻蚀、自对准源区离子注入、光刻胶灰化以及酸槽清洗。以下结合图2A-2D详细描述现有技术中的形成自对准源区的工艺过程。图2A-2D 示出现有技术中形成自对准源区的各工艺步骤中沿图1的A-A’线提取的半导体晶圆剖面 图，其中所示的各部分尺寸仅仅是示例性的，并不表示实际尺寸。首先如图2A所示，通过光刻工艺形成图案化的光刻胶层5，作为形成阵列单元的本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种形成自对准源区的方法，包括：在形成沿位线方向的浅槽隔离二氧化硅层和沿字线方向的栅极的半导体晶圆上形成轻掺杂漏区；沿字线方向形成图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层阻挡所述轻掺杂漏区、所述栅极以及所述轻掺杂漏区之间的浅槽隔离二氧化硅层，并暴露用于形成自对准源区的区域；以所述图案化的光刻胶层作为掩膜，对用于形成自对准源区的区域中的浅槽隔离二氧化硅层进行干法刻蚀，并对所述半导体晶圆执行源区离子注入；对所述半导体晶圆进行低温等离子体处理；对所述半导体晶圆进行灰化处理和酸槽清洗。

【技术特征摘要】
1.一种形成自对准源区的方法，包括在形成沿位线方向的浅槽隔离二氧化硅层和沿字线方向的栅极的半导体晶圆上形成 轻掺杂漏区；沿字线方向形成图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层阻挡所述轻掺杂漏区、所 述栅极以及所述轻掺杂漏区之间的浅槽隔离二氧化硅层，并暴露用于形成自对准源区的区 域；以所述图案化的光刻胶层作为掩膜，对用于形成自对准源区的区域中的浅槽隔离二氧 化硅层进行干法刻蚀，并对所述半导体晶圆执行源区离子注入；对所述半导体晶圆进行低温等离子体处理；对所述半导体晶圆进行灰化处理和酸槽清洗。2.如权利要求1所述的形成自对准源区的方法，其特征在于，所述低温等离子体处理 的温度为50-100°C。3.如权利要求2所述的形成自对准源区的方法，其特征在于，所述低温等离子体处理 的温度为70°C。4.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：任学慧，马德敬，王艳琴，冯炜，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]