离子源器件和方法技术

离子源器件和方法。离子源包括定义用于离子化的内部空腔的腔室，在内部空腔的第一端的电子束源，用于将可离子化的气体引入腔室的入口，以及用于从腔室中提取离子的弧形裂隙。所述腔室包括导电陶瓷。

【技术实现步骤摘要】
离子源器件和方法
本公开涉及用于电操作粒子的器件和方法，并且更特别地涉及用于产生离子的器件和方法。
技术介绍
离子源是用于产生带电粒子、或离子的器件。离子在科学和工业方面都具有多种应用。离子源可以例如与各种分光计、粒子加速器、或离子注入器联合使用。半导体掺杂尤其是离子源的重要应用，掺杂后的半导体形成现代电子学的基础。传统离子源趋向于有限的寿命。基于所使用的等离子体（plasma），传统离子源的有效寿命能够是大约40小时。
技术实现思路
在第一实现方式中，离子源包括定义用于离子化的内部空腔（cavity）的腔室（chamber），在内部空腔的第一端的电子束源，用于将可离子化的气体引入腔室的入口，以及用于从腔室中提取离子的弧形裂隙（arcslit）。所述腔室包括导电陶瓷。可以包括下述特征的一个或多个。所述腔室可以至少部分被第二材料所包裹（envelope）。所述第二材料可以包括石墨。所述导电陶瓷可以包括六硼化物物质。所述导电陶瓷可以是六硼化镧（LaB6）、六硼化钙（CaB6）、六硼化铈（CeB6）、和/或六硼化铕（EuB6）。所述腔室可以进一步包括第二六硼化物物质。所述第二六硼化物物质可以是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种离子源，包括：定义用于离子化的内部空腔的腔室；在内部空腔的第一端的电子束源；用于将可离子化的气体引入腔室的入口；以及用于从腔室中提取离子的弧形裂隙；其中所述腔室包括导电陶瓷。

【技术特征摘要】
2012.08.22 US 13/591,2911.一种离子源，包括：定义用于离子化的内部空腔的腔室；在包括至少一个电极的内部空腔的第一端的电子束源；用于将可离子化的气体引入腔室的入口；以及用于从腔室中提取离子的弧形裂隙；其中所述腔室包括导电陶瓷，用于降低所述腔室的剥离和剥离材料在所述电极上的随后的沉积。2.如权利要求1所述的离子源，其中所述腔室至少部分被第二材料所包裹。3.如权利要求2所述的离子源，其中所述第二材料包括石墨。4.如权利要求1所述的离子源，其中所述导电陶瓷包括六硼化物物质。5.如权利要求1所述的离子源，其中所述导电陶瓷从包括以下物质的组中选出：六硼化镧（LaB6）、六硼化钙（CaB6）、六硼化铈（CeB6）、和六硼化铕（EuB6）。6.如权利要求1所述的离子源，其中所述导电陶瓷是六硼化镧（LaB6）。7.如权利要求6所述的离子源，其中所述腔室进一步包括第二六硼化物物质。8.如权利要求7所述的离子源，其中所述第二六硼化物物质从包括以下物质的组中选出：六硼化钙（CaB6）、六硼化铈（CeB6）、和六硼化铕（EuB6）。9.如权利要求1所述的离子源，其中所述电子束源是产生电子的阴极，所述阴极包括从包含以下物质的组中选出的物质：钨（W）、钼（Mo）、和钽（Ta）。10.一种用于对半导体进行掺杂的方法，所述方法包括：在包括至少一个电极的离子源的腔室内对气体进行离子化，所述腔室包括导电陶瓷；将目标半导体材料放置在注入目标区中；用离子源产生离子流；将离子流对准目标半导体材料；以及用来自离子流的离子注入目标半导体，其中，所述导电陶瓷用于降低所述腔室的剥离和剥离材料在所述电极上的随后的沉积。11.如权利要求10所述的方法，其中所述离子源包括：腔室所定义的用于离子化的内部空腔；在所述内部空腔的第一端的电子束源；用于将可离子化的气体引入腔室的入口；以及用于从腔室中提取离子的弧形裂隙。12.如权利要求10所述的方法，其中所述离子流被产生以使其相对无重金属。13.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：F格宾，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：